1.一种集成栅电阻并带有检测栅电阻功能的IGBT版图结构，其特征在于：包括：
有源区连接金属(4)；
栅极信号连接金属(3)，所述栅极信号连接金属(3)环绕在所述有源区连接金属(4)的外围；
栅极多晶硅(1)，所述栅极多晶硅(1)位于所述栅极信号连接金属(3)的上表面且环绕在所述有源区连接金属(4)的外围；
栅极多晶硅连接孔(2)，所述栅极多晶硅连接孔(2)位于所述栅极多晶硅(1)的上表面且环绕在所述有源区连接金属(4)的外围，所述栅极多晶硅连接孔(2)和栅极信号连接金属(3)在同一位置断开形成第一断口(5)，栅极信号通过中间层的栅极多晶硅(1)连接，第一断口(5)处的栅极多晶硅(1)形成栅电阻。
2.根据权利要求1所述的集成栅电阻并带有检测栅电阻功能的IGBT版图结构，其特征在于：所述IGBT版图结构还包括栅电阻检测区，所述栅电阻检测区包括栅电阻测试金属层(10)、位于栅电阻测试金属层(10)上的环形栅极多晶硅(11)和位于环形栅极多晶硅(11)上的环形多晶硅连接孔(12)，所述环形栅极多晶硅(11)与所述栅极多晶硅(1)相连，所述环形多晶硅连接孔(12)和栅极多晶硅连接孔(2)通过延伸孔相连，所述栅电阻测试金属层(10)与栅极信号连接金属(3)通过延伸金属相连，所述延伸孔和延伸金属在同一位置处形成第二断口(6)，所述第二断口(6)与所述第一断口(5)的宽度相同。
3.根据权利要求2所述的集成栅电阻并带有检测栅电阻功能的IGBT版图结构，其特征在于：所述栅极信号连接金属(3)、栅极多晶硅(1)和栅极多晶硅连接孔(2)在同一位置处朝向所述有源区连接金属(4)弯曲，弯曲形成的凹陷区内的栅极信号连接金属(3)作为第一测试点(9)，所述环形栅极多晶硅(11)内圈的栅电阻测试金属层(10)作为第二测试点(8)。