一种平面型VDMOS多晶栅极的形成方法与流程

技术特征：

1.一种平面型VDMOS多晶栅极的形成方法，其特征在于：主要是通过使用多夹层的原位掺杂工艺来形成栅电极，所述方法包括以下步骤：

步骤1，在完成栅氧氧化的圆片上开始原位掺杂淀积，先只通SiH4，不通PH3，生长的未掺杂α-Si，；

步骤2，在步骤1之上，同时通入SiH4和PH3，生长的掺杂α-Si；

步骤3，接着步骤2，只通SiH4，不通PH3，生长的未掺杂α-Si；

步骤4，在步骤3之上，同时通入SiH4和PH3，生长的掺杂α-Si；

步骤5，接着步骤4，只通SiH4，不通PH3，生长的未掺杂α-Si；

步骤6，在步骤5之上，同时通入SiH4和PH3，生长的掺杂α-Si；

步骤7，完成圆片的后续工艺，利用后续工艺中的高温热过程完成夹层中的原位掺杂α-Si POLY的掺杂元素扩散；

上述过程的工艺温度为540-580℃，炉管工艺压力位150-350mt。

2.根据权利要求1所述的一种平面型VDMOS多晶栅极的形成方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：

步骤1，在完成栅氧氧化的圆片上开始原位掺杂淀积，先只通SiH4，不通PH3，生长的未掺杂α-Si；

步骤2，在步骤1之上，同时通入SiH4和PH3，生长的掺杂α-Si；

步骤3，接着步骤2，只通SiH4，不通PH3，生长的未掺杂α-Si；

步骤4，在步骤3之上，同时通入SiH4和PH3，生长的掺杂α-Si；

步骤5，接着步骤4，只通SiH4，不通PH3，生长的未掺杂α-Si；

步骤6，在步骤5之上，同时通入SiH4和PH3，生长的掺杂α-Si；

步骤7，完成圆片的后续工艺，利用后续工艺中的高温热过程完成夹层中的原位掺杂α-Si POLY的掺杂元素扩散；

上述过程的工艺温度为560℃，炉管工艺压力位250mt。

3.根据权利要求1所述的一种平面型VDMOS多晶栅极的形成方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：步骤7中的高温热过程的温度范围为900-1150℃。