芯片级LED封装工艺的制作方法

本发明涉及一种半导体封装结构，尤其涉及一种芯片级LED封装工艺。

背景技术：

相比于传统的发光源，发光二极管(Light Emitting Diode，LED)具有重量轻、体积小、节能环保、发光效率高等优点，其作为一种新型的发光源，已经被越来越多地广泛应用于指示、显示、装饰、背光源、普通照明和城市夜景等领域。

现有的发光LED封装结构通常将封装胶体跟荧光粉混合，然后对芯片及导线进行封装。然而，由于封装胶体体积较大，如果都使用混合了荧光粉的胶体进行封装，容易导致浪费荧光粉并且使得荧光粉分布不均匀，容易出现出光不均匀等情况，导良品率低。

技术实现要素：

基于此，本发明提供一种制作简单、良品率高的芯片级LED封装工艺。

为了实现本发明的目的，本发明采用以下技术方案：

一种芯片级LED封装工艺，包括以下步骤：

步骤一，提供一陶瓷基板；

步骤二：提供若干芯片，均匀间隔放置在陶瓷基板上；

步骤三：提供一荧光膜片，覆盖在所述芯片上；

步骤四：对所述荧光膜片进行切割，分割成若干间隔设置的荧光膜片，各荧光膜片与芯片一一对应；各荧光膜片的外形尺寸大于所述芯片的外形尺寸；

步骤五：提供封装体，对所述芯片及荧光膜片进行封装；所述封装体围绕所述芯片及荧光膜片的四周并与荧光膜片的顶面平齐；

步骤六：切割出LED封装颗粒；切割后的陶瓷基板的边缘大于对应的荧光膜片的边缘。

在其中一个实施例中，所述步骤三中，所述荧光膜片为预制式荧光膜片。

在其中一个实施例中，所述荧光膜片的制作方法为：将荧光粉和粘结剂充分混合均匀，在模具里面涂成薄膜，然后在温度170°-220°下加热固化。

在其中一个实施例中，所述荧光膜片的制作方法为：先分别调胶、调荧光粉；然后以钢板或者玻璃作为载体一层荧光粉一层胶膜交替地堆叠到需要厚度；最后在温度170°-220°下加热固化得出所需的荧光膜片。

在其中一个实施例中，所述荧光膜片的厚度为0.09～0.45mm。

一种芯片级LED封装工艺，包括以下步骤：

步骤一，提供一陶瓷基板；该陶瓷基板为预设制作一个LED封装结构的尺寸；

步骤二：提供一芯片放置在陶瓷基板上；

步骤三：提供一荧光膜片，覆盖在所述芯片上；

步骤四：对所述荧光膜片进行切割，得出预设尺寸的荧光膜片，该荧光膜片的外形尺寸大于所述芯片的外形尺寸并小于所述陶瓷基板的外形尺寸；

步骤五：提供封装体，对所述芯片及荧光膜片进行封装；所述封装体围绕所述芯片及荧光膜片的四周并与荧光膜片的顶面平齐。

在其中一个实施例中，所述步骤三中，所述荧光膜片为预制式荧光膜片。

在其中一个实施例中，所述荧光膜片的制作方法为：将荧光粉和粘结剂充分混合均匀，在模具里面涂成薄膜，然后在温度170°-220°下加热固化。

在其中一个实施例中，所述荧光膜片的制作方法为：先分别调胶、调荧光粉；然后以钢板或者玻璃作为载体一层荧光粉一层胶膜交替地堆叠到需要厚度；最后在温度170°-220°下加热固化得出所需的荧光膜片。

在其中一个实施例中，所述荧光膜片的厚度为0.09～0.45mm。

本发明的芯片级LED封装工艺通过荧光膜片覆盖芯片的方式，避免了对整个封装体进行荧光粉混合处理，而荧光膜片单独制作可以有效地保证了荧光膜片的品质，提高了LED封装结构的光学性能。

附图说明

图1为本发明的一较佳实施例的芯片级LED封装工艺的步骤一的陶瓷基板的剖视结构示意图。

图2为本发明的芯片级LED封装工艺的步骤二的陶瓷基板放置芯片后的剖视结构示意图。

图3为本发明的芯片级LED封装工艺的步骤三的陶瓷基板及芯片上放置荧光膜片的剖视结构示意图。

图4为本发明的芯片级LED封装工艺的步骤四的剖视结构示意图。

图5为本发明的步骤五的LED封装结构的剖视结构示意图。

具体实施方式

为了便于理解本发明，下面将对本发明进行更全面的描述。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。

请参阅图1至图5，为本发明一较佳实施方式的芯片级LED封装工艺，包括以下步骤：

步骤一，提供一陶瓷基板10；该陶瓷基板10为大面积陶瓷基板，用于一次性制作多个LED封装结构；

步骤二：提供若干芯片20，均匀间隔放置在陶瓷基板10上；在本实施例中，所述芯片20呈矩形设置；

步骤三：提供一荧光膜片30a，覆盖在所述芯片20上；荧光膜片30a的厚度为0.09～0.45mm；

步骤四：对所述荧光膜片30a进行切割，分割成若干间隔设置的荧光膜片30，各荧光膜片30与芯片20一一对应；各荧光膜片30的外形尺寸大于所述芯片20的外形尺寸，即荧光膜片30的各边缘均超出芯片20的边缘；

步骤五：提供封装体40，对所述芯片20及荧光膜片30进行封装；具体地，所述封装体40围绕所述芯片20及荧光膜片30的四周并与荧光膜片30的顶面平齐；

步骤六：切割出LED封装颗粒；根据预设的尺寸对步骤五中完成封装的结构进行切割，切割后的陶瓷基板10的边缘大于对应的荧光膜片30的边缘。

在上述步骤三中，所述荧光膜片30a为预制式荧光膜片，其中一种制作方法为：将荧光粉和粘结剂充分混合均匀，在模具里面涂成薄膜，然后在温度170°-220°下加热固化；另一种制作方法为：先分别调胶、调荧光粉；然后以钢板或者玻璃作为载体一层荧光粉一层胶膜交替地堆叠到需要厚度；最后在温度170°-220°下加热固化得出所需的荧光膜片30a；第二种方法制出的荧光膜片30a，可以使得荧光膜片30a均匀分布，不会出现局部聚集的情况，大大地提高了出光的均匀度。

可以理解地，上述芯片级LED封装工艺是针对一次制作多个LED封装结构的情况；在其它实施例中，当单独制作一个LED封装结构时，该芯片级LED封装工艺，包括以下步骤：

步骤一，提供一陶瓷基板10；该陶瓷基板10为预设制作一个LED封装结构的尺寸；

步骤二：提供一芯片20放置在陶瓷基板10上；在本实施例中，所述芯片20呈矩形设置；

步骤三：提供一荧光膜片30a，覆盖在所述芯片20上；荧光膜片30a的厚度为0.09～0.45mm；

步骤四：对所述荧光膜片30a进行切割，得出预设尺寸的荧光膜片30，该荧光膜片30的外形尺寸大于所述芯片20的外形尺寸并小于所述陶瓷基板10的外形尺寸，即荧光膜片30的各边缘均超出芯片20的边缘而小于陶瓷基板10的边缘；

步骤五：提供封装体40，对所述芯片20及荧光膜片30进行封装；具体地，所述封装体40围绕所述芯片20及荧光膜片30的四周并与荧光膜片30的顶面平齐。

另外，可以理解地，所述陶瓷基板10上可设有对应芯片20的电极的导电柱。

本发明的芯片级LED封装工艺通过荧光膜片覆盖芯片的方式，避免了对整个封装体进行荧光粉混合处理，而荧光膜片单独制作可以有效地保证了荧光膜片30的品质，提高了LED封装结构的光学性能。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。