沟槽型联栅晶体管及其制作方法与流程

技术特征：

1.一种沟槽型联栅晶体管的制作方法，其特征在于：所述制作方法包括以下步骤：

提供N型衬底，在所述N型衬底上形成N型外延层，在所述N型外延层表面形成P型基区，形成贯穿所述P型基区的多个沟槽，在所述多个沟槽内壁形成P型高掺杂区，在所述P型基区及所述P型高掺杂表面形成TEOS氧化层；

利用光刻胶对所述TEOS氧化层进行刻蚀，从而在所述TEOS氧化层中形成贯穿且对应所述P型基区的开口；

去除所述光刻胶，在所述TEOS氧化层上及所述开口处的P型基区上形成多晶硅，所述多晶硅具有N型杂质；

对所述多晶硅进行平坦化技术，从而去除沟槽外侧的部分多晶硅，使得所述沟槽中与所述开口中的多晶硅被保留；

对所述多晶硅中的N型杂质进行激活与推进，使得所述N型杂质扩散至所述P型基区表面，从而在所述P型基区的表面形成N型区域；

使用光刻胶进行刻蚀去除所述P型高掺杂区上的部分TEOS氧化层；

在所述TEOS氧化层、所述P型高掺杂区及所述多晶硅上形成正面金属，在所述N型衬底远离所述N型外延层一侧形成背面金属。

2.如权利要求1所述的沟槽型联栅晶体管的制作方法，其特征在于：所述P型基区的注入元素为B，注入剂量一般在每平方厘米1的14次方到每平方厘米1的15次方之间，注入能量在50Kev-200Kev之间。

3.如权利要求1所述的沟槽型联栅晶体管的制作方法，其特征在于：所述沟槽的宽度在3um至10um的范围内，深度在2um至10um的范围内。

4.如权利要求1所述的沟槽型联栅晶体管的制作方法，其特征在于：所述P型高掺杂区的形成包括对所述沟槽底部及侧壁进行P型掺杂及对P型杂质进行推进的步骤，其中对所述侧壁的注入剂量小于对所述底部的注入剂量的一半，所述推进温度在1000摄氏度至1200摄氏度的范围内，推进氧化时间在1小时至6小时的范围内，进行推进后，所述沟槽底部的P型高掺杂区的结深在2um至10um的范围内，所述沟槽侧壁的结深在1.5um至7.5um的范围内，所述P型基区的浓度小于所述P型高掺杂区的浓度，推进完成后，所述P型基区的结深一般在1um至4um的范围内。

5.如权利要求1所述的沟槽型联栅晶体管的制作方法，其特征在于：所述TEOS氧化层采用LPCVD的方式生长而成，厚度在3000埃至8000埃的范围内。

6.如权利要求1所述的沟槽型联栅晶体管的制作方法，其特征在于：所述多晶硅采用LPCVD方式生长而成，所述多晶硅的厚度大于所述沟槽宽度的一半，使得所述沟槽被填满；所述多晶硅的生长厚度在2um至7um的范围内；所述多晶硅的N型杂质包括P，掺杂气体包括磷化氢PH3。

7.如权利要求1所述的沟槽型联栅晶体管的制作方法，其特征在于：去除沟槽外侧的部分多晶硅的步骤包括：采用化学机械平坦化技术或回刻蚀去除所述沟槽外侧的部分多晶硅。

8.如权利要求1所述的沟槽型联栅晶体管的制作方法，其特征在于：所述制作方法还包括在形成所述背面金属前的背面减薄步骤。

9.如权利要求1所述的沟槽型联栅晶体管的制作方法，其特征在于：所述N型衬底为N型高掺杂衬底，所述N型外延层为N型低掺杂外延层。

10.一种沟槽型联栅晶体管，其特征在于：所述沟槽型联栅晶体管包括N型衬底、在所述N型衬底上形成的N型外延层、在所述N型外延层表面形成的P型基区、贯穿所述P型基区的多个沟槽、在所述多个沟槽内壁形成的P型高掺杂区、在所述P型基区及所述P型高掺杂表面形成的TEOS氧化层、贯穿所述TEOS氧化层且对应所述P型基区的开口、形成于所述沟槽中与所述开口中的多晶硅、在所述P型基区的表面形成的N型区域、在所述TEOS氧化层、所述P型高掺杂区及所述多晶硅上形成的正面金属、及在所述N型衬底远离所述N型外延层一侧形成的背面金属。