技术总结
本发明涉及一种沟槽型联栅晶体管及其制作方法。所述沟槽型联栅晶体管包括N型衬底、在所述N型衬底上形成的N型外延层、在所述N型外延层表面形成的P型基区、贯穿所述P型基区的多个沟槽、在所述多个沟槽内壁形成的P型高掺杂区、在所述P型基区及所述P型高掺杂表面形成的TEOS氧化层、贯穿所述TEOS氧化层且对应所述P型基区的开口、形成于所述沟槽中与所述开口中的多晶硅、在所述P型基区的表面形成的N型区域、在所述TEOS氧化层、所述P型高掺杂区及所述多晶硅上形成的正面金属、及在所述N型衬底远离所述N型外延层一侧形成的背面金属。
技术研发人员：不公告发明人
受保护的技术使用者：深圳市晶特智造科技有限公司
技术研发日：2017.12.25
技术公布日：2018.06.12