技术总结
本实用新型提供了高压半导体功率器件，包括硅衬底、氧化硅薄膜层、介质层、金属层、氮化硅薄膜层和聚酰亚胺保护层；聚酰亚胺保护层通过丝网印刷淀积在金属层或者氮化硅薄膜层上。与现有技术相比，本实用新型提供的一种高压半导体功率器件，应用于高温高压环境时具有稳定的击穿特性和漏电流。
技术研发人员：何延强;吴迪;刘钺杨;金锐;温家良;潘艳
受保护的技术使用者：全球能源互联网研究院;国家电网公司;国网河北省电力公司
文档号码：201620919433
技术研发日：2016.08.23
技术公布日：2017.02.22