1.一种场效应晶体管(FET)，其包括：
-包含锗(Ge)的有源区；以及
-所述有源区上的栅堆叠，其包括：
·包含Si的钝化层；
·所述钝化层上的界面电介质层，所述界面电介质层包含SiOx，其中，x是大于0的整数；
·所述界面电介质层上的电介质包覆层，所述电介质包覆层包含形成界面偶极的材料；
·所述电介质包覆层上的高k电介质层；
·所述高k电介质层上的栅电极层。
2.如权利要求1所述的FET，其特征在于，所述电介质包覆层与所述界面电介质层和所述高k电介质层物理接触。
3.如前述任一项权利要求所述的FET，其特征在于，所述形成界面偶极的材料包括以下任意材料：镧(La)、钇(Y)、镁(Mg)、铒(Er)、镝(Dy)、钆(Gd)或者其他稀土材料。
4.如前述任一项权利要求所述的FET，其特征在于，所述电介质包覆层是过渡金属氧化物层或者过渡金属硅酸盐层。
5.如前述任一项权利要求所述的FET，其特征在于，所述电介质包覆层是原子层沉积(ALD)层或者物理气相沉积(PVD)层。
6.如权利要求5所述的FET，其特征在于，PVD电介质包覆层包括LaxOz，其中，x、z是大于0的整数。
7.如权利要求5所述的FET，其特征在于，ALD电介质包覆层包括LaxOz或LaxSiyOz，其中，x、y和z是大于0的整数。
8.如前述任一项权利要求所述的FET，其特征在于，所述钝化层的厚度是1-8个单层。
9.如前述任一项权利要求所述的FET，其特征在于，所述高k材料选自以下任意材料：HfOx、HfSiOx、HfSiON、LaOx、ZrOx、ZrSiOx、TaOx、AlOx，或其任意组合。
10.如前述任一项权利要求所述的FET，其特征在于，所述电极包括选自下组的金属：TiN、TiAl、TaN、TaC、TiC、Ti、Ta、Mo、Ru或W。
11.如前述任一项权利要求所述的FET，其特征在于，所述界面电介质层包括SiO2，以及所述电介质包覆层包括La2O3或LaSiO或LaSiO2。
12.如前述任一项权利要求所述的FET，其特征在于，所述FET是FinFET或者GAA FET。
13.一种制造场效应晶体管(FET)的方法，该方法包括以下步骤：
-提供包含锗(Ge)的有源区；
-在所述有源区上提供栅堆叠，所述栅堆叠包括：
·在所述有源区上提供包含Si的钝化层；
·在所述钝化层上提供界面电介质层，所述界面电介质层包含SiOx，其中，x是大于0的整数；
·在所述界面电介质层上提供电介质包覆层，所述电介质包覆层包含形成界面偶极的材料；
·在所述电介质包覆层上提供高k电介质层；
·在所述高k电介质层上提供栅电极层。
14.如权利要求13所述的制造场效应晶体管(FET)的方法，其特征在于，通过物理气相沉积(PVD)提供所述电介质包覆层。
15.如权利要求13所述的制造场效应晶体管(FET)的方法，其特征在于，通过原子层沉积(ALD)提供所述电介质包覆层。
16.如权利要求13-15中任一项所述的制造FET的方法，其特征在于，提供钝化层包括提供厚度为1-8个单层的钝化层。
17.如权利要求13-16中任一项所述的制造FET的方法，其特征在于，通过所述钝化层的部分氧化形成所述界面电介质层。
18.如权利要求13-17中任一项所述的制造FET的方法，所述方法还包括在提供所述高k电介质层之后进行激光退火。
19.如权利要求13-18中任一项所述的制造FET的方法，其特征在于，所述制造方法是后栅极制造方法。