技术总结
本发明涉及一种平面型VDMOS多晶栅极的形成方法，主要是通过使用多夹层的原位掺杂工艺来形成栅电极，所述方法包括以下步骤：步骤1，在完成栅氧氧化的圆片上开始原位掺杂淀积，先只通SiH4，不通PH3，生长未掺杂α‑Si；步骤2，在步骤1之上，同时通入SiH4和PH3，生长掺杂α‑Si；步骤3，接着步骤2，只通SiH4，不通PH3，生长未掺杂α‑Si；步骤4，在步骤3之上，同时通入SiH4和PH3，生长掺杂α‑Si；步骤5，接着步骤4，只通SiH4，不通PH3，生长未掺杂α‑Si；步骤6，在步骤5之上，同时通入SiH4和PH3，生长掺杂α‑Si；步骤7，完成圆片的后续工艺，利用后续工艺中的高温热过程完成夹层中的原位掺杂α‑Si POLY的掺杂元素扩散。
技术研发人员：赵秋森;陈晓伦;陈兆萍;徐永斌
受保护的技术使用者：江阴新顺微电子有限公司
技术研发日：2018.04.28
技术公布日：2018.09.18