本发明属于半导体领域，具体涉及一种LED芯片封装方法。
背景技术：
近年来，LED灯因具有反应速度快、亮度高、寿命长、节能环保等优点得以快速发展，已逐步替代传统的白炽灯和节能灯，成为新一代的节能照明灯，被广泛应用于景观美化、室内外照明及更高端的市场(如汽车照明)等领域。
在某些细分的市场领域，不但要求LED灯珠具有高亮度，还要求其方向性强，如闪光灯、汽车前大灯、手电筒等等市场。为了进入这些市场，一些国际封装大厂通常采用在芯片周围填白胶的方式去改善性能。
但是，一般都会采用比较昂贵的设备来实现填白胶工艺，成本较高。
技术实现要素：
基于上述问题，本发明的目的是提供一种LED芯片封装方法，有效解决现有技术中白胶填充较为昂贵的问题。
一种LED芯片封装方法，包括：
S1按照预设比例混合硅胶和荧光粉固化得到硅胶荧光膜；
S2将LED芯片固定在底板上，在LED芯片表面喷涂透明硅胶层之后贴附硅胶荧光膜贴；
S3在常温下将高温膜紧密贴附在硅胶荧光膜表面；
S4将贴附了高温膜的LED芯片置入第一装置中，所述第一装置顶部四周有用于放置白胶的凹槽及设于凹槽处的阀门；
S5将内置LED芯片的第一装置置入第二装置；
S6分别于第一装置和第二装置中抽真空，且第二装置中的真空压力大于第一装置中的真空压力；
S7将第一装置中的阀门打开，白胶在气压下从凹槽中流入底板，直到填满LED芯片之间的间隙；
S8加热固化，将高温膜去除，完成对LED芯片的封装。
进一步优选地，在步骤S1之后，还包括：S11根据LED芯片尺寸对硅胶荧光膜进行切割。
进一步优选地，步骤S12，根据LED芯片尺寸对硅胶荧光膜进行切割具体为：将硅胶荧光膜切割为单颗芯片大小。
进一步优选地，步骤S12，根据LED芯片尺寸对硅胶荧光膜进行切割具体为：将硅胶荧光膜切割为多颗芯片大小。
进一步优选地，第一装置和第二装置中分别装有用于监测装置内部气压的气压表。
进一步优选地，第二装置底部包括加热装置，用于对填充完白胶的LED芯片进行加热固化。
进一步优选地，在步骤S7之后还包括：S71将第二装置中的真空压力降至第一装置中真空压力，将填充完白胶的LED芯片置于第二装置中，使用加热装置对其进行加热。
本发明提供的LED芯片封装方法，其有益效果为：
在本发明提供的LED芯片封装方法中，首先将硅胶和荧光粉按照一定比例进行混合加热至半干之后得到硅胶荧光膜。随后将硅胶荧光膜进行切割，将硅胶荧光膜贴附在喷有透明硅胶层的LED芯片表面，并在硅胶荧光膜上贴高温膜。接着第一装置和第二装置之间的压差使第一装置顶部四周凹槽内的白胶覆盖整个陶瓷底板(包括LED芯片与LED芯片之间的缝隙)。最后将高温膜去除，完成对LED芯片的封装。保证了每颗LED芯片色温的一致性和白胶的平整度，使得到的封装出来的LED灯珠外观平整、美观。且本发明提供的LED车灯封装方法简单易行，不需要额外配备专用设备，节约成本。
附图说明
图1为本发明中LED芯片封装方法流程示意图。
具体实施方式
为了使本发明所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步的详细说明。
如图1所示为本发明提供的LED芯片封装方法流程示意图，从图中可以看出，在该LED芯片封装方法中包括：S1按照预设比例混合硅胶和荧光粉固化得到硅胶荧光膜；S2将LED芯片固定在底板上，在LED芯片表面喷涂透明硅胶层之后贴附硅胶荧光膜贴；S3在常温下将高温膜紧密贴附在硅胶荧光膜表面；S4将贴附了高温膜的LED芯片置入第一装置中，第一装置顶部四周有用于放置白胶的凹槽及设于凹槽处的阀门；S5将内置LED芯片的第一装置置入第二装置；S6分别于第一装置和第二装置中抽真空，且第二装置中的真空压力大于第一装置中的真空压力；S7将第一装置中的阀门打开，白胶在气压下从凹槽中流入底板，直到填满LED芯片之间的间隙；S8加热固化，将高温膜去除，完成对LED芯片的封装。
具体来说，在步骤S1中，硅胶和荧光粉的比例范围为1:0.2～3，根据色温的不同，该硅胶荧光膜的厚度可在10～100μm之间。在该过程中，将硅胶和荧光粉的混合物涂覆在一张支撑膜上，之后加热固化，并将固化好的硅胶荧光膜进行参数测试，包括测试色温、色坐标、亮度等参数。在一个实例中，将硅胶和荧光粉按照1:1进行混合，在支撑膜上涂覆20μm的厚度并加热固化。
在步骤S2中，将芯片固在陶瓷底板上，在LED芯片上喷一层透明硅胶之后将硅胶荧光膜贴在表面，并高温固化。更进一步来说，在这之前，还包括根据LED芯片尺寸对硅胶荧光膜进行切割的步骤。在切割的过程中，可以根据需求将硅胶荧光膜切割为单颗芯片大小，也可以将硅胶荧光膜切割为多颗芯片大小。在一个具体实例中，将硅胶荧光膜切割为45mil+0～2mil大小的膜片。将切割好的大小为45mil的倒装LED芯片固定在4英寸陶瓷底板上。要说明的是，在切割硅胶荧光膜的过程中，一般将硅胶荧光膜切割成与单颗LED芯片尺寸一样或稍大，或切割成与几个LED芯片连在一样大或稍大的尺寸。
在步骤S3中，在常温下将高温膜紧密贴附在硅胶荧光膜表面，这里的高温膜具体为，在常温下具有较高的粘性，可以紧密黏贴在LED芯片表面的硅胶荧光膜上；而在高温下，如150℃以上该高温膜不再具备粘性。
在步骤S4中，将贴附了高温膜的LED芯片置入第一装置中。具体，在该第一装置顶部四周有用于放置白胶的凹槽及设于凹槽处的阀门。在正常情况下，阀门关闭，白胶不能流入第一装置内；当需要白胶流入第一装置内部时，将阀门打开，白胶通过阀门处的通孔流入第一装置内。另外，由后续需要对该装置进行抽真空，故在该装置中还配有气压表，以便及时知晓其内部的气压。另外，白胶具体为含有TiO2、SiO2等的高反射率胶。
在步骤S6中，分别于第一装置和第二装置中抽真空。在抽真空的过程中，首先对第一装置进行抽真空直到预设的真空压力值，使得高温膜紧密贴合在硅胶荧光膜上，没有间隙。之后，在第二装置中抽真空，具体第二装置中的真空压力大于第一装置中的真空压力，第一装置和第二装置之间的压力差足以使第一装置凹槽内的白胶自动流入第一装置内部LED芯片的底板上，直到将各LED芯片的间隙填满。另外，为了及时查看第二装置的气压，在第二装置中同样配备了气压表。
在步骤S7中，将第一装置中的阀门打开，白胶在第一装置和第二装置之间的压力差从凹槽中流入底板，直到填满LED芯片之间的间隙，将第一装置中的阀门关闭。
在步骤S8中，加热固化，将高温膜去除，完成对LED芯片的封装。更具体来说，在这之前，还包括：将第二装置中的真空压力降至第一装置中真空压力或降至比第二装置中稍小，将填充完白胶的LED芯片从第一装置中拿出来，置于第二装置(第二装置底部包括加热装置)中，使用加热装置对其进行加热，确保白胶不会流动。
之后，将加热后的LED芯片从第二装置中取出，并在高温下使高温膜失去粘性，从而将高温膜取下来，再放入烘烤箱里烘烤。
最后，根据工艺需求，将填好白胶的LED芯片去测试，切割、分选、贴带、入库；或降LED芯片压膜之后，测试，切割、分选、贴带、入库。
以上所述，仅为本发明中的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉该技术的人在本发明所揭露的技术范围内，可轻易想到的变换或替换都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。