1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
半导体衬底，所述半导体衬底上定义出第一方向和第二方向，所述第一方向与所述第二方向具有不为零的夹角；
第一隔离结构，位于所述半导体衬底中且沿所述第一方向分布；
第二隔离结构和埋入式栅极字线结构，位于所述半导体衬底中且沿所述第二方向分布；
其中所述第一隔离结构利用自对准技术形成，所述埋入式栅极字线结构利用以所述第二隔离结构为基准的自对准技术形成。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一隔离结构和所述第二隔离结构的深度为150～200纳米，宽度为15～20纳米。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，相邻的两个所述第二隔离结构的间距为80～130纳米，所述埋入式栅极字线结构的间距为20～30纳米。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
所述埋入式栅极字线结构的深度小于所述第二隔离结构的深度；
所述埋入式栅极字线结构的顶面低于所述半导体衬底的顶面。
5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
阻挡层，包覆在所述埋入式栅极字线结构的侧面和底面，且所述阻挡层的顶面低于所述埋入式栅极字线结构的顶面。
6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
位线接触，位于相邻的所述埋入式栅极字线结构上部之间，所述位线接触的底面高于所述埋入式栅极字线结构的顶面。