技术特征：
技术总结
本申请公开了功率半导体器件及其制造方法。该方法包括：在半导体衬底中形成多个沟槽，所述多个沟槽包括分别位于所述半导体衬底的第一区域至第三区域的第一至第三沟槽；在所述第一沟槽和所述第二沟槽中形成分裂栅结构；在所述第三沟槽中形成屏蔽布线；在所述半导体衬底中体区；在所述体区中形成源区；以及形成分别与所述源区、源极导体和屏蔽布线电连接的源极电极、栅极电极和屏蔽电极,其中，在所述第三沟槽上部形成隔离层，所述屏蔽电极经由穿过所述隔离层的接触孔到达所述屏蔽布线。该方法利用独立引出电极的屏蔽布线改善电荷平衡效果，并且采用隔离层使得不同区域的分裂栅结构和屏蔽布线可以在公共的步骤中形成，从而降低制造成本。
技术研发人员：杨彦涛;徐丹;陈琛
受保护的技术使用者：杭州士兰集成电路有限公司
技术研发日：2017.11.17
技术公布日：2018.04.13