一种基于Si/TiOx异质结的双面晶体硅太阳电池的制作方法

技术特征：

1.一种基于Si/TiO_x异质结的双面晶体硅太阳电池，其特征是包括前电极、TiO_x层、晶体硅吸收层、p型晶体硅重掺杂层、钝化层、金属栅状电极；其结构从迎光面开始依次为：前电极、TiO_x层、晶体硅吸收层、p型晶体硅重掺杂层、钝化层、金属栅状电极。

2.根据权利要求1所述的双面晶体硅太阳电池，其特征是所述的TiO_x层为n型掺杂。

3.根据权利要求1所述的双面晶体硅太阳电池，其特征是所述的晶体硅吸收层为n型或p型掺杂。

4.根据权利要求1所述的双面晶体硅太阳电池，其特征是所述的晶体硅吸收层硅片的表面需双面制绒以减小表面反射率。

5.根据权利要求1所述的双面晶体硅太阳电池，其特征是所述的p型晶体硅重掺杂层由扩散工艺向硅片背面扩散p型掺杂元素得到。

6.根据权利要求1所述的双面晶体硅太阳电池，其特征是所述的前电极包含透明导电层和金属栅状电极。

7.根据权利要求6所述的双面晶体硅太阳电池，其特征是在透明导电层和金属栅状电极上使用减反射层。

8.根据权利要求1所述的双面晶体硅太阳电池，其特征是所述的钝化层为Al₂O₃或Al₂O₃/SiN_x混合结构。