1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1、提供一衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上涂布一层黑色光阻材料，经曝光显影后，得到黑色矩阵(20)；然后在黑色矩阵(20)、及衬底基板(10)上沉积形成隔离层(30)；
步骤S2、在所述隔离层(30)上依次沉积第二金属层(40’)、及离子掺杂非晶硅层(51’)，对所述第二金属层(40’)、及离子掺杂非晶硅层(50’)进行图案化处理，由所述第二金属层(40’)得到间隔的源极(41)和漏极(42)，由所述离子掺杂非晶硅层(51’)得到位于所述源极(41)和漏极(42)上的欧姆接触层(51)，所述欧姆接触层(51)的尺寸小于所述源极(41)和漏极(42)的尺寸而露出所述漏极(42)的部分上表面；
步骤S3、在经过步骤S2的衬底基板(10)上沉积透明导电膜，对所述透明导电膜进行图案化处理，得到像素电极(60)，所述像素电极(60)位于所述漏极(42)、及隔离层(30)上，与所述欧姆接触层(51)露出的漏极(42)相接触；
步骤S4、在经过步骤S3的衬底基板(10)上沉积非晶硅层(52’)，对所述非晶硅层(52’)进行图案化处理，得到半导体层(52)，所述半导体层(52)位于所述欧姆接触层(51)、及隔离层(30)上，与所述欧姆接触层(51)共同构成有源层(50)；
步骤S5、在经过步骤S4的衬底基板(10)上依次沉积栅极绝缘层(70)、第一金属层(80’)，对所述第一金属层(80’)进行图案化处理，得到对应位于所述有源层(50)上方的栅极(80)；
步骤S6、在所述栅极绝缘层(70)、及栅极(80)上沉积钝化层(90)；
步骤S7、在所述钝化层(90)上形成彩色滤光膜层(95)。
2.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S2中对所述第二金属层(40’)、及离子掺杂非晶硅层(51’)采用一道光罩进行图案化处理，其具体过程为：在所述离子掺杂非晶硅层(51’)上涂布光阻材料，使用所述光罩对该光阻材料进行曝光显影后，得到光阻层，以该光阻层为遮蔽层，首先对所述离子掺杂非晶硅层(51’)进行干法蚀刻，得到欧姆接触层(51)，然后对所述第二金属层(40’)进行湿法蚀刻，得到源极(41)和漏极(42)。
3.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述离子掺杂非晶硅层(51’)与所述非晶硅层(52’)均采用化学气相沉积法制备；
所述离子掺杂非晶硅层(51’)与所述非晶硅层(52’)在制备方法上的区别为：沉积所述离子掺杂非晶硅层(51’)时在化学气相沉积过程中通入硼烷气体。
4.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述隔离层(30)、栅极绝缘层(70)、及钝化层(90)均采用化学气相沉积法制备；
所述隔离层(30)、栅极绝缘层(70)、及钝化层(90)均为氮化硅层、氧化硅层、或氮化硅层与氧化硅层的堆栈组合。
5.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第二金属层(40’)与所述第一金属层(80’)均采用物理气相沉积法制备；
所述第二金属层(40’)与所述第一金属层(80’)的材料均为钼、铝、铜、钛中的一种或多种。
6.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板(10)、设于所述衬底基板(10)上的黑色矩阵(20)、设于所述黑色矩阵(20)、及衬底基板(10)上的隔离层(30)、设于所述隔离层(30)上的间隔的源极(41)和漏极(42)、设于所述源极(41)和漏极(42)上的欧姆接触层(51)、设于所述漏极(42)、及隔离层(30)上的像素电极(60)、设于所述欧姆接触层(51)、及隔离层(30)上的半导体层(52)、设于所述像素电极(60)、半导体层(52)、及隔离层(30)上的栅极绝缘层(70)、设于所述栅极绝缘层(70)上的栅极(80)、设于所述栅极绝缘层(70)、及栅极(80)上的钝化层(90)、以及设于所述钝化层(90)上的彩色滤光膜层(95)；
其中，所述欧姆接触层(51)的尺寸小于所述源极(41)和漏极(42)的尺寸而露出所述漏极(42)的部分上表面；所述像素电极(60)与所述欧姆接触层(51)露出的漏极(42)相接触；所述半导体层(52)与所述欧姆接触层(51)分别通过非晶硅材料层和离子掺杂非晶硅材料层形成，所述半导体层(52)与所述欧姆接触层(51)共同构成有源层(50)。
7.如权利要求6所示的阵列基板，其特征在于，所述欧姆接触层(51)与所述源极(41)和漏极(42)通过一道光罩经图案化处理形成，其中所述欧姆接触层(51)通过干法蚀刻形成，所述源极(41)和漏极(42)通过湿法蚀刻形成。
8.如权利要求6所示的阵列基板，其特征在于，所述欧姆接触层(51)与所述半导体层(52)均采用化学气相沉积法制备；
所述欧姆接触层(51)与所述半导体层(52)在制备方法上的区别为：制备所述欧姆接触层(51)时在化学气相沉积过程中通入硼烷气体。
9.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述隔离层(30)、栅极绝缘层(70)、及钝化层(90)均采用化学气相沉积法制备；
所述隔离层(30)、栅极绝缘层(70)、及钝化层(90)均为氮化硅层、氧化硅层、或氮化硅层与氧化硅层的堆栈组合。
10.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述源极(41)、漏极(42)、及栅极(80)均采用物理气相沉积法制备；
所述源极(41)、漏极(42)、及栅极(80)的材料均为钼、铝、铜、钛中的一种或多种。