技术总结
本实用新型涉及IGBT器件制造技术领域，尤其是一种集成栅电阻并带有检测栅电阻功能的IGBT版图结构，包括与发射极电连接的有源区连接金属、与栅极电连接的栅极信号连接金属、栅极多晶硅和栅极多晶硅连接孔。本实用新型的栅极多晶硅连接孔和栅极信号连接金属在同一位置断开形成第一断口，栅极信号通过中间层的栅极多晶硅连接，由于多晶硅的电阻较高，第一断口处的栅极多晶硅形成栅电阻，这样就相当于串联了一个栅电阻，栅电阻的大小可以通过栅极多晶硅的参杂和第一断口的长度来调节，可调性较高，IGBT在使用时栅电阻可以消除栅极振荡。
技术研发人员：徐承福;白玉明;张海涛
受保护的技术使用者：无锡同方微电子有限公司
文档号码：201621232443
技术研发日：2016.11.17
技术公布日：2017.06.13