技术总结
本公开提供一种半导体器件，属于半导体技术领域。其中该半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底上定义出第一方向和第二方向，所述第一方向与所述第二方向具有不为零的夹角；第一隔离结构，位于所述半导体衬底中且沿所述第一方向分布；第二隔离结构和埋入式栅极字线结构，位于所述半导体衬底中且沿所述第二方向分布；其中所述第一隔离结构和所述埋入式栅极字线结构均是利用自对准技术形成。本公开由于埋入式栅极字线结构通过自对准技术实现，可以避免发生位置偏移，提升半导体器件的可靠度。
技术研发人员：宛伟
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：2018.10.30
技术公布日：2019.05.07