多层基板的制作方法

本实用新型涉及由绝缘基材层叠而成的多层基板，特别涉及线圈被图案形成在绝缘基材的多层基板。

背景技术：

作为具备线圈的多层基板的一个例子，存在线圈被图案形成在多个绝缘基材的多层基板(例如，专利文献1)。在这样的多层基板中，线圈的两端通过形成在多层基板内的层间连接导体引出到成为安装面的主面。具体地，在主面形成有两个外部电极，线圈的两端分别经由层间连接导体与这两个外部电极连接。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007-317838号公报

然而，在多层基板致密地形成有多个线圈的情况下，形成在多层基板内的多个层间连接导体将彼此靠近。因此，在层间连接导体间产生的磁耦合增强，由于该原因，各线圈的电特性有可能劣化。

技术实现要素：

实用新型要解决的课题

因此，本实用新型的目的在于，在具备多个线圈的多层基板中防止各线圈中的电特性的劣化。

用于解决课题的技术方案

本实用新型涉及的多层基板具备层叠体、多个线圈、多个第一外部电极、多个第一层间连接导体、第二外部电极、以及第二层间连接导体。层叠体由多个绝缘基材层叠而成，并具有彼此位于相反侧的第一主面和第二主面、以及连结第一主面和第二主面的作为侧面之一的第一侧面。多个线圈分别被图案形成在多个绝缘基材的至少一层，并具有方向与绝缘基材的层叠方向大致一致的线圈轴。多个第一外部电极与多个线圈分别对应地形成在层叠体的第一主面。多个第一层间连接导体将多个线圈的一端分别连接到与所述多个线圈对应的多个第一外部电极。第二外部电极形成在第一主面。第二层间连接导体形成在第一侧面，并汇集多个线圈的另一端而连接到第二外部电极。

根据上述多层基板，从多个线圈的另一端到第二外部电极的连接路径在到达第二外部电极之前通过第二层间连接导体汇集为一个。因此，在上述多层基板中不易产生在连接路径不汇集而保持分离的状态到达第二外部电极的结构中担心的连接路径间的磁耦合。

此外，第二层间连接导体形成在第一侧面，从而减少了形成在层叠体内的层间连接导体的数目。具体地，从每个第一层间连接导体到第二层间连接导体的距离增大。因此，在上述多层基板中，在每个第一层间连接导体与第二层间连接导体之间也不易产生磁耦合。

优选是，在本实用新型涉及的多层基板中，第二层间连接导体沿着第一侧面从第二主面的边缘扩展至第一主面的边缘，另一方面，在沿着该边缘(第一主面或第二主面的边缘)的方向上不包含被分割的部分。而且，优选是，第二层间连接导体在第二主面的边缘与多个线圈的全部的另一端连接，且在第一主面的边缘与第二外部电极连接。

根据该结构，从多个线圈的另一端到第二外部电极的连接路径在较之第一主面更靠近第二主面的位置通过第二层间连接导体汇集为一个。因此，在上述构成中更不易产生在连接路径不汇集而保持分离的状态到达第二外部电极的结构中担心的连接路径间的磁耦合。

优选是，在本实用新型涉及的多层基板中，在沿着第一主面或第二主面的边缘的方向上，第二层间连接导体的宽度大于每个第一层间连接导体的宽度。

根据该结构，在第一层间连接导体与第二层间连接导体之间，可有效地减弱磁耦合。此外，通过扩展第二层间连接导体的横向宽度，从而能够降低第二层间连接导体的电阻。

优选是，在本实用新型涉及的多层基板中，层叠体还具有：第二侧面，位于第一侧面的相反侧；以及第三侧面和第四侧面，在两侧连结第一侧面和第二侧面，多个第一层间连接导体的至少一个具有被引出到第二侧面、第三侧面、以及第四侧面的至少一个面的引出部。

根据该结构，能够使第一层间连接导体(主要是引出部)远离第二层间连接导体。因此，在第一层间连接导体与第二层间连接导体之间，可进一步减弱磁耦合。

优选是，在本实用新型涉及的多层基板中，多个第一层间连接导体的至少两个分别具有引出部，多个第一层间连接导体的至少两个分别具有的引出部被引出到第二侧面、第三侧面、以及第四侧面中的互不相同的面。

根据该结构，能够使第一层间连接导体(主要是引出部)彼此远离。因此，在第一层间连接导体彼此之间也不易产生磁耦合。

优选是，在本实用新型涉及的多层基板中，在多个线圈投影到第一主面的投影像中，在与对应于线圈的开口部的区域不重叠的第一主面内的区域，形成有第一外部电极。根据该结构，在使线圈产生磁通量时，不易产生第一外部电极对磁通量的阻碍。

优选是，在本实用新型涉及的多层基板中，在多个线圈投影到第一主面的投影像中，在与对应于线圈的开口部的区域不重叠的第一主面内的区域，形成有第二外部电极。根据该结构，在使线圈产生磁通量时，不易产生第二外部电极对磁通量的阻碍。

可以是，在本实用新型涉及的多层基板中，多个线圈的至少一个被图案形成在多个绝缘基材的至少两层，并且所述多层基板包括对形成在各绝缘基材的图案彼此进行连接的第三层间连接导体。在该多层基板中，通过增加绝缘基材的层叠数目，从而层叠方向上的层间连接导体的长度增大。而且，对于这样的多层基板特别适合上述的能够减弱磁耦合的结构。

优选是，在本实用新型涉及的多层基板中，第三层间连接导体具有被引出到层叠体的第二侧面、第三侧面、以及第四侧面的至少一个面的引出部。

根据该结构，能够使第三层间连接导体(主要是引出部)远离第二层间连接导体。因此，在第三层间连接导体与第二层间连接导体之间不易产生磁耦合。

实用新型效果

根据本实用新型涉及的多层基板，能够防止各线圈中的电特性的劣化。

附图说明

图1是概念性地示出第一实施方式涉及的多层基板的图，图1(a)是立体图，图1(b)是分解立体图。

图2是示出从第一主面侧观察第一实施方式涉及的多层基板的俯视图。

图3是示出构筑在第一实施方式涉及的多层基板的电路的图。

图4是概念性地示出第一变形例涉及的多层基板的一个例子的分解立体图。

图5是概念性地示出第一变形例涉及的多层基板的另一个例子的分解立体图。

图6是第二变形例涉及的多层基板的一个例子的分解立体图，图6(a)是从第一侧面侧观察的分解立体图，图6(b)是从第二侧面侧观察的分解立体图。

图7是示出从第一主面侧观察第二变形例涉及的多层基板的俯视图。

图8是概念性地示出第二变形例涉及的多层基板的另一个例子的分解立体图。

图9是概念性地示出第二实施方式涉及的多层基板的分解立体图。

图10是概念性地示出第三变形例涉及的多层基板的分解立体图。

图11是示出从第二侧面侧观察第三变形例涉及的多层基板的立体图。

图12是概念性地示出第四变形例涉及的多层基板的分解立体图。

图13是示出构筑在第四变形例涉及的多层基板的电路的图。

图中，1-层叠体，2A、2B、2C、2D、2E、2F-线圈，3A、3B、3C、3D、3E、3F-第一外部电极，4-第二外部电极，5A、5B、5C、5D、5E、5F-第一层间连接导体，6-第二层间连接导体，10A、10B、10C、10D、10E、10F、10G-绝缘基材，11-第一主面，12-第二主面，13a-第一侧面，13b-第二侧面，13c-第三侧面，13d-第四侧面，20A、20B、20C、20D-线圈轴，21A、21B、21C、21D-一端，22A、22B、22C、22D-另一端，23A、23B-开口部，51A、51B、51C、51D-引出部，52A、52B-导电过孔，71C、72C、73C-线圈图案，71D、72D、73D-线圈图案，71Ca、72Ca、72Cb、73Ca-端部，71Da、72Da、72Db、73Da-端部，74C、74D-第三层间连接导体，75C、75D-第三层间连接导体，511A、512A-布线图案，511B、512B-布线图案，511C、512C-布线图案，511D、512D-布线图案，710C、710D-引出部，711C、712C、713C-布线图案，711D、712D、713D-布线图案，D1-层叠方向，D2-横向。

具体实施方式

以下，按照附图对本实用新型的实施方式进行说明。

[1]第一实施方式

[1-1]多层基板的结构

图1(a)和图1(b)分别是概念性地示出第一实施方式涉及的多层基板的立体图和分解立体图。如图1(a)和图1(b)所示，多层基板具备层叠体1、两个线圈2A、2B、两个第一外部电极3A、3B、第二外部电极4、两个第一层间连接导体5A、5B、以及第二层间连接导体6。

如图1(b)所示，层叠体1是由呈矩形且尺寸大致相同的两个绝缘基材10A、10B层叠而成的。绝缘基材10A、10B能够使用液晶聚合物、热塑性聚酰亚胺等热塑性树脂片、或陶瓷片等。而且，层叠体1具有在绝缘基材10A、10B的层叠方向D1上彼此位于相反侧的第一主面11和第二主面12。

进而，层叠体1具有连结第一主面11和第二主面12的4个侧面13a～13d。其中，第一侧面13a和第二侧面13b是分别沿着绝缘基材10A(或10B)的两个长边扩展的面，彼此位于相反侧。第三侧面13c和第四侧面13d是分别沿着绝缘基材10A(或10B)的两个短边扩展的面，在两侧连结第一侧面13a和第二侧面13b。

另外，绝缘基材10A、10B不限于矩形，也可以呈正方形等各种形状。而且，层叠体1中的主面以及侧面的位置、形状等可根据绝缘基材的形状、层叠数目等适宜地进行变更。

线圈2A、2B分别被图案形成在位于最上层的绝缘基材10B，具有方向与层叠方向D1大致一致的线圈轴20A、20B。具体地，线圈2A、2B分别被图案形成在成为第二主面12的绝缘基材10B的面。

在本实施方式中，线圈2A、2B均组合多个直线图案而构成，使得它们的形状为以四边形为基调的螺旋状。而且，线圈2A、2B分别在线圈轴20A、20B的周围从位于内侧的一端21A、21B向相同的方向延伸至位于外侧的另一端22A、22B。具体地，在从第二主面12侧观察层叠体1时，线圈2A、2B均从内侧向外侧呈左旋(逆时针方向)延伸。此外，另一端22A、22B配置在与第一侧面13a相接的位置。

另外，线圈2A、2B也可以由曲线图案构成，还可以组合直线图案和曲线图案而构成。此外，线圈2A、2B也可以从内侧向外侧呈右旋(顺时针方向)延伸。进而，也可以像后面说明的第一变形例那样，线圈2A、2B彼此反向旋转而延伸(参照图4和图5)。

第一外部电极3A、3B分别与线圈2A、2B对应地形成在层叠体1的第一主面11。具体地，第一外部电极3A、3B分别被图案形成在成为第一主面11的绝缘基材10A的面。

在本实施方式中，第一外部电极3A、3B分别形成在与线圈2A、2B的一端21A、21B对置的位置。由此，能够从一端21A、21B到第一外部电极3A、3B呈直线分别形成后面说明的第一层间连接导体5A、5B。

另外，也可以像后面说明的第二变形例那样，第一外部电极3A、3B形成在如下位置，该位置不同于与线圈2A、2B的一端21A、21B对置的位置(参照图6(a)和图8)。此外，第一外部电极3A、3B的形状、尺寸能够根据在安装时与第一外部电极3A、3B连接的对象电极的形状、尺寸等而适宜地进行变更。

第二外部电极4形成在层叠体1的第一主面11。具体地，第二外部电极4被图案形成在成为第一主面11的绝缘基材10A的面。

在本实施方式中，第二外部电极4形成在如下的一个区域。即，该区域是包含分别与线圈2A、2B的另一端22A、22B对置的两个位置且与第一侧面13a相接的区域。

进而，在本实施方式中，如图2所示，形成第二外部电极4的上述区域是，在线圈2A、2B投影到第一主面11的投影像中，与对应于线圈2A、2B的开口部23A、23B的区域不重叠的第一主面11内的区域。因此，在使线圈2A、2B产生磁通量时，不易引起第二外部电极4对磁通量的阻碍。

另外，第二外部电极4的形状、尺寸能够根据在安装时与第二外部电极4连接的对象电极的形状、尺寸等而适宜地进行变更。

第一层间连接导体5A、5B在图1(b)中用单点划线表示，将线圈2A、2B的一端21A、21B分别连接到对应的第一外部电极3A、3B。在本实施方式中，第一层间连接导体5A是分别形成在绝缘基材10A、10B的两个导电过孔通过绝缘基材10A、10B的层叠而连结而成的。第一层间连接导体5B同样是由两个导电过孔连结而成的。作为一个例子，这些导电过孔是由导电性膏金属化(固化)而成的。而且，第一层间连接导体5A、5B分别从线圈2A、2B的一端21A、21B呈直线延伸至第一外部电极3A、3B，并且对它们之间进行连接。

另外，像后面说明的第二变形例那样，第一层间连接导体5A、5B不限于由两个导电过孔连结而成，能够进行各种变形(参照图6(a)和图8)。

第二层间连接导体6是形成在第一侧面13a的导电层，沿着第一侧面13a从第二主面12的边缘扩展至第一主面11的边缘，另一方面，在沿着该边缘(第一主面11或第二主面12的边缘)的横向D2上不包含被分割的部分。而且，第二层间连接导体6在第二主面12的边缘与线圈2A、2B的全部的另一端22A、22B连接，且在第一主面11的边缘与第二外部电极4连接。像这样，第二层间连接导体6汇集线圈2A、2B的另一端22A、22B并连接到第二外部电极4。

作为一个例子，第二层间连接导体6通过在层叠绝缘基材10A、10B之后对第一侧面13a实施镀覆处理而形成。另外，第二层间连接导体6的形成方法不限于镀覆处理，能够采用导电箔、导电板的粘附、利用LDS(Laser Direct Structuring：激光直接成型)工艺的图案形成等各种方法。

在本实施方式中，在横向D2上，第二层间连接导体6从与线圈2A的另一端22A的连接位置扩展至与线圈2B的另一端22B的连接位置。此外，第二层间连接导体6呈矩形，第一主面11的边缘的位置的宽度与第二主面12的边缘的位置的宽度大致一致。另一方面，第一层间连接导体5A、5B的宽度(导电过孔的直径)分别与构成线圈2A、2B的图案的线宽度是同等程度。因此，在横向D2上，第二层间连接导体6的宽度大于每个第一层间连接导体5A、5B的宽度。

另外，第二层间连接导体6也可以形成在包括从与线圈2A的另一端22A的连接位置到与线圈2B的另一端22B的连接位置的区域的、更宽的区域。此外，第二层间连接导体6不限定于矩形，可以变形为各种形状。例如，第二层间连接导体6可以呈部分缩颈的形状，也可以呈宽度朝向第一主面11的边缘变宽的形状或变窄的形状等。

在第一实施方式涉及的多层基板中，如图3所示，构筑了由两个线圈2A、2B形成的电路。在该电路中，线圈2A、2B可以用作高频用线圈，也可以用作低频用线圈。而且，如图1(a)所示，线圈2A、2B的另一端22A、22B经由第二层间连接导体6连接到第二外部电极4。即，从另一端22A、22B到第二外部电极4的连接路径在较之第一主面11更靠近第二主面12的位置汇集为一个，并按其原样在不分岔的情况下到达第二外部电极4(参照图1(a))。

在此，作为比较例，考虑另一端22A、22B分别经由两个层间连接导体连接到第二外部电极4的结构。即，在该结构中，从另一端22A、22B到第二外部电极4的连接路径不汇集而保持分离的状态到达第二外部电极4。根据这样的结构，容易在两个连接路径间产生强的磁耦合。此外，在这些连接路径与第一层间连接导体5A、5B之间也容易产生强的磁耦合。

另一方面，根据第一实施方式涉及的多层基板，到第二外部电极4的连接路径在较之第一主面11更靠近第二主面12的位置通过第二层间连接导体6汇集为一个。因此，在第一实施方式涉及的多层基板中不易产生在上述比较例中担心的连接路径(层间连接导体)间的磁耦合。

此外，第二层间连接导体6形成在第一侧面13a，从而形成在层叠体1内的层间连接导体的数目减少。具体地，从每个第一层间连接导体5A、5B到第二层间连接导体6的距离大于上述比较例中的到连接路径(层间连接导体)的距离。因此，在第一实施方式涉及的多层基板中，在每个第一层间连接导体5A、5B与第二层间连接导体6之间也不易产生磁耦合。

而且，在第一实施方式涉及的多层基板中，在横向D2上，第二层间连接导体6的宽度大于每个第一层间连接导体5A、5B的宽度(导电过孔的直径)。因此，在每个第一层间连接导体5A、5B与第二层间连接导体6之间，可有效地减弱磁耦合。此外，通过加宽第二层间连接导体6的横向宽度，从而能够降低第二层间连接导体6的电阻。

像这样，通过在层间连接导体间减弱磁耦合，从而可防止每个线圈2A、2B中的电特性的劣化。

[1-2]变形例

接着，对第一实施方式涉及的多层基板的两个变形例(第一变形例和第二变形例)进行说明。

＜第一变形例＞

作为第一变形例，线圈2A、2B也可以在线圈轴20A、20B的周围从位于内侧的一端21A、21B彼此反向旋转地延伸至位于外侧的另一端22A、22B。图4和图5分别是概念性地示出第一变形例涉及的多层基板的两个例子的分解立体图。

在图4所示的多层基板中，在从第二主面12侧观察层叠体1时，线圈2A从内侧向外侧呈左旋(逆时针方向)延伸，线圈2B从内侧向外侧呈右旋(顺时针方向)延伸。在该结构中，第二层间连接导体6的横向宽度(在横向D2上，从与线圈2A的另一端22A的连接位置到与线圈2B的另一端22B的连接位置的距离)大于图1(a)所示的多层基板的宽度。

在图5所示的多层基板中，在从第二主面12侧观察层叠体1时，线圈2A从内侧向外侧呈右旋(顺时针方向)延伸，线圈2B从内侧向外侧呈左旋(逆时针方向)延伸。在该结构中，第二层间连接导体6的横向宽度(在横向D2上，从与线圈2A的另一端22A的连接位置到与线圈2B的另一端22B的连接位置的距离)小于图1(a)所示的多层基板。

＜第二变形例＞

作为第二变形例，第一层间连接导体5A、5B中的至少一个可以引出到第二侧面13b、第三侧面13c、以及第四侧面13d中的至少一个面。图6(a)和图6(b)是示出分别从第一侧面13a侧和第二侧面13b侧观察第二变形例涉及的多层基板的一个例子的分解立体图。此外，图8是概念性地示出第二变形例涉及的多层基板的另一个例子的分解立体图。

在图6(a)和图6(b)所示的多层基板中，第一层间连接导体5A引出到第三侧面13c，第一层间连接导体5B引出到第二侧面13b。

具体地，层叠体1还具有层叠在绝缘基材10A、10B之间的另一个绝缘基材10C。与绝缘基材10A、10B同样地，绝缘基材10C能够使用液晶聚合物、热塑性聚酰亚胺等热塑性树脂片、或陶瓷片等。而且，在绝缘基材10C中的第二主面12侧的面形成有从与线圈2A的一端21A对置的位置延伸至露出在第三侧面13c的位置的布线图案511A、和从与线圈2B的一端21B对置的位置延伸至露出在第二侧面13b的位置的布线图案511B。

此外，在第三侧面13c形成有从布线图案511A的露出位置延伸至第一主面11的边缘的布线图案512A，在第二侧面13b形成有从布线图案511B的露出位置延伸至第一主面11的边缘的布线图案512B。而且，布线图案512A、512B分别与第一外部电极3A、3B连接。

作为一个例子，布线图案512A、512B可分别通过在层叠绝缘基材10A、10B之后对第三侧面13c和第二侧面13b实施镀覆处理而形成。另外，布线图案512A、512B的形成方法不限于镀覆处理，能够采用导电箔、导电板的粘附、利用LDS(Laser Direct Structuring：激光直接成型)工艺的图案形成等各种方法。

进而，在绝缘基材10B形成有对线圈2A的一端21A和布线图案511A进行连接的导电过孔52A和对线圈2B的一端21B和布线图案511B进行连接的导电过孔52B。作为一个例子，导电过孔52A、52B是由导电性膏金属化(固化)而成的。另外，在图6(a)和图6(b)中，导电过孔52A、52B用单点划线表示。

像这样，第一层间连接导体5A由引出部51A和导电过孔52A构成，引出部51A由布线图案511A、512A构成，导电过孔52A对线圈2A和布线图案511A进行连接。此外，第一层间连接导体5B由引出部51B和导电过孔52B构成，引出部51B由布线图案511B、512B构成，导电过孔52B对线圈2B和布线图案511B进行连接。

根据该结构，第一层间连接导体5A、5B(主要是引出部51A、51B)远离第二层间连接导体6。因此，在每个第一层间连接导体5A、5B与第二层间连接导体6之间可进一步减弱磁耦合。

此外，第一层间连接导体5A、5B引出到互不相同的面，从而第一层间连接导体5A、5B彼此远离。因此，在第一层间连接导体5A、5B之间也不易产生磁耦合。

进而，在图6(a)和图6(b)所示的多层基板中，第一外部电极3A在第一主面11中形成在与第三侧面13c相接的区域，第一外部电极3B在第一主面11中形成在与第二侧面13b相接的区域。而且，如图7所示，这些区域均为在线圈2A、2B投影到第一主面11的投影像中与对应于线圈2A、2B的开口部23A、23B的区域不重叠的第一主面11内的区域。因此，在使线圈2A、2B产生磁通量时，不易产生第一外部电极3A、3B对磁通量的阻碍。

图8所示的多层基板是在图4所示的多层基板中将第一层间连接导体5A、5B分别引出到彼此位于相反侧的第三侧面13c和第四侧面13d的多层基板。

根据该多层基板，第一层间连接导体5A、5B彼此更加远离。因此，在第一层间连接导体5A、5B之间可进一步减弱磁耦合。

此外，在线圈2A、2B投影到绝缘基材10C中的第二主面12侧的面的投影像中，引出部51A、51B形成在与对应于线圈2A、2B的开口部23A、23B的区域不重叠的区域。因此，在使线圈2A、2B产生磁通量时，不易产生引出部51A、51B对磁通量的阻碍。

[2]第二实施方式

[2-1]多层基板的结构

图9是概念性地示出第二实施方式涉及的多层基板的分解立体图。如图9所示，多层基板具备层叠体1、两个线圈2C、2D、两个第一外部电极3C、3D、第二外部电极4、两个第一层间连接导体5C、5D、以及第二层间连接导体6。

层叠体1是由呈矩形且尺寸大致相同的4个绝缘基材10D～10G层叠而成的。绝缘基材10D～10G能够使用液晶聚合物、热塑性聚酰亚胺等热塑性树脂片、或陶瓷片等。而且，与第一实施方式同样地，层叠体1具有第一主面11和第二主面12、以及4个侧面13a～13d。另外，绝缘基材10D～10G不限于矩形，也可以呈正方形等各种形状。而且，层叠体1中的主面以及侧面的位置、形状等可根据绝缘基材的形状、层叠数目等适宜地进行变更。

线圈2C、2D分别被图案形成在除位于最下层的绝缘基材10D以外的3层绝缘基材10E～10G。具体地，在绝缘基材10E中的第二主面12侧的面形成有线圈图案71C、71D，在绝缘基材10F中的第二主面12侧的面形成有线圈图案72C、72D，在成为第二主面12的绝缘基材10G的面形成有线圈图案73C、73D。在此，线圈图案71C～73C分别是组合3个直线图案而构成的，使得成为沿着从第二主面12侧进行观察时的规定线圈2C的形状的四边形的任意3边延伸的形状。同样地，线圈图案71D～73D分别是组合3个直线图案而构成的，使得成为沿着从第二主面12侧进行观察时的规定线圈2D的形状的四边形的任意3边延伸的形状。

而且，线圈图案71C～73C排列为，使线圈2C成为在线圈轴20C的周围呈左旋(逆时针方向)从配置在绝缘基材10E中的第二主面12侧的面内的一端21C延伸至配置在成为第二主面12的绝缘基材10G的面内的另一端22C的结构。更具体地，线圈图案71C～73C配置为通过投影到第一主面11的投影像形成上述的一个四边形。

此外，在绝缘基材10F作为第三层间连接导体74C而形成有对线圈图案71C的端部71Ca和线圈图案72C的端部72Ca进行连接的导电过孔，在绝缘基材10G作为第三层间连接导体75C而形成有对线圈图案72C的端部72Cb和线圈图案73C的端部73Ca进行连接的导电过孔，使得线圈2C从一端21C到另一端22C成为导通的一个线圈。作为一个例子，这些导电过孔是由导电性膏金属化(固化)而成的。另外，第三层间连接导体74C、75C在图9中用单点划线表示。

同样地，线圈图案71D～73D排列为使线圈2D成为在线圈轴20D的周围呈左旋(逆时针方向)从配置在绝缘基材10E中的第二主面12侧的面内的一端21D延伸至配置在成为第二主面12的绝缘基材10G的面内的另一端22D的结构。更具体地，线圈图案71D～73D配置为通过投影到第一主面11的投影像形成上述的一个四边形。

此外，在绝缘基材10F作为第三层间连接导体74D形成有对线圈图案71D的端部71Da和线圈图案72D的端部72Da进行连接的导电过孔，在绝缘基材10G作为第三层间连接导体75D形成有对线圈图案72D的端部72Db和线圈图案73D的端部73Da进行连接的导电过孔，使得线圈2D从一端21D到另一端22D成为导通的一个线圈。作为一个例子，这些导电过孔是由导电性膏金属化(固化)而成的。另外，第三层间连接导体74D、75D在图9中用单点划线表示。

另外，线圈2C、2D可以由曲线图案构成，也可以组合直线图案和曲线图案而构成。此外，线圈2C、2D也可以与上述相反地呈右旋(顺时针方向)延伸。进而，线圈2C、2D也可以彼此反向旋转地延伸。

第一外部电极3C、3D分别与线圈2C、2D对应地形成在层叠体1的第一主面11。具体地，第一外部电极3C、3D分别被图案形成在成为第一主面11的绝缘基材10D的面。

在本实施方式中，第一外部电极3C、3D分别形成在与线圈2C、2D的一端21C、21D对置的位置。由此，能够分别从一端21C、21D到第一外部电极3C、3D呈直线形成后面说明的第一层间连接导体5C、5D。

另外，也可以像后面说明的第三变形例那样，第一外部电极3C、3D形成在如下位置，该位置不同于与线圈2C、2D的一端21C、21D对置的位置(参照图10)。此外，第一外部电极3C、3D的形状、尺寸能够根据在安装时与第一外部电极3C、3D连接的对象电极的形状、尺寸等而适宜地进行变更。

第二外部电极4形成在层叠体1的第一主面11。具体地，第二外部电极4被图案形成在成为第一主面11的绝缘基材10D的面。

在本实施方式中，第二外部电极4形成在如下的一个区域。即，该区域是包含分别与线圈2C、2D的另一端22C、22D对置的两个位置且与第一侧面13a相接的区域。

进而，在本实施方式中，与第一实施方式同样地，形成第二外部电极4的上述区域是，在线圈2C、2D投影到第一主面11的投影像中与对应于线圈2C、2D的开口部的区域不重叠的第一主面11内的区域(参照图2)。因此，在使线圈2C、2D产生磁通量时，不易产生第二外部电极4对磁通量的阻碍。

另外，第二外部电极4的形状、尺寸能够根据在安装时与第二外部电极4连接的对象电极的形状、尺寸等适宜地进行变更。

第一层间连接导体5C、5D在图9中用单点划线表示，将线圈2C、2D的一端21C、21D分别连接到对应的第一外部电极3C、3D。在本实施方式中，第一层间连接导体5C是由分别形成在绝缘基材10D、10E的两个导电过孔通过绝缘基材10D、10E的层叠而连结而成的。第一层间连接导体5D同样是由两个导电过孔连结而成的。作为一个例子，这些导电过孔是由导电性膏金属化(固化)而成的。而且，第一层间连接导体5C、5D分别呈直线从线圈2C、2D的一端21C、21D延伸至第一外部电极3C、3D，并且对它们之间进行连接。

另外，像后面说明的第三变形例那样，第一层间连接导体5A、5B不限于由两个导电过孔连结而成，能够进行各种变形(参照图10)。

第二层间连接导体6是形成在第一侧面13a的导电层，并沿着第一侧面13a从第二主面12的边缘扩展至第一主面11的边缘，另一方面，在沿着该边缘(第一主面11或第二主面12的边缘)的横向D2上不包含被分割的部分。而且，第二层间连接导体6在第二主面12的边缘与线圈2C、2D的全部的另一端22C、22D连接，且在第一主面11的边缘与第二外部电极4连接。像这样，第二层间连接导体6汇集线圈2C、2D的另一端22C、22D并连接到第二外部电极4。

此外，与第一实施方式同样地，在本实施方式中，在横向D2上，第二层间连接导体6的宽度大于每个第一层间连接导体5C、5D的宽度(导电过孔的直径)。

另外，与第一实施方式同样地，第二层间连接导体6可通过镀覆处理等方法来形成。此外，与第一实施方式同样地，第二层间连接导体6的形状等能够进行各种变形。

与第一实施方式同样地，在第二实施方式涉及的多层基板中，构筑了由两个线圈2C、2D形成的电路(参照图3)。而且，如图9所示，线圈2C、2D的另一端22C、22D经由第二层间连接导体6与第二外部电极4连接。即，从另一端22C、22D到第二外部电极4的连接路径在较之第一主面11更靠近第二主面12的位置汇集为一个，并按其原样地在不分岔的情况下到达第二外部电极4。因此，在第二实施方式涉及的多层基板中不易产生在连接路径不汇集而保持分离的状态到达第二外部电极4的结构(在第一实施方式中说明的比较例)中担心的连接路径间的磁耦合。

此外，第二层间连接导体6形成在第一侧面13a，从而与第一实施方式同样地，从每个第一层间连接导体5C、5D到第二层间连接导体6的距离增大。因此，在第二实施方式涉及的多层基板中，在每个第一层间连接导体5C、5D与第二层间连接导体6之间也不易产生磁耦合。

而且，在第二实施方式涉及的多层基板中，在横向D2上，第二层间连接导体6的宽度也大于每个第一层间连接导体5C、5D的宽度(导电过孔的直径)。因此，在每个第一层间连接导体5C、5D与第二层间连接导体6之间可有效地减弱磁耦合。此外，通过扩展第二层间连接导体6的横向宽度，从而能够降低第二层间连接导体6的电阻。

通过像这样在层间连接导体间减弱磁耦合，从而可防止每个线圈2C、2D中的电特性的劣化。而且，像这样能够减弱磁耦合的结构特别适合于由于绝缘基材的层叠数目增加而使层叠方向D1上的层间连接导体的长度增大的多层基板。

[2-2]变形例

接着，对第二实施方式涉及的多层基板的两个变形例(第三变形例～第四变形例)进行说明。

＜第三变形例＞

作为第三变形例，第一层间连接导体5C、5D中的至少一个也可以引出到第二侧面13b、第三侧面13c、以及第四侧面13d中的至少一个面。图10是概念性地示出第三变形例涉及的多层基板的一个例子的分解立体图。此外，图11是示出从第二侧面13b侧观察第三变形例涉及的多层基板的立体图。

在图10和图11所示的多层基板中，第一层间连接导体5C、5D均引出到第二侧面13b。

具体地，在绝缘基材10E中的第二主面12侧的面形成有从成为线圈2C的一端21C的线圈图案71C的端部延伸至露出在第二侧面13b的位置的布线图案511C、和从成为线圈2D的一端21D的线圈图案71D的端部延伸至露出在第二侧面13b位置的布线图案511D。

此外，如图11所示，在第二侧面13b形成有从布线图案511C、511D的各自的露出位置延伸至第一主面11的边缘的布线图案512C、512D。而且，布线图案512C、512D分别与第一外部电极3C、3D连接。另外，与第二变形例同样地，布线图案512C、512D可分别通过镀覆处理等方法形成。

像这样，第一层间连接导体5C由引出部51C构成，引出部51C由布线图案511C、512C构成。此外，第一层间连接导体5D由引出部51D构成，引出部51D由布线图案511C、512D构成。

根据该结构，第一层间连接导体5C、5D远离第二层间连接导体6。因此，在每个第一层间连接导体5C、5D与第二层间连接导体6之间，可进一步减弱磁耦合。

进而，在图10和图11所示的多层基板中，第一外部电极3C、3D分别在第一主面11中形成在与第二侧面13b相接的两个区域。而且，与第二变形例同样地，这些区域均为在线圈2C、2D投影到第一主面11的投影像中与对应于线圈2C、2D的开口部的区域不重叠的第一主面11内的区域(参照图7)。因此，在使线圈2C、2D产生磁通量时，不易产生第一外部电极3C、3D对磁通量的阻碍。

进而，作为第三变形例，第三层间连接导体74C、74D、75C、75D中的至少一个也可以引出到第二侧面13b、第三侧面13c、以及第四侧面13d中的至少一个面。在图10和图11所示的多层基板中，第三层间连接导体74C、74D引出到第二侧面13b。

具体地，在绝缘基材10E中的第二主面12侧的面形成有从每个线圈图案71C、71D的端部71Ca、71Da延伸至露出在第二侧面13b的位置的布线图案711C、711D。此外，在绝缘基材10F中的第二主面12侧的面形成有从每个线圈图案72C、72D的端部72Ca、72Da延伸至露出在第二侧面13b的位置的布线图案712C、712D。

进而，如图11所示，在第二侧面13b形成有从布线图案711C的露出位置延伸至布线图案712C的露出位置的布线图案713C和从布线图案711D的露出位置延伸至布线图案712D的露出位置的布线图案713D。而且，布线图案713C的上下两端分别与布线图案712C、711C连接。此外，布线图案713D的上下两端分别与布线图案712D、711D连接。另外，与布线图案512C、512D同样地，布线图案713C、713D可分别通过镀覆处理等方法形成。

像这样，第三层间连接导体74C由引出部710C构成，引出部710C由布线图案711C～713C构成。此外，第三层间连接导体74D由引出部710D构成，引出部710D由布线图案711D～713D构成。

根据该结构，第三层间连接导体74C、74D远离第二层间连接导体6。因此，在每个第三层间连接导体74C、74D与第二层间连接导体6之间也不易产生磁耦合。

＜第四变形例＞

作为第四变形例，多层基板也可以具备3个以上的线圈。图12是概念性地示出第四变形例涉及的多层基板的一个例子的分解立体图。在图12所示的多层基板中，在层叠体1形成有4个线圈2C～2F。具体地，线圈2C、2D分别从一端21C、21D呈左旋延伸至另一端22C、22D，线圈2E、2F分别从一端21E、21F呈右旋延伸至另一端22E、22F。而且，线圈2C～2F的一端21C～21F分别经由第一层间连接导体5C～5F连接到对应的4个第一外部电极3C～3F。此外，线圈2C～2F的全部的另一端22C～22F经由第二层间连接导体6连接到第二外部电极4。

在第四变形例涉及的多层基板中，如图13所示，构筑了由4个线圈2C～2F形成的电路。在该电路中，线圈2C～2F可以用作高频用线圈，也可以用作低频用线圈。

另外，右旋的线圈和左旋的线圈的配置数目、配置位置能够适宜地进行变更。此外，多层基板也可以具备被图案形成在一个绝缘基材的线圈和被图案形成在多个绝缘基材的线圈这两者。

应认为，上述的实施方式的说明在所有的方面都是例示性的，而不是限制性的。本实用新型的范围不是由上述的实施方式示出，而是由权利要求书示出。进而，本实用新型的范围包括与权利要求书等同的意思和范围内的所有的变更。