一种倒装高压LED芯片的制作方法

技术总结
本实用新型公开了一种倒装高压LED芯片，在发光微结构表面形成分布布拉格反射层，一方面将有源区发出的光反射回芯片的正面，提高芯片的出光效率，另一方面将N型电极、P型电极和N型焊盘、P型焊盘隔绝起来，起到良好的钝化保护作用。

技术研发人员：何键云
受保护的技术使用者：佛山市国星半导体技术有限公司
文档号码：201621056898
技术研发日：2016.09.18
技术公布日：2017.06.20