技术特征：
技术总结
本公开涉及一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：衬底，包括辐射感测单元，所述衬底具有接收入射辐射的第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；以及第一绝缘层，位于所述衬底的第二表面之上，所述第一绝缘层包括与辐射感测单元对应的侧面开口，在俯视图中所述侧面开口位于所述辐射感测单元的至少一侧；以及阻挡件，位于所述侧面开口中，所述阻挡件包括辐射吸收材料或者辐射反射材料。
技术研发人员：武海亮;陈世杰;穆钰平;黄晓橹
受保护的技术使用者：德淮半导体有限公司
技术研发日：2017.09.25
技术公布日：2018.01.26