1.一种半导体发光元件，其特征在于，其包括：
第一发光部、第二发光部及第三发光部，各个发光部包括多个半导体层，所述多个半导体层依次层叠具备第一导电性的第一半导体层、通过电子和空穴的复合而生成光的有源层及具备与第一导电性不同的第二导电性的第二半导体层而成；
非导电性反射膜，其以覆盖多个半导体层的方式形成，对在有源层生成的光进行反射；
第一电极，其以与第一发光部的第一半导体层电气性地连通的方式形成，供给电子和空穴中的一个；
第二电极，其以与第二发光部的第二半导体层电气性地连通的方式形成，供给电子和空穴中的另一个；及
辅助焊盘，其形成在覆盖第三发光部的非导电性反射膜上。
2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，
非导电性反射膜具备绝缘性，第一电极及第二电极中的至少一个是以非导电性反射膜为基准而设于多个半导体层的相反侧，通过贯穿非导电性反射膜的电连接部an electrical connecting portion而与多个半导体层电气性地连通的倒装芯片flip chip。
3.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，
辅助焊盘从第一电极及第二电极离开。
4.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，
该半导体发光元件包括：
第四发光部；
追加的辅助焊盘，其形成在覆盖第四发光部的非导电性反射膜上；及
导电部，其在非导电性反射膜上延伸，对辅助焊盘和追加的辅助焊盘进行连接。
5.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，
该半导体发光元件包括：
第四发光部；
追加的辅助焊盘，其形成在覆盖第四发光部的非导电性反射膜上；
导电部，其在非导电性反射膜上延伸，对辅助焊盘和第一电极进行连接；及
追加的导电部，其在非导电性反射膜上延伸，对追加的辅助焊盘和第二电极进行连接。
6.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，
该半导体发光元件包括第四发光部，
在覆盖第四发光部的非导电性反射膜上未形成金属层。
7.根据权利要求4或5所述的半导体发光元件，其特征在于，
该半导体发光元件包括连接电极，该连接电极对第一发光部至第四发光部中彼此相对的发光部进行电连接，并被非导电性反射膜所覆盖，导电部及追加的导电部具备比连接电极更小或相同的宽度，并与连接电极重叠。
8.根据权利要求5所述的半导体发光元件，其特征在于，
该半导体发光元件包括：
第五发光部；及
形成在覆盖第五发光部的非导电性反射膜上的辅助焊盘、追加的辅助焊盘、与第一电极及第二电极离开的中性neutral的辅助焊盘。
9.根据权利要求7所述的半导体发光元件，其特征在于，
连接电极的一侧末端在第二半导体层与非导电性反射膜之间与第二半导体层电气性地连通，连接电极的另一侧末端与通过蚀刻第二半导体层及有源层而露出的第一半导体层电气性地连通。
10.根据权利要求8所述的半导体发光元件，其特征在于，
该半导体发光元件包括第六发光部，
在覆盖第六发光部的非导电性反射膜上未形成金属层。
11.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，
该半导体发光元件包括：
第一电连接部，其贯穿非导电性反射膜而与第一半导体层电气性地连通；
第二电连接部，其贯穿非导电性反射膜而与第二半导体层电气性地连通；
连接电极，其在非导电性反射膜上延伸，并对第一发光部的第二电连接部和第三发光部的第一电连接部进行连接；及
追加的连接电极，其在非导电性反射膜上延伸，并对第三发光部的第二电连接部和第二发光部的第一电连接部进行连接，
辅助焊盘位于离开连接电极及追加的连接电极之处。
12.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，
该半导体发光元件包括电连接部，该电连接部连通连接电极，所述连接电极对第一发光部、第二发光部及第三发光部中的相邻的发光部进行电连接，将相邻的发光部的具备相同的导电性的半导体层彼此连通。