本发明涉及一种清洗系统，具体涉及一种硅片切割的水清洗系统。
背景技术：
硅片切割后表面残留砂浆，需要在预清洗机上使用大量清水冲洗干净后再处理，目前的清洗系统有如下缺点，一是清洗不干净，而是清洗能耗过高，已经不利于现有的生产。
有鉴于上述的缺陷，本设计人，积极加以研究创新，以期创设一种硅片切割的水清洗系统，使其更具有产业上的利用价值。
技术实现要素：
为解决上述技术问题，本发明的目的是提供一种硅片切割的水清洗方法和系统。
本发明的技术方案如下：
一种硅片的水清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：预处理，在温度为120℃的H2SO4:H2O2＝1:4SPM溶液中清洗5min，用以去除硅片表面的有机污染物和金属污染物；
S2：第一次去离子，用去离子水冲洗步骤S1处理后的硅片，去除SPM残留溶液；
S3：第一次HF溶液清洗，在HF：H2O＝1:50的HF溶液中清洗30秒，去除硅片表面的氧化层；
S4：第二次去离子，用去离子水冲洗，去除步骤S3中HF残留溶液。
S5：SC-1溶液清洗，用NH4OH：H2O2：H2O＝1:1:5的SC-1溶液中清洗，将有机污染物和金属污染物去除；
S6：第三次去离子，用去离子水冲洗，去除步骤S5中SC-1残留溶液；
S7：第二次HF溶液清洗，在HF：H2O＝1:50的HF溶液中清洗1min，去除硅片表面的氧化层；
S8：第四次去离子，用去离子水冲洗，去除步骤S7中HF残留溶液；
S9：SC-2溶液清洗，在HCl：H2O2：H2O＝1:1:6的SC-2溶液中清洗，去除碱金属和过渡元素的污染物；
S10：第五次去离子，用去离子水冲洗，去除步骤S9中SC-2残留溶液；
S11：第三次HF溶液清洗，在HF：H2O＝1:50的HF溶液中清洗1min，去除硅片表面的氧化层。
S12，吹干硅片表面。
进一步的，所述步骤S5中SC-1溶液的温度为85～90℃。
进一步的，所述步骤S5中清洗时间为15min。
进一步的，所述步骤S9中SC-2溶液在温度为80～90℃。
进一步的，所述步骤S9中清洗时间为15min。
一种硅片的水清洗系统，其特征在于，包括：
预处理系统，在温度为120℃的H2SO4:H2O2＝1:4SPM溶液中清洗5min，用以去除硅片表面的有机污染物和金属污染物；
第一次去离子系统，用去离子水冲洗处理后的硅片，去除SPM残留溶液；
第一次HF溶液清洗系统，在HF：H2O＝1:50的HF溶液中清洗30秒，去除硅片表面的氧化层；
第二次去离子系统，用去离子水冲洗，去除HF残留溶液。
SC-1溶液清洗系统，用NH4OH：H2O2：H2O＝1:1:5的SC-1溶液中清洗，将有机污染物和金属污染物去除；
第三次去离子系统，用去离子水冲洗，去除SC-1残留溶液；
第二次HF溶液清洗系统，在HF：H2O＝1:50的HF溶液中清洗1min，去除硅片表面的氧化层；
第四次去离子系统，用去离子水冲洗，去除HF残留溶液；
SC-2溶液清洗系统，在HCl：H2O2：H2O＝1:1:6的SC-2溶液中清洗，去除碱金属和过渡元素的污染物；
第五次去离子系统，用去离子水冲洗，去除SC-2残留溶液；
第三次HF溶液清洗系统，在HF：H2O＝1:50的HF溶液中清洗1min，去除硅片表面的氧化层。
吹干系统，吹干硅片表面。
借由上述方案，本发明至少具有以下优点：
通过多次利用去离子水、HF溶液、SC-1溶液、SC-2溶液能够去除硅片上的各种杂质。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
附图说明
图1是本发明的方法流程图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
参见图1：
一种硅片的水清洗方法，包括以下步骤：
S1：预处理，在温度为120℃的H2SO4:H2O2＝1:4SPM溶液中清洗5min，用以去除硅片表面的有机污染物和金属污染物；
S2：第一次去离子，用去离子水冲洗步骤S1处理后的硅片，去除SPM残留溶液；
S3：第一次HF溶液清洗，在HF：H2O＝1:50的HF溶液中清洗30秒，去除硅片表面的氧化层；
S4：第二次去离子，用去离子水冲洗，去除步骤S3中HF残留溶液。
S5：SC-1溶液清洗，用NH4OH：H2O2：H2O＝1:1:5的SC-1溶液中清洗，将有机污染物和金属污染物去除；
S6：第三次去离子，用去离子水冲洗，去除步骤S5中SC-1残留溶液；
S7：第二次HF溶液清洗，在HF：H2O＝1:50的HF溶液中清洗1min，去除硅片表面的氧化层；
S8：第四次去离子，用去离子水冲洗，去除步骤S7中HF残留溶液；
S9：SC-2溶液清洗，在HCl：H2O2：H2O＝1:1:6的SC-2溶液中清洗，去除碱金属和过渡元素的污染物；
S10：第五次去离子，用去离子水冲洗，去除步骤S9中SC-2残留溶液；
S11：第三次HF溶液清洗，在HF：H2O＝1:50的HF溶液中清洗1min，去除硅片表面的氧化层。
S12，吹干硅片表面。
-所述步骤S5中SC-1溶液的温度为85～90℃。
-所述步骤S5中清洗时间为15min。
-所述步骤S9中SC-2溶液在温度为80～90℃。
-所述步骤S9中清洗时间为15min。
一种硅片的水清洗系统，包括：
预处理系统，在温度为120℃的H2SO4:H2O2＝1:4SPM溶液中清洗5min，用以去除硅片表面的有机污染物和金属污染物；
第一次去离子系统，用去离子水冲洗处理后的硅片，去除SPM残留溶液；
第一次HF溶液清洗系统，在HF：H2O＝1:50的HF溶液中清洗30秒，去除硅片表面的氧化层；
第二次去离子系统，用去离子水冲洗，去除HF残留溶液。
SC-1溶液清洗系统，用NH4OH：H2O2：H2O＝1:1:5的SC-1溶液中清洗，将有机污染物和金属污染物去除；
第三次去离子系统，用去离子水冲洗，去除SC-1残留溶液；
第二次HF溶液清洗系统，在HF：H2O＝1:50的HF溶液中清洗1min，去除硅片表面的氧化层；
第四次去离子系统，用去离子水冲洗，去除HF残留溶液；
SC-2溶液清洗系统，在HCl：H2O2：H2O＝1:1:6的SC-2溶液中清洗，去除碱金属和过渡元素的污染物；
第五次去离子系统，用去离子水冲洗，去除SC-2残留溶液；
第三次HF溶液清洗系统，在HF：H2O＝1:50的HF溶液中清洗1min，去除硅片表面的氧化层。
吹干系统，吹干硅片表面。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，并不用于限制本发明，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变型，这些改进和变型也应视为本发明的保护范围。