一种陶瓷电容芯片的制作方法

本实用新型涉及陶瓷电容技术领域，具体涉及一种陶瓷电容芯片。

背景技术：

传统的陶瓷电容就是在陶瓷电容相对的正反两面利用丝网版平面印刷的电极，但是由于传统陶瓷电容的平面的面积有限，同时容易在印刷过程中出现部分漏印等情况，其电容量则受限于陶瓷电容的平面的有效面积。

因此本领域技术人员致力于开发一种高效的、利用率较高的一种陶瓷电容芯片，有效的提高陶瓷电容的电容量，提高其效率，可使产品小型化，降低生产成本。

技术实现要素：

针对现有技术中的缺陷，本实用新型提供一种陶瓷电容芯片，有效的提高陶瓷电容的电容量，提高其效率，可使产品小型化，降低生产成本。

为实现上述目的，本实用新型提供的一种陶瓷电容芯片，包括陶瓷基片和导电层，所述陶瓷基片设置为圆饼状，所述导电层包括第一导电层和第二导电层；所述第一导电层附着在所述陶瓷基片的顶面形成第一平面，所述第二导电层附着在所述陶瓷基片底面形成第二平面，所述第一平面圆心处设有圆形的第一焊接座，所述第一焊接座的边缘处设有至少一个与所述第一平面同心的环状凹槽，所述环状凹槽的外侧设有至少两条拉力筋，所述拉力筋一端与所述环状凹槽外边缘接触，另一端沿第一平面径向延伸至第一平面边缘。

所述相邻两条拉力筋之间设有第一平面凹槽组，所述第一平面凹槽组包括至少两条沿第一平面径向间隔排列的第一平面条状凹槽，所述第一平面条状凹槽两端分别与两条相邻拉力筋接触。

进一步地，所述第二平面圆心处设有圆形的第二焊接座，所述第二焊接座的边缘处设有至少一个与所述第二平面同心的环状凹槽，所述环状凹槽的外侧设有至少两条拉力筋，所述拉力筋一端与所述环状凹槽外边缘接触，另一端沿第二平面径向延伸至第二平面边缘。

所述相邻两条拉力筋之间设有第二平面凹槽组，所述第二平面凹槽组包括至少两条沿第二平面径向间隔排列的第二平面条状凹槽，所述第二平面条状凹槽两端分别与两条相邻拉力筋接触。

所述陶瓷基片和第一导电层之间还设有第一过渡金属层；所述第一过渡金属层附着在所述陶瓷基片顶面上。

所述陶瓷基片和第二导电层之间还设有第二过渡金属层；所述第二过渡金属层附着在所述陶瓷基片底面上。

进一步地，所述第一平面条状凹槽设置为与所述第一平面同心的弧形条状凹槽。

进一步地，所述第二平面条状凹槽设置为与所述第二平面同心的弧形条状凹槽。

进一步地，所述第一平面条状凹槽和所述第二平面条状凹槽截面均设置为光滑的凹弧形。

本实用新型的有益效果是：本实用新型提供了一种陶瓷电容芯片，陶瓷基片上的平面设有弧形的凹槽或者凸起部，使陶瓷电容芯片与外部接触的有效面积增大，有效地提高陶瓷电容芯片的电容量，提高了效率，可使产品小型化，降低生产成本。

附图说明

图1是本实用新型一实施例所提供的一种陶瓷电容芯片的俯视图；

图2是图1所提供的一种陶瓷电容芯片A-A处的剖视图；

图3是图1所提供的一种陶瓷电容芯片的仰视图。

具体实施方式

下面将结合附图对本实用新型技术方案的实施例进行详细的描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本实用新型的技术方案，因此只作为示例，而不能以此来限制本实用新型的保护范围。

术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是两个以上，除非另有明确具体的限定。

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明：

如图1和图2所示，本实用新型提供了一种陶瓷电容芯片，包括陶瓷基片1和导电层2，陶瓷基片1设置为圆饼状，导电层2包括第一导电层21和第二导电层22；第一导电层21附着在陶瓷基片1的顶面形成第一平面23，第二导电层22附着在陶瓷基片1底面形成第二平面24，第一平面23的圆心处设有圆形的第一焊接座231，第一焊接座231的边缘处设有至少一个与第一平面23同心的环状凹槽232，环状凹槽232的外侧设有至少两条拉力筋233，拉力筋233一端与环状凹槽232外边缘接触，另一端沿第一平面23径向延伸至第一平面23边缘；相邻两条拉力筋233之间设有第一平面凹槽组234，第一平面凹槽组234包括至少两条沿第一平面23径向间隔排列的第一平面条状凹槽235，第一平面条状凹槽235两端分别与两条相邻拉力筋233接触。环状凹槽232和第一平面条形凹槽235用于将陶瓷电容芯片的第一导电层21和第二导电层22与外部接触的有效面积增加，提高陶瓷电容芯片的电容量，拉力筋233用于加强陶瓷电容芯片的强度，使陶瓷电容芯片不易折损。

进一步地，第二平面24圆心处设有圆形的第二焊接座241，第二焊接座241的边缘处设有至少一个与第二平面24同心的环状凹槽232，环状凹槽232的外侧设有至少两条拉力筋233，拉力筋233一端与环状凹槽232外边缘接触，另一端沿第二平面24径向延伸至第二平面24边缘；相邻两条拉力筋233之间设有第二平面凹槽组242，第二平面凹槽组242包括至少两条沿第二平面24径向间隔排列的第二平面条状凹槽243，第二平面条状凹槽243两端分别与两条相邻拉力筋233接触。设置的第一焊接座231和第二焊接座241均方便陶瓷电容芯片进行外部焊接，提高陶瓷电容芯片在实际应用中的稳定性。

进一步地，陶瓷基片1和第一导电层21之间还设有第一过渡金属层11；此时第一过渡金属层11附着在陶瓷基片1顶面上，第一过渡金属层11的上附着有第一导电层21。陶瓷基片1和第二导电层22之间还设有第二过渡金属12；此时第二过渡金属层12附着在陶瓷基片1底面上，第二过渡金属层12上还附着有第二导电层22。第一过渡金属层11和第二过渡金属层12的设置能够使陶瓷电容芯片的性能更可靠，附着力更好，损耗更小，耐电压更高。

其中过渡金属层和导电层的加工可以采用溅金属镀膜法完成加工，这样会进一步提高附着力和电压耐受值。

优选的，位于第一平面条状凹槽235可设置为与第一平面23同心的弧形条状凹槽；第二平面条状凹槽243可设置为与第二平面24同心的弧形条状凹槽。第一平面条状凹槽235和第二平面条状凹槽243截面均设置为光滑的凹弧形。

将槽的形状设置为光滑的凹弧形，能够防止凹槽之间放电造成电容击穿，影响电容质量可靠性。

将第一平面条状凹槽235设置为与第一平面23同心的弧形条状凹槽，能够最大化的增加电容导电层的面积，并且易于加工，减少制造成本。

进一步地，在本实用新型实施例提供的一种陶瓷电容芯片，利用电容量计算公式其中C表示陶瓷电容芯片的电容值，K表示陶瓷基片1(即陶瓷介质层)的介电常数，D表示陶瓷基片1两面电极层的有效面积，T表示陶瓷基片1的厚度。利用在第一平面23和第二平面24上设置弧形的凹槽或者凸起部，设置的弧形凹槽或者凸起部方便制造并且能够有效的增加陶瓷基片1两电极层的面积D增加，使陶瓷电容芯片的电容量C扩大。当陶瓷基片1上的第一平面23和第二平面24均采用弧形凹槽或凸起部时，大幅度地增加了陶瓷电容芯片的表面积。具体地，在陶瓷基片1上设置若干条弧形凹槽或凸起部时，通过计算，与传统陶瓷电容芯片相比，其表面积可增加20％以上，根据公式可以得到，此时同等体积的陶瓷电容芯片的电容量可提高20％以上。从而在同样的电容量的陶瓷电容芯片中可以减小体积，降低生产成本，有效的提高产品性能，在同样的体积的陶瓷电容芯片中，采用本实施例的陶瓷电容芯片，电容量较大。

本实用新型实施例提供的一种陶瓷电容芯片，设置的第一焊接座和第二焊接座方便外部焊接，陶瓷电容芯片的第一平面、第二平面设置凹槽，增加陶瓷电容芯片表面的有效面积增大，使陶瓷电容芯片的电容量变大，设置在第一导电层和陶瓷基片之间的第一过渡金属层和设置在第二导电层和陶瓷基片之间的第二过渡金属，使陶瓷电容芯片的外部附着力高，更易于焊接，耐电压更高，设置的第三导电层使陶瓷电容芯片的侧面仍可使用，效率较高。

以上详细描述了本实用新型的较佳具体实施例。应当理解，本领域的普通技术人员无需创造性劳动就可以根据本实用新型的构思作出诸多修改和变化。因此，凡本技术领域中技术人员依本实用新型的构思在现有技术的基础上通过逻辑分析、推理或者有限的实验可以得到的技术方案，皆应在由权利要求书所确定的保护范围内。