一种蓝宝石晶片的退火治具的制作方法

本实用新型属于蓝宝石加工技术领域，尤其涉及一种蓝宝石晶片的退火治具。

（二）

背景技术：

蓝宝石具有优异的机械、化学、光学、电学等综合性能，被广泛应用于耐高温器件、特种窗口、光学系统、微电子、光电子等方面，成为现代工业中重要的基础材料。近年来，蓝宝石更是引起了人们极大的关注，除了已经大量用作氮化镓基蓝光LED的衬底外，消费类电子方面也显示出广阔的市场前景。

蓝宝石晶体在生长和晶片加工过程中，内部都会有应力存在，使蓝宝石的光学、机械等性能发生变化。因此，通常在使用前需要对蓝宝石晶片进行退火处理，以最大限度的降低蓝宝石晶片的应力。目前，常用的方式是将蓝宝石晶片堆垛在一起进行退火处理。这种方式存在一定的问题：蓝宝石导热能力不强，堆垛过多晶片会导致晶片周边与内部及外层与内层晶片受热不均匀，退火效果一致性差。尤其对于大尺寸、有棱角的晶片，甚至可能导致晶片碎裂。而如果采用将晶片单独悬挂后再进行退火处理的方式，退火效率又太低。因此，有必要设计开发出一种高效、实用的蓝宝石晶片退火治具。

（三）

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种针对现有蓝宝石晶片，尤其是大尺寸蓝宝石晶片在退火过程中受热不均匀的问题，具有高效率、高成品率、高稳定性、低成本等特点的蓝宝石晶片的退火治具。

本实用新型的目的是这样实现的：该治具采用耐高温陶瓷制成（如氧化铝、氧化锆等），包括如下部件：

(1) 底座：底座的下表面为水平面，底座的上表面为波浪式结构，波浪式结构中均匀分布着横、纵向排列规整的凹槽；

(2) 隔离立柱：隔离立柱为可拆卸结构。立柱的横截面积与底座上表面波浪式结构中的凹槽的横截面积一致，隔离立柱的四条棱边均采取了倒角处理；

(3) 隔层结构：隔层结构上、下表面均可插入横、纵向排列均匀的隔离立柱，隔层结构底部凹槽的位置与底座顶部凹槽的位置相对应。

本实用新型的有益效果在于：

(1) 整个治具所有部件均采用耐高温陶瓷，可避免高温退火过程中治具材料的挥发导致晶片受污染；

(2) 通过采用波浪式结构和四棱倒角的隔离立柱，尽可能减少晶片与退火治具间的接触面积，可有效避免晶片在退火过程中受热不均匀的问题，避免大尺寸晶片退火过程发生碎裂；

(3) 通过采用隔层结构，可显著增加退火炉内空间的使用率，大幅提高晶片的退火效率；

(4) 可根据退火晶片的尺寸，灵活选择合适高度的隔离立柱及隔离层数，尽可能的增加单炉退火晶片数量，提高退火效率。

（四）附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为图1的俯视图。

（五）具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图和实施例对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

结合图1，本实施例治具包括：

底座：底座1与退火炉接触的下表面为平面，底座1的上表面为波浪式结构，波浪式上表面中均匀分布着深度相同的横、纵向排布的凹槽结构，凹槽的截面尺寸为10mm×10mm；

隔层结构：隔层结构2的下表面和上表面均为波浪式结构，且上、下部表面均分布有横、竖排布均匀的凹槽，隔层结构中上、下部表面凹槽的位置与底座1顶部凹槽的位置一一对应；

隔离立柱：隔离立柱3一端插入底座1上表面的凹槽结构中，另一端插入隔层结构2下部表面的凹槽中，隔离立柱3的截面尺寸与底座1凹坑的截面尺寸相同，隔离立柱的四条棱边均进行倒角处理。

以上内容是结合具体的优选实施方式对本实用新型所做的进一步详细说明，不能认定本实用新型的具体实施只限于这些说明。对于具有本实用新型所属领域基础知识的人员来讲，可以很容易对本实用新型进行变更和修改，这些变更和修改都应当视为属于本实用新型所提交的权利要求书确定的专利保护范围。