有机发光元件的制作方法

技术特征：

1.一种有机发光元件，其特征在于：包含满足下述式(1)的主体材料、延迟荧光材料及发光材料，

式(1)E_S1(H)＞E_S1(F)＞E_S1(D)

上式中，E_S1(H)表示所述主体材料的最低激发单重态能级，E_S1(F)表示所述延迟荧光材料的最低激发单重态能级，E_S1(D)表示所述发光材料的最低激发单重态能级。

2.根据权利要求1所述的有机发光元件，其特征在于：所述延迟荧光材料的最低激发单重态状态与77K的最低激发三重态状态的能量差ΔE_st为0.3eV以下。

3.根据权利要求1所述的有机发光元件，其特征在于：所述延迟荧光材料的最低激发单重态状态与77K的最低激发三重态状态的能量差ΔE_st为0.08eV以下。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的有机发光元件，其特征在于：所述延迟荧光材料的从最低激发三重态状态向最低激发单重态状态的速度常数k_RISC为10⁵/s以上。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的有机发光元件，其特征在于：所述发光材料是在从最低激发单重态能级恢复至基态能级时发射荧光的材料。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的有机发光元件，其中所述发光材料是发射放大的自发辐射的材料。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的有机发光元件，其特征在于：所述延迟荧光材料的含量小于所述主体材料的含量。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的有机发光元件，其特征在于：包含2种以上的化合物作为所述发光材料。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的有机发光元件，其具有包含满足所述式(1)的主体材料、延迟荧光材料及发光材料的发光层。

10.根据权利要求9所述的有机发光元件，其中所述发光层为包含多层的多层构成。

11.根据权利要求10所述的有机发光元件，其中构成所述发光层的多层的所述延迟荧光材料的含量不同。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的有机发光元件，其为光激发型有机发光元件。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的有机发光元件，其为有机半导体激光器。

14.根据权利要求13所述的有机发光元件，其为载子注入型有机半导体激光器。