1.一种像素结构，其特征在于，包括：
基板；
柱状有源层，设置在所述基板上，所述柱状有源层包括源极、漏极以及位于所述源极和所述漏极之间的沟道，所述源极、所述沟道和所述漏极层叠设置；
第一绝缘层，环绕包覆所述柱状有源层的外侧并覆盖所述基板；
第一导电层，环绕包覆在所述第一绝缘层的外侧；
第一电容介质层，环绕包覆在所述第一导电层的外侧；
第二导电层，环绕包覆在所述第一电容介质层的外侧；
第二电容介质层，环绕包覆在所述第二导电层的外侧；
第二绝缘层，覆盖所述第一绝缘层、所述第一导电层、所述第一电容介质层、所述第二导电层以及所述第二电容介质层的顶端；
以及像素电极，设置在所述柱状有源层上，与所述源极或者所述漏极连接。
2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第二绝缘层上设置有用于露出所述柱状有源层的接触孔，所述接触孔与所述柱状有源层相对设置，所述像素电极通过所述接触孔与所述源极或者所述漏极连接。
3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构还包括设置在所述基板上的缓冲层。
4.根据权利要求2所述的像素结构，其特征在于，所述缓冲层包括依次层叠在所述基板上的氮化硅层和氧化硅层。
5.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素电极选自锌、锌锡合金、铟锡合金、铟锌合金、铟镓锌合金和铟锌锡合金中的至少一种。
6.一种像素结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在基板上形成柱状有源层，所述柱状有源层包括源极、漏极以及位于所述源极和所述漏极之间的沟道，所述源极、所述沟道和所述漏极层叠设置；
在所述柱状有源层的外侧以及所述基板上形成第一绝缘层；
在所述第一绝缘层的外侧形成环绕包覆的第一导电层；
在所述第一导电层的外侧形成环绕包覆的第一电容介质层；
在所述第一电容介质层的外侧形成环绕包覆的第二导电层；
在所述第二导电层的外侧形成环绕包覆的第二电容介质层；
在所述第一绝缘层、所述第一导电层、所述第一电容介质层、所述第二导电层以及所述第二电容介质层的顶端形成第二绝缘层；
在所述柱状有源层的顶端形成像素电极，所述像素电极与所述源极或者所述漏极连接。
7.根据权利要求6所述的像素结构的制备方法，其特征在于，在基板上形成柱状有源层的步骤为：
在所述基板上沉积第一非晶硅层；
通过晶体化所述第一非晶硅层产生第一多晶硅层；
图案化所述第一多晶硅层之后通过离子注入形成掺杂的第一多晶硅层，以形成源极；
在所述源极上形成第二非晶硅层；
通过晶体化所述第二非晶硅层产生第二多晶硅层；
图案化所述第二多晶硅层之后通过离子注入形成掺杂的第二多晶硅层，以形成沟道；
在所述沟道上形成第三非晶硅层；
通过晶体化所述第三非晶硅层产生第三多晶硅层；
图案化所述第三多晶硅层之后通过离子注入形成掺杂的第三多晶硅层，以形成漏极。
8.根据权利要求6所述的像素结构的制备方法，其特征在于，还包括在所述第二绝缘层上与所述柱状有源层相对的位置形成用于暴露所述柱状有源层的接触孔的步骤，所述像素电极通过所述接触孔与所述源极或者所述漏极连接。
9.根据权利要求6所述的像素结构的制备方法，其特征在于，在基板上形成柱状有源层的步骤之前，还包括在所述基板上形成缓冲层的步骤。
10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1～5中任一项所述的像素结构。