技术总结
本发明提供能以公共的设计来容易且迅速地与多种电容值对应的芯片电容器及其制造方法。芯片电容器(1)包含：基板(2)、配置于基板上的第1外部电极(3)、第2外部电极(4)、电容器元件(C1～C19)及熔断器(F1～F9)。电容器元件(C1～C19)包含：第1电极膜(11)、第1电极膜(11)上的第1电容膜(12)、在第1电容膜(12)上与第1电极膜(11)对置的第2电极膜(13)、第2电极膜(13)上的第2电容膜(17)、在第2电容膜(17)上与第2电极膜(13)对置的第3电极膜(16)，电容器元件连接于第1外部电极及第2外部电极之间。熔断器(F1～F9)分别插在电容器元件与第1外部电极或第2外部电极之间，能将多个电容器元件分别隔出。
技术研发人员：冈田博行;不破保博
受保护的技术使用者：罗姆股份有限公司
文档号码：201611069178
技术研发日：2012.12.26
技术公布日：2017.03.01