1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底中形成有两个源区及位于两个所述源区之间的漏区；
两个栅极结构，形成于所述源区和所述漏区之间的衬底中以构成两个晶体管；以及，
阈值调整区，位于所述漏区下方的衬底中，通过调整所述阈值调整区的掺杂浓度以改变所述晶体管的阈值电压。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述衬底中还形成有沟槽隔离结构，所述沟槽隔离结构界定出多个有源区，每个所述有源区中形成有两个所述源区及一个所述漏区。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述漏区和所述源区从所述衬底的表面延伸至所述衬底内的第一深度位置，所述栅极结构从所述衬底的表面延伸至所述衬底内的第二深度位置，所述第二深度位置更下沉于所述第一深度位置，以使沿着栅极结构的侧壁和底壁从所述源区至所述漏区之间的区域构成所述晶体管的沟道区域，所述阈值调整区位于所述衬底的第一深度位置与第二深度位置之间，以调整所述第一深度位置与所述第二深度位置之间的衬底的浓度。
4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述阈值调整区的侧边界均延伸至所述栅极结构的侧壁。
5.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述衬底中还形成有阱区，所述阈值调整区位于所述阱区中。
6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述晶体管为N型晶体管时，所述阈值调整区为P型掺杂以使所述晶体管的阈值电压正漂移。
7.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述阈值调整区掺杂的导电离子包括硼离子。
8.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述阈值调整区的掺杂浓度与所述晶体管的阈值电压的大小正相关。
9.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述阈值调整区掺杂的导电离子的浓度介于5E13atoms/cm2～1E14atoms/cm2。