1.一种倒装高压LED芯片，包括：
衬底；
发光微结构，所述发光微结构包括位于所述衬底表面的N型氮化镓层，位于所述N型氮化镓层表面的有源层和N型电极，位于所述有源层表面的P型氮化镓层，位于所述P型氮化镓层表面的金属反射层，位于所述金属反射层表面的P型电极, N型电极与P型电极之间相互绝缘；
连接电极，所述连接电极将相连的发光微结构的N型电极和P型电极导电连接形成串联结构；
分布布拉格反射层，所述分布布拉格反射层覆盖在所述发光微结构表面、且延伸覆盖至所述衬底表面；
N型焊盘，所述N型焊盘位于在所述分布布拉格反射层表面形，且与所述N型电极连接；
P型焊盘，所述P型焊盘位于在所述分布布拉格反射层表面形，且与所述P型电极连接。
2.根据权利要求1所述的倒装高压LED芯片，其特征在于，所述发光微结构为梯形结构。
3.根据权利要求1所述的倒装高压LED芯片，所述发光微结构具有预设区域即为形成所述N型电极的区域，其中，N型电极的面积小于预设区域的面积，避免N型电极与有源层、P型氮化镓层等叠层接触。
4.根据权利要求1所述的倒装高压LED芯片，在所述分布布拉格反射层对应所述N型电极的区域内形成一导电通孔，而后通过所述导电通孔的两端分别连接所述N型电极和所述N型焊盘，以使所述N型电极与所述N型焊盘电连接；同样的，在所述分布布拉格反射层对应所述P型电极的区域内形成一导电通孔，而后通过所述导电通孔的两端分别连接第所述P型电极和所述P型焊盘，以使所述P型电极与所述P型焊盘电连接。
5.根据权利要求1所述的倒装高压LED芯片，所述分布布拉格反射层具有高钝化性能和高反射性能。