技术总结
本发明公开一种金属氧化物、QLED及制备方法，金属氧化物制备方法包括步骤：将金属氧化物的前驱体溶解于溶剂中，然后与PVP混合，再在100~300℃条件下反应30min~2h，得到PVP包覆的金属氧化物，或者，将金属氧化物的前驱体溶解于溶剂中，在100~300℃条件下反应30min~2h，然后与PVP混合，得到PVP包覆的金属氧化物；或者将金属氧化物的纳米粒子溶液与PVP混合，得到PVP包覆的金属氧化物。本发明通过在金属氧化物表面包覆PVP，即可降低金属氧化物表面的缺陷，提高QLED的效率，该方法过程简单，易实施，可大规模应用在器件当中。
技术研发人员：王宇;曹蔚然
受保护的技术使用者：TCL集团股份有限公司
文档号码：201610849580
技术研发日：2016.09.26
技术公布日：2017.02.22