技术总结
本发明公开了一种采用GaN量子点作为ZnO的形核层来制备ZnO纳米棒/p‑GaN薄膜异质结的方法。首先采用金属有机化学气相沉积技术在蓝宝石沉底上生长p‑GaN薄膜，再在薄膜上生长GaN量子点样品，然后采用水热法在量子点表面进行ZnO纳米棒阵列的生长，形成ZnO纳米棒/p‑GaN薄膜异质结结构。本发明p‑GaN薄膜和GaN量子点之间形成同质PN结，GaN量子点和ZnO纳米棒之间形成异质结PN，同质结和异质结联合发光，实现了零维结构和一维结构的结合，显著改善了紫外LED异质结界面晶体质量，提高了载流子的注入效率，从而获得了ZnO纳米棒/GaN量子点有源区。本发明采用GaN量子点作为ZnO纳米棒的形核层，可以通过调控GaN量子点的生长情况控制ZnO纳米棒的生长。
技术研发人员：田玉;奇志强;朱小龙;郑广
受保护的技术使用者：江汉大学
文档号码：201611104904
技术研发日：2016.12.05
技术公布日：2017.05.31