半导体器件的制作方法

技术总结
本实用新型提供了一种半导体器件，在衬底中形成有两个栅极结构，采用离子注入方法在漏区下方的衬底中进行离子注入，以形成阈值调整区于两个所述栅极结构之间，在不影响半导体器件性能的同时能够通过调整阈值调整区的掺杂浓度来改变晶体管的阈值电压，并且仅在漏区下方形成所述阈值调整区也可以避免相邻有源区之间的互相影响。

技术研发人员：周步康
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：2018.09.11
技术公布日：2019.05.03