技术总结
本发明公开了一种超级电容器用锰钴镍基电极的制备方法，该工艺通过将天然鳞片石墨经过低温、中温和高温三步氧化处理制成氧化石墨烯，再通过沉淀法将锰钴成分与氧化石墨烯反应制成锰钴复合石墨烯材料，最后通过加压压片技术将活性材料涂布在镍基底电极上，制成超级电容器用锰钴镍基电极。制备而成的超级电容器用锰钴镍基电极,其性能稳定、导电性良好、电容扩充能力强，另外该制备工艺环保低耗，安全易行，具有较好的工业化应用前景。同时还公开了由该制备工艺制得的超级电容器用锰钴镍基电极在真空开关、智能器、静态存储器、程控交换机等精密仪器后备电源中应用。
技术研发人员：黄啸谷;张其土
受保护的技术使用者：苏州海凌达电子科技有限公司
文档号码：201710152353
技术研发日：2017.03.15
技术公布日：2017.06.09