半导体发光元件的制作方法

文档序号:11161583阅读:来源:国知局
技术总结
本发明涉及半导体发光元件,其特征在于,其包括:第一发光部、第二发光部及第三发光部,各个发光部包括多个半导体层,所述多个半导体层依次层叠具备第一导电性的第一半导体层、通过电子和空穴的复合而生成光的有源层及具备与第一导电性不同的第二导电性的第二半导体层而构成;非导电性反射膜,其以覆盖多个半导体层的方式形成,反射在有源层生成的光;第一电极,其以与第一发光部的第一半导体层电气性地连通的方式形成,供给电子和空穴中的一个;第二电极,其以与第二发光部的第二半导体层电气性地连通的方式形成,供给电子和空穴中的另一个;及辅助焊盘,其形成在覆盖第三发光部的非导电性反射膜上。

技术研发人员:全水根;金太贤;金太进;百成皓;崔日均;晋根模
受保护的技术使用者:世迈克琉明有限公司
文档号码:201580031238
技术研发日:2015.06.10
技术公布日:2017.05.10

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