技术特征：
技术总结
本发明涉及一种功率半导体器件及其制造方法。所述功率半导体器件的制造方法包括进行源区注入的步骤，所述进行源区注入的步骤中的源区光刻胶包括第一结构和第二结构，所述第一结构由多个朝第一方向延伸、沿第二方向排列的图案组成，所述第二结构沿所述第二方向延伸从而连接各所述图案，所述第一方向为所述功率半导体器件栅极之间的间距方向，所述第二方向垂直于所述第一方向。本发明能大幅地增大器件的雪崩耐量。
技术研发人员：李学会
受保护的技术使用者：深圳深爱半导体股份有限公司
技术研发日：2017.03.24
技术公布日：2017.07.14