1.一种集成端射天线的高频集成电路模块，其特征在于，包括封装壳体和固定在所述封装壳体上的集成型高频集成电路芯片，所述集成型高频集成电路芯片的各电极通过金属丝引线键合到所述封装壳体的各对应焊盘上，所述集成型高频集成电路芯片和所述金属丝引线外部包覆有封装层，其中，所述集成型高频集成电路芯片上设置有功能电路和端射天线组件，所述功能电路的高频输出电极与所述端射天线组件的高频输入电极在所述集成型高频集成电路芯片内部互联，所述端射天线组件设置在所述集成型高频集成电路芯片的一端，所述集成型高频集成电路芯片输出的高频电磁波通过所述端射天线组件从该端辐射到空间。
2.根据权利要求1所述的集成端射天线的高频集成电路模块，其特征在于，所述封装壳体上设置有导热层，所述集成型高频集成电路芯片固定在所述导热层上。
3.根据权利要求2所述的集成端射天线的高频集成电路模块，其特征在于，所述导热层为金属导热层，所述集成型高频集成电路芯片的端射天线下部与所述封装壳体之间的间隙未设置有金属导热层。
4.根据权利要求1所述的集成端射天线的高频集成电路模块，其特征在于，所述封装壳体上还固定有透镜，所述透镜设置在所述集成型高频集成电路芯片的端射天线组件的辐射前端。
5.一种集成端射天线的高频集成电路模块，其特征在于，包括封装壳体、以及分别固定在所述封装壳体上的高频集成电路芯片和端射天线，所述高频集成电路芯片的高频输出电极与所述端射天线的高频输入电极相邻设置，所述高频集成电路芯片的高频输出电极通过金属丝引线键合到所述端射天线的高频输入电极上，所述端射天线设置在所述封装壳体的一端，所述高频集成电路芯片输出的高频电磁波通过所述端射天线从该端辐射到空间，所述高频集成电路芯片的其余各电极通过金属丝引线键合到所述封装壳体的各对应焊盘上，所述高频集成电路芯片、所述端射天线和所述金属丝引线外部包覆有封装层。
6.根据权利要求5所述的集成端射天线的高频集成电路模块，其特征在于，所述封装壳体上设置有导热层，所述高频集成电路芯片固定在所述导热层上。
7.根据权利要求5所述的集成天线组件的高频集成电路模块，其特征在于，所述封装壳体上还固定有透镜，所述透镜设置在所述端射天线的辐射前端。
8.一种集成端射天线的高频集成电路模块的封装方法，其特征在于，包括：
S11：将集成型高频集成电路芯片固定在封装壳体上，所述集成型高频集成电路芯片上设置有功能电路和端射天线组件，所述功能电路的高频输出电极与所述端射天线组件的高频输入电极在所述集成型高频集成电路芯片内部互联，所述端射天线组件设置在所述集成型高频集成电路芯片的一端；
S12：将所述集成型高频集成电路芯片的各电极通过金属丝引线键合到所述封装壳体的各对应焊盘上；
S13：在所述封装壳体内注入封装胶，将所述集成型高频集成电路芯片和所述金属丝引线包覆，形成集成端射天线的高频集成电路模块。
9.根据权利要求8所述的集成端射天线的高频集成电路模块的封装方法，其特征在于，所述步骤S11中将集成型高频集成电路芯片固定在封装壳体上的方法，包括：
将集成型高频集成电路芯片固定在封装壳体的金属导热层上，所述集成型高频集成电路芯片的端射天线组件下部与所述封装壳体之间的间隙未设置有金属导热层。
10.根据权利要求8所述的集成端射天线的高频集成电路模块的封装方法，其特征在于，所述步骤S13替换为：
将透镜固定在所述集成型高频集成电路芯片的端射天线组件的辐射前端，在所述封装壳体内注入封装胶，将所述集成型高频集成电路芯片、所述金属丝引线和所述透镜包覆，形成集成端射天线的高频集成电路模块。
11.一种集成端射天线的高频集成电路模块的封装方法，其特征在于，包括：
S21：将高频集成电路芯片和端射天线分别固定在封装壳体上，所述高频集成电路芯片的高频输出电极与所述端射天线的高频输入电极相邻设置，所述端射天线设置在所述封装壳体的一端；
S22：将所述高频集成电路芯片的高频输出电极通过金属丝引线键合到所述端射天线的高频输入电极上，将所述高频集成电路芯片的其余各电极通过金属丝引线键合到所述封装壳体的各对应焊盘上；
S23：在所述封装壳体内注入封装胶，将所述高频集成电路芯片、所述端射天线和所述金属丝引线包覆，形成集成端射天线的高频集成电路模块。
12.根据权利要求11所述的集成端射天线的高频集成电路模块的封装方法，其特征在于，所述步骤S21中将高频集成电路芯片和端射天线分别固定在封装壳体上的方法，包括：
将所述高频集成电路芯片和/或所述端射天线固定在所述封装壳体的导热层上。
13.根据权利要求11所述的集成端射天线的高频集成电路模块的封装方法，其特征在于，所述步骤S23替换为：
将透镜固定在所述端射天线的辐射前端，在所述封装壳体内注入封装胶，将所述高频集成电路芯片、所述端射天线、所述透镜和所述金属丝引线包覆，形成集成端射天线的高频集成电路模块。