本发明涉及一种芯片封装领域，尤其涉及一种多芯片整合封装方法。
背景技术：
目前，市场对封装产品功能多样化及单颗芯片功能要求越来越高，想要实现客户此类要求，需要设计公司对原片进行重新设计，使得单颗芯片具备多种功能，不仅设计成本较高，从设计到试产周期太长，且还需要不断优化，不能满足高速发展变化的时长需求。鉴于以上缺陷，实有必要设计一种多芯片整合封装方法。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种多芯片整合封装方法，能将多颗功能芯片进行整合封装，且生产周期短，成本低。
为解决上述技术问题，本发明的技术方案是：一种多芯片整合封装方法，该方法包括以下步骤：
1)芯片布置：根据多块功能芯片按功能及尺寸，确定芯片布置方式，所述的芯片布置方式为水平方向水平布置、竖直方向堆叠布置中的一种或多种组合；
2)装片固化：根据步骤1)选定的芯片布置方式，将各功能芯片依次进行装片，直到所有功能芯片装完后送入烘箱内进行烘烤固化，所述烘箱烘干温度为173℃-175℃，烘干时间为2.5h；
3)布线：将步骤2)装片固化后的功能芯片放置于键合加热平台上端，对功能芯片进行自动植球，植球后使用劈刀进行反向切球，将所植的点焊球顶面做出一个反向切面平台，使用键合丝将该反向切面平台依次互联，将各功能芯片导通，当连接两反向切面平台的键合丝长度大于2000微米而小于3000微米时，在键合丝的中心处设置多折点结构；当连接两反向切面平台的键合丝长度大于3000微米而小于6000微米时，在键合丝的1/3处、2/3处设置多折点结构，用于避免漂移及塌线，所述的键合丝材质为纯铜，直径为20-25微米；
4)塑封：将步骤3)完成布线的功能芯片放置于模具内，使用塑封料进行塑封制得半成品，并在180℃-182℃条件下保持90s，以消除半成品内部应力；
5)电镀：将步骤4)制得的半成品引脚进行电镀纯锡；
6)切筋成型：使用剪切机将经步骤5)电镀后的半成品按规定尺寸切开制得成品；
7)包装：使用自动测试机对步骤6)制得的成品进行电性检测后进行自动包装即可。
本发明进一步的改进如下：
进一步的，所述步骤3)中键合加热平台加热温度为230℃-235℃。
本发明有益效果：该方法能将不同功能芯片进行组合并封装于单颗芯片内，短时间最大效果满足不同市场客户需求，缩减了设计环节，增加了单颗芯片集成化能力，且缩短生产周期，降低设计成本费用。
附图说明
图1示出本发明主视图
具体实施方式
实施例1
如图1所示，一种多芯片整合封装方法，该方法包括以下步骤：
1)芯片布置：根据多块功能芯片按功能及尺寸，确定芯片布置方式，所述的芯片布置方式为水平方向水平布置、竖直方向堆叠布置中的一种或多种组合；
2)装片固化：根据步骤1)选定的芯片布置方式，将各功能芯片依次进行装片，直到所有功能芯片装完后送入烘箱内进行烘烤固化，所述烘箱烘干温度为175℃，烘干时间为2.5h；
3)布线：将步骤2)装片固化后的功能芯片放置于键合加热平台上端，对功能芯片进行自动植球，植球后使用劈刀进行反向切球，将所植的点焊球顶面做出一个反向切面平台，使用键合丝将该反向切面平台依次互联，将各功能芯片导通，当连接两反向切面平台的键合丝长度大于2000微米而小于3000微米时，在键合丝的中心处设置多折点结构；当连接两反向切面平台的键合丝长度大于3000微米而小于6000微米时，在键合丝的1/3处、2/3处设置多折点结构，用于避免漂移及塌线，所述的键合丝材质为纯铜，直径为25微米；
4)塑封：将步骤3)完成布线的功能芯片放置于模具内，使用塑封料进行塑封制得半成品，并在182℃条件下保持90s，以消除半成品内部应力；
5)电镀：将步骤4)制得的半成品引脚进行电镀纯锡；
6)切筋成型：使用剪切机将经步骤5)电镀后的半成品按规定尺寸切开制得成品；
7)包装：使用自动测试机对步骤6)制得的成品进行电性检测后进行自动包装即可。
本发明所述步骤3)中键合加热平台加热温度为235℃。
实施例2
如图1所示，一种多芯片整合封装方法，该方法包括以下步骤：
1)芯片布置：根据多块功能芯片按功能及尺寸，确定芯片布置方式，所述的芯片布置方式为水平方向水平布置、竖直方向堆叠布置中的一种或多种组合；
2)装片固化：根据步骤1)选定的芯片布置方式，将各功能芯片依次进行装片，直到所有功能芯片装完后送入烘箱内进行烘烤固化，所述烘箱烘干温度为173℃，烘干时间为2.5h；
3)布线：将步骤2)装片固化后的功能芯片放置于键合加热平台上端，对功能芯片进行自动植球，植球后使用劈刀进行反向切球，将所植的点焊球顶面做出一个反向切面平台，使用键合丝将该反向切面平台依次互联，将各功能芯片导通，当连接两反向切面平台的键合丝长度大于2000微米而小于3000微米时，在键合丝的中心处设置多折点结构；当连接两反向切面平台的键合丝长度大于3000微米而小于6000微米时，在键合丝的1/3处、2/3处设置多折点结构，用于避免漂移及塌线，所述的键合丝材质为纯铜，直径为20微米；
4)塑封：将步骤3)完成布线的功能芯片放置于模具内，使用塑封料进行塑封制得半成品，并在180℃条件下保持90s，以消除半成品内部应力；
5)电镀：将步骤4)制得的半成品引脚进行电镀纯锡；
6)切筋成型：使用剪切机将经步骤5)电镀后的半成品按规定尺寸切开制得成品；
7)包装：使用自动测试机对步骤6)制得的成品进行电性检测后进行自动包装即可。
本发明所述步骤3)中键合加热平台加热温度为230℃。
实施例3
如图1所示，一种多芯片整合封装方法，该方法包括以下步骤：
1)芯片布置：根据多块功能芯片按功能及尺寸，确定芯片布置方式，所述的芯片布置方式为水平方向水平布置、竖直方向堆叠布置中的一种或多种组合；
2)装片固化：根据步骤1)选定的芯片布置方式，将各功能芯片依次进行装片，直到所有功能芯片装完后送入烘箱内进行烘烤固化，所述烘箱烘干温度为174℃，烘干时间为2.5h；
3)布线：将步骤2)装片固化后的功能芯片放置于键合加热平台上端，对功能芯片进行自动植球，植球后使用劈刀进行反向切球，将所植的点焊球顶面做出一个反向切面平台，使用键合丝将该反向切面平台依次互联，将各功能芯片导通，当连接两反向切面平台的键合丝长度大于2000微米而小于3000微米时，在键合丝的中心处设置多折点结构；当连接两反向切面平台的键合丝长度大于3000微米而小于6000微米时，在键合丝的1/3处、2/3处设置多折点结构，用于避免漂移及塌线，所述的键合丝材质为纯铜，直径为23微米；
4)塑封：将步骤3)完成布线的功能芯片放置于模具内，使用塑封料进行塑封制得半成品，并在181℃条件下保持90s，以消除半成品内部应力；
5)电镀：将步骤4)制得的半成品引脚进行电镀纯锡；
6)切筋成型：使用剪切机将经步骤5)电镀后的半成品按规定尺寸切开制得成品；
7)包装：使用自动测试机对步骤6)制得的成品进行电性检测后进行自动包装即可。
本发明所述步骤3)中键合加热平台加热温度为233℃。
本发明不局限于上述具体的实施方式，本领域的普通技术人员从上述构思出发，不经过创造性的劳动，所做出的种种变换，均落在本发明的保护范围之内。