1.一种连接结构，其包括：
中间导电层，其包含第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述中间导电层具有第一热膨胀系数(cte)；
第一导电层，其与所述中间导电层的所述第一表面接触，所述第一导电层具有第二cte；
第二导电层，其与所述中间导电层的所述第二表面接触，
其中所述第一导电层和所述第二导电层由相同材料形成；以及
其中所述第一cte和所述第二cte中的一者为负，且另一者为正。
2.根据权利要求1所述的连接结构，其中所述第一导电层和所述中间导电层中的一者包含含有碳原子的6元环。
3.根据权利要求1所述的连接结构，其中所述第一导电层和所述中间导电层中的一者包含石墨烯。
4.根据权利要求1所述的连接结构，其中所述第一导电层的厚度等于所述第二导电层的厚度。
5.根据权利要求4所述的连接结构，其中
所述第二cte为负。
6.根据权利要求4所述的连接结构，其中
所述第二cte为负；以及
所述第一导电层的厚度与所述中间导电层的厚度的比率在从约1.75到8的范围内。
7.根据权利要求4所述的连接结构，其中
所述第一cte为负。
8.根据权利要求4所述的连接结构，其中
所述第一cte为负；以及
所述第一导电层的厚度与所述中间导电层的厚度的比率在从约0.43到2的范围内。
9.根据权利要求1所述的连接结构，其中所述中间导电层、所述第一导电层和所述第二导电层界定迹线。
10.根据权利要求1所述的连接结构，其中所述中间导电层、所述第一导电层和所述第二导电层界定导电通孔。
11.一种连接结构，其包括：
中间导电层，其包含第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；
第一导电层，其与所述中间导电层的所述第一表面接触；
第二导电层，其与所述中间导电层的所述第二表面接触，
其中所述第一导电层和所述第二导电层由相同材料形成，且所述第一导电层和所述中间导电层中的一者包含含有碳原子的6元环。
12.根据权利要求11所述的连接结构，其中所述第一导电层和所述中间导电层中的一者包含由多个6元环建构的基本平面。
13.根据权利要求11所述的连接结构，其中所述第一导电层和所述中间导电层中的一者具有负cte。
14.根据权利要求13所述的连接结构，其中所述第一导电层的厚度等于所述第二导电层的厚度。
15.根据权利要求14所述的连接结构，其中
所述第一导电层具有负cte；以及
所述第一导电层的厚度与所述中间导电层的厚度的比率在从约1.75到8的范围内。
16.根据权利要求14所述的连接结构，其中
所述中间导电层具有负；以及
所述第一导电层的厚度与所述中间导电层的厚度的比率在从约0.43到2的范围内。
17.根据权利要求13所述的连接结构，其中所述第一导电层和所述中间导电层中的一者包含石墨烯。
18.根据权利要求13所述的连接结构，其中所述中间导电层、所述第一导电层和所述第二导电层界定迹线。
19.根据权利要求13所述的连接结构，其中所述中间导电层、所述第一导电层和所述第二导电层界定导电通孔。
20.根据权利要求11所述的连接结构，其中所述第一导电层的所述cte小于所述中间导电层的所述cte。