技术特征：
技术总结
本发明公开了一种LED倒装芯片，包括LED倒装芯片主体，于LED倒装芯片主体焊接面的P型导电区域和N型导电区域和倒装芯片主体非焊接面区域均覆盖有ODR结构，ODR结构采用全角度反射萃取出光；ODR结构包括发光层和于发光层上依次堆叠的DBR反射层或第一绝缘层、金属反射层、第二绝缘层。该LED倒装芯片采用ODR结构进行全角度反射萃取出光，与现有技术的倒装芯片结构相比，本发明的LED倒装芯片对芯片的非焊接面和传统非出光的焊接面的P型导电区域和N型导电区域均产生光反射，能全面和全角度产生反射出光，发光效率更高，导电导热效果更好，同时反射金属层与电极层可以一起加工制作，工艺简单可行。
技术研发人员：吴懿平;夏卫生;陈亮;区燕杰
受保护的技术使用者：珠海市一芯半导体科技有限公司
技术研发日：2017.05.08
技术公布日：2017.08.01