1.一种含有反射层的LED倒装芯片，包括衬底、N焊盘和P焊盘，其特征在于：
所述衬底自下至上依次层状叠加的设置有N型层、发光层、P型层、反射层和阻挡层，N型层、发光层、P型层、反射层和阻挡层采用蚀刻工艺露出衬底的上表面形成一沟槽，纵横设置的沟槽将衬底上的N型层、发光层、P型层、反射层和阻挡层分割成彼此相互绝缘独立的多个芯片；
所述芯片表面形成贯穿阻挡层、反射层、P型层、发光层且与N型层连通的N电极孔，所述N电极孔内采用溅射或蒸镀工艺形成与N型层导电连接的N引线电极；
所述芯片上层叠的阻挡层、反射层采用蒸镀及光刻工艺后与P型层上表面之间形成台阶；所述沟槽上侧外缘和N电极孔上侧外缘的P型层与阻挡层之间还采用溅射或蒸镀工艺形成环状布设的反射圈带，或者沟槽外缘和N电极孔外缘的P型层与阻挡层之间、以及N电极孔与N引线电极之间所形成的间隙中和整个沟槽内表面形成一体采用溅射或蒸镀工艺环状布设的反射圈带；所述P型层上侧的反射圈带和阻挡层包裹覆盖整个反射层四周侧壁面以及上表面；
所述沟槽的表面、所述N电极孔与N引线电极之间所形成的间隙、N引线电极的上表面、反射圈带的外表面以及阻挡层的外表面采用溅射或喷涂工艺覆盖有一层便于相互绝缘的第一绝缘层，所述第一绝缘层上表面采用光刻和蚀刻技术开设有与N引线电极上表面贯通的N型接触孔，所述第一绝缘层上表面采用光刻和蚀刻技术还开设有与通过阻挡层和反射层与P型层上表面导通的P型接触孔；
所述N焊盘通过第一绝缘层设置的N型接触孔与N引线电极导电连接，所述P焊盘通过第一绝缘层设置的P型接触孔与P型层导电连接，所述P焊盘与N焊盘之间采用印刷和电镀技术相互绝缘。
2.根据权利要求1所述的一种含有反射层的LED倒装芯片，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底，所述N型层为N型氮化镓层，所述P型层为P型氮化镓层。
3.根据权利要求1所述的一种含有反射层的LED倒装芯片，其特征在于，所述芯片表面设置有一个N电极孔或均匀分布有至少两个N电极孔。
4.根据权利要求1所述的一种含有反射层的LED倒装芯片，其特征在于，所述N引线电极为圆柱形状或条柱形状。
5.根据权利要求1所述的一种含有反射层的LED倒装芯片，其特征在于，所述反射圈带为具有绝缘性质的布拉格反射层DBR。