利用定向自组装的垂直纳米线晶体管沟道和栅极的图案化的制作方法

技术特征：

技术总结
本发明描述了定向自组装(DSA)材料或二嵌段共聚物，其可能基于一次光刻操作来对最终限定垂直纳米线晶体管的沟道区和栅极电极的特征进行图案化。在实施例中，DSA材料被约束在使用常规光刻技术进行图案化的引导开口内。在实施例中，沟道区和栅极电极材料对准到DSA材料内的分离的区域的边缘。

技术研发人员：P·A·尼许斯;S·希瓦库马
受保护的技术使用者：英特尔公司
技术研发日：2013.06.20
技术公布日：2017.11.07