半导体装置及方法与流程

技术特征：

技术总结
本揭露实施例涉及一种半导体装置及方法。所述半导体装置包含晶体管。所述晶体管包含：有源区，在衬底中；图案化导电层，是互连层的一部分，所述互连层用于路由；和绝缘层，延伸在所述衬底上方且用以将所述有源区与所述图案化导电层绝缘。所述图案化导电层和所述绝缘层充当所述晶体管的栅极。

技术研发人员：陈奕升;郑光茗;范富杰;高荣辉;陈奕寰;林国树
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2017.01.26
技术公布日：2017.08.08