1.一种芯片电容器，其特征在于，包括：
基板；
第1外部电极，其配置于基板的一个表面侧；
第2外部电极，其配置于基板的一个表面侧；
下部电极膜，其从所述第1外部电极以及所述第2外部电极之间的区域延伸至所述第2外部电极与所述基板之间而形成于所述基板的一个表面侧，具有与所述第1外部电极相接的上表面；
电容膜，其从所述第1外部电极以及所述第2外部电极之间的区域延伸至所述第2外部电极与所述基板之间而形成于所述下部电极膜上；和
上部电极膜，其从所述第1外部电极以及所述第2外部电极之间的区域延伸至所述第2外部电极与所述基板之间而形成于所述电容膜上，并且与所述下部电极膜对置，具有与所述第2外部电极相接的上表面。
2.根据权利要求1所述的芯片电容器，其特征在于，
所述上部电极膜以及所述下部电极膜的至少任一者被分割为多个电极膜部分，分别包含所述多个电极膜部分的多个电容器元件形成在所述基板上。
3.根据权利要求2所述的芯片电容器，其特征在于，
能将所述多个电容器元件分别隔出的多个熔断器形成在所述基板上。
4.根据权利要求3所述的芯片电容器，其特征在于，
所述多个电容器元件具有彼此不同的电容值。
5.根据权利要求4所述的芯片电容器，其特征在于，
所述多个电容器元件的电容值被设定为呈等比数列。
6.根据权利要求3所述的芯片电容器，其特征在于，
所述多个熔断器中的至少一个被切断。
7.根据权利要求3所述的芯片电容器，其特征在于，
所述上部电极膜或所述下部电极膜与所述熔断器由相同的导电性材料的膜形成。
8.根据权利要求1所述的芯片电容器，其特征在于，
所述上部电极膜在所述第1外部电极以及所述第2外部电极之间的区域具有被分离出的多个上部电极膜部分，所述多个上部电极膜部分分别经由多个熔断器而与所述第2外部电极电连接，
所述下部电极膜形成于避开了所述熔断器的正下方的区域的区域。
9.根据权利要求8所述的芯片电容器，其特征在于，
所述多个上部电极膜部分以不同的对置面积来与所述下部电极膜对置。
10.根据权利要求9所述的芯片电容器，其特征在于，
所述多个上部电极膜部分的所述对置面积被设定为呈等比数列。
11.一种芯片电容器的制造方法，所述芯片电容器在基板上具有第1外部电极以及第2外部电极，所述芯片电容器的制造方法的特征在于，包括：
按照从所述第1外部电极以及所述第2外部电极之间的区域延伸至所述第2外部电极与所述基板之间的方式，在所述基板上形成下部电极膜的工序；
按照从所述第1外部电极以及所述第2外部电极之间的区域延伸至所述第2外部电极与所述基板之间的方式，在所述下部电极膜上形成电容膜的工序；
按照从所述第1外部电极以及所述第2外部电极之间的区域延伸至所述第2外部电极与所述基板之间的方式，在所述电容膜上形成与所述下部电极膜对置的上部电极膜的工序；
按照与所述下部电极膜的上表面相接的方式，形成所述第1外部电极的工序；和
按照与所述上部电极膜的上表面相接的方式，形成所述第2外部电极的工序。
12.根据权利要求11所述的芯片电容器的制造方法，其特征在于，
所述上部电极膜以及所述下部电极膜的至少任一者被分割为多个电极膜部分，分别包含所述多个电极膜部分的多个电容器元件形成在所述基板上。
13.根据权利要求12所述的芯片电容器的制造方法，其特征在于，
还包括：在所述基板上形成能将所述多个电容器元件分别隔出的多个熔断器的工序。
14.根据权利要求13所述的芯片电容器的制造方法，其特征在于，
所述多个电容器元件形成为具有彼此不同的电容值。
15.根据权利要求14所述的芯片电容器的制造方法，其特征在于，
所述多个电容器元件的电容值被设定为呈等比数列。
16.根据权利要求13所述的芯片电容器的制造方法，其特征在于，
还包括：将所述多个熔断器中的至少一个切断的熔断器切断工序。
17.根据权利要求16所述的芯片电容器的制造方法，其特征在于，
还包括：
对所述多个电容器元件的总电容值进行测量的工序；和
基于测量出的所述总电容值来选择应进行所述切断的熔断器的工序，
在所述熔断器切断工序中，切断选择出的所述熔断器。
18.根据权利要求16或17所述的芯片电容器的制造方法，其特征在于，
还包括：在切断了所述熔断器后，形成覆盖所述熔断器的切断部的保护膜的工序。
19.根据权利要求13所述的芯片电容器的制造方法，其特征在于，
所述上部电极膜或所述下部电极膜与所述熔断器由相同的导电性材料的膜形成。
20.根据权利要求11所述的芯片电容器的制造方法，其特征在于，
所述上部电极膜形成为在所述第1外部电极以及所述第2外部电极之间的区域具有被分离出的多个上部电极膜部分，
所述芯片电容器的制造方法还包括：形成分别将所述多个上部电极膜部分以能隔出的方式与所述第2外部电极连接的多个熔断器的工序，
所述下部电极膜形成于避开了所述熔断器的正下方的区域的区域。
21.根据权利要求20所述的芯片电容器的制造方法，其特征在于，
所述多个上部电极膜部分形成为以不同的对置面积来与所述下部电极膜对置。
22.根据权利要求21所述的芯片电容器的制造方法，其特征在于，
所述多个上部电极膜部分的所述对置面积被设定为呈等比数列。