具有工厂界面腔室加热的基板制造设备和方法与流程

实施方式涉及电子器件制造，且更特定地涉及包括环境控制的工厂界面设备和方法。相关应用。

背景技术：

在处理工具中施行在半导体部件制造中的基板处理。基板在基板载体(如前开式晶圆盒或foup)中在处理工具之间行进，基板载体可以对接到工具的工厂界面(或称为设备前端模块(efem))。工厂界面包括工厂界面腔室，该工厂界面腔室可以包含装载/卸载机器人，装载/卸载机器人可操作以例如在工厂界面的装载端口处对接的相应foup与一个或多个装载锁或处理腔室之间移送基板。在一些真空工具中，基板通过工厂界面腔室直接在基板载体和处理腔室之间传递，而在其他实施方式中，基板可以通过工厂界面腔室且在基板载体和装载锁之间传递，随后进入处理腔室，以用于处理。

近来，半导体处理工业中已经出现了对工厂界面内的环境进行控制的举措，例如通过将净化气体(如惰性气体)供应到工厂界面腔室和/或晶片foup中。然而，这种系统可能会遇到某些效能问题。

因此，需要包括提高的处理能力的工厂界面设备和工厂界面操作方法。

技术实现要素：

在一个方面中，提供了一种工厂界面净化设备。所述工厂界面净化设备包括工厂界面腔室及一个或多个加热构件，所述工厂界面腔室包含净化气体，所述一个或多个加热构件被配置为加热工厂界面腔室中的净化气体。

在另一方面中，提供了一种腔室过滤器净化设备。所述腔室过滤器净化设备包括工厂界面腔室、腔室过滤器组件及净化气体加热设备，所述工厂界面腔室包含进出门，所述腔室过滤器组件被配置为过滤所述工厂界面腔室中提供的净化气体，所述净化气体加热设备包含一个或多个加热元件，所述加热元件被配置为加热提供给所述腔室过滤器组件的所述净化气体。

在一方法方面中，提供了一种净化控制方法。所述净化控制方法包括：提供具有进出门的工厂界面腔室，关闭所述进出门，向所述工厂界面腔室提供净化气体的流，及开始加热所述净化气体，所述进出门被配置为提供进入所述工厂界面腔室的人员维护出入口。所述方法可以包括：当达到预先建立的条件时，停止或减少净化气体加热。

根据本揭示案的这些和其他实施方式提供了许多其他方面。本揭示案的实施方式的其他特征和方面将由以下详细描述、附图和权利要求书变得更加完全显而易见。

附图说明

以下所描述的附图仅用于说明目的，且不一定按比例绘制。附图不旨在以任何方式限制本揭示案的范围。

图1绘示根据本揭示案的包括具有净化气体加热的工厂界面设备的电子器件处理设备的示意性俯视图。

图2绘示根据本揭示案的包括具有净化气体加热的工厂界面设备的电子器件处理设备的第一部分截面侧视图。

图3绘示根据本揭示案的包括具有净化气体加热的工厂界面设备的电子器件处理设备的另一部分截面侧视图。

图4a绘示根据本揭示案的包括工厂界面设备的第一替代实施方式的电子器件处理设备的部分截面侧视图，该工厂界面设备的第一替代实施方式包括在充气室内的净化气体加热。

图4b绘示根据本揭示案的独立示出的净化气体加热设备的实施方式的透视图。

图5a绘示根据本揭示案的包括工厂界面设备的第二替代实施方式的电子器件处理设备的另一部分截面侧视图，该工厂界面设备的第二替代实施方式包括在返回流动路径中的净化气体加热。

图5b绘示根据本揭示案的在返回流动路径中设置的净化气体加热元件的部分透视图。

图6绘示根据本揭示案的包括工厂界面设备的第二替代实施方式的电子器件处理设备的另一部分截面侧视图，该工厂界面设备的第二替代实施方式具有经由加热过滤组件的净化气体加热。

图7绘示描绘根据一个或多个实施方式的用于工厂界面腔室的气体加热方法的流程图。

图8绘示描绘根据一个或多个实施方式的用于工厂界面腔室的净化控制方法的流程图。

具体实施方式

现在将详细参考在附图中所示的示例实施方式。将尽可能在整个附图中使用相同或相似的参考编号来表示这些图中的相同或相似的部分。除非另外特别说明，否则本文中的各种实施方式中所示的特征可以彼此结合。

当观察到高的相对湿度水平(level)、高氧(o2)水平和/或其他化学污染物的高水平时，现有的电子器件制造系统可能会遇到问题。特别是，将基板暴露于相对高的湿度水平、相对高的o2水平和/或其他化学污染物和颗粒可能会对基板性质产生不利影响。

因此，某些电子器件处理设备通过控制输送通过工厂界面腔室时基板所暴露的某些环境条件，来在基板的制造中提供效率和/或处理改进。工厂界面从对接到其壁(如，对接到其前壁)的一个或多个基板载体接收基板，且装载/卸载机器人可传送基板以用于处理，如传送到在工厂界面的另一个壁(如其后壁)中的另一个开口(如，一个或多个装载锁)。在具有环境控制的这种工厂界面中，可以将净化气体(如惰性气体)供应到工厂界面腔室，以从工厂界面腔室中净化氧气、水气和/或污染物。

可以通过将净化气体供应到工厂界面腔室来监测和控制一个或多个环境参数(如相对湿度、o2的量、惰性气体的量或化学污染物的量)。可以延迟对接到工厂界面壁的各别foup的打开，直到满足关于工厂界面腔室的环境中的一个或多个以上所列要素(constituent)的某些预先条件。

然而，即使当诸如相对湿度(rh)、氧水平和/或污染物水平的要素被控制在低于工厂界面腔室内预先指定的量时，也可能会出现其他问题。例如，由于相对低的湿度环境，因此可能很难从基板表面解吸(desorb)某些污染物。这些污染物可能由于处理而存在于那里，例如当在高于300℃的温度下发生处理时。

例如，由于处理的关系，某些卤素气体可以与基板的硅剧烈反应以形成四卤化硅。具体言之，硅可以与氟(f2)、氯(cl2)和/或溴(br2)反应，分别形成四氟化硅(sif4)、四氯化硅(sicl4)和/或四溴化硅(sibr4)。有机化合物四溴化硅(sibr4)特别难以解吸，特别是在由于通过控制工厂界面腔室内的环境而提供的相对低的湿度水平而导致的相对缺乏水气的情况下。

因此，能够从基板充分解吸卤素化合物(如四氟化硅(sif4)、四氯化硅(sicl4)和/或特别是四溴化硅(sibr4))的工厂界面设备和净化控制方法将被认为是本领域的重大进步。

此外，维护人员可以进出工厂界面腔室，以维护工厂界面腔室内的各种部件，如装载端口门开启器、装载/卸载机器人、狭缝阀、其他工厂界面腔室部件等。在这样的维护时段期间，打开到工厂界面腔室的进出门，允许维护人员进入并执行维护。在这种维护时段期间，停止净化气体的流动。

因而，被配置为过滤颗粒并且可能从净化气体吸收某些化学物质的腔室过滤器组件在进出门打开的维护时段期间可能显著地被水气污染。这是因为来自工厂环境的周围空气可能含有水气，有时在室温(rt)下高达40％的相对湿度。一旦被水气污染，可能需要较长的时间来净化腔室过滤器组件，有时长达24小时。因此，工具可能在执行维护后长时间离线。此外，可能将大量的净化气体排到废气中以实现此延长的净化。因此，将工厂界面腔室净化到可以重新开始工具操作的条件所需的成本和时间可能过大。

为了改善上面列出的一个或多个问题，特别是为了1)有助于从基板解吸某些化学化合物(如含卤素的化合物)和/或2)有助于减少净化由维护所引起的来自腔室过滤器组件的水气污染所需的时间，本揭示案提供了包括净化气体加热的工厂界面净化设备和净化控制方法。因此，可以显著降低停机时间和净化成本且/或可以改善基板品质。

参考这里示出的图1至8描述了示例工厂界面净化设备、包括净化气体加热的工厂界面净化设备和净化控制方法的进一步细节。

图1至3绘示根据本揭示案的一个或多个实施方式的包括工厂界面净化设备101的电子器件处理设备100的第一示例实施方式的示意图。电子器件处理设备100可包括处理部分102，处理部分102被配置为在其中处理基板205(图2)。处理部分102可以包括主框架壳体，该主框架壳体具有界定移送腔室103的壳体壁。移送机器人104(在图1中以虚线圆圈示出)可以至少部分地容纳在移送腔室103内。移送机器人104可被配置并适于经由其操作将基板205放置到处理腔室106a-106f或从处理腔室106a-106f提取基板205。这里使用的基板205应指用于制造电子器件或电路部件的制品，如含二氧化硅的盘或晶片、图案化或被施加掩模的晶片、含二氧化硅的板、或类似物。

在所绘示的实施方式中，移送机器人104可以是任何合适类型的机器人，其适于服务耦接到移送腔室103且可从移送腔室103进出的各式腔室(如所示的双腔室)，例如如美国专利公开案第2010/0178147号所揭露的机器人。可使用其他机器人类型。此外，可使用除所示的双腔室配置之外的其他主框架配置。此外，在一些实施方式中，基板205可直接放置在处理腔室中，即，没有移送腔室103的情况下。

在有移送腔室103的情况下，可以由给驱动组件(未图示)的适当命令来控制移送机器人104的各种臂部件的运动，所述驱动组件包含移送机器人104的多个驱动马达，所述命令由机器人控制器(未图示)给出。来自机器人控制器的信号引起移送机器人104的各种部件的运动。可由各式传感器(如位置编码器或类似物)针对部件中的一个或多个提供合适的反馈机制。

所绘示的实施方式中的移送腔室103可以是大致正方形或略呈矩形的形状。然而，可以使用主框架壳体的其他合适形状，如八边形、六边形、七边形、八边形及类似形状。也可以是其他数量的面和处理腔室。基板205的目的地可以是处理腔室106a-106f中的一个或多个，处理腔室106a-106f可以被配置并可操作以在输送到其中的基板205上执行一个或多个工艺。处理腔室106a-106f所执行的工艺可以是任何合适的工艺，如等离子体气相沉积(pvd)或化学气相沉积(cvd)、蚀刻、退火、预清洁、金属或金属氧化物去除或类似工艺。可以在其中的基板205上执行其他工艺。

电子器件处理设备100可以进一步包括工厂界面设备108，其包括环境控制。工厂界面设备108包括壳体，所述壳体具有形成密封外壳的壁。可从工厂界面设备108接收基板205到移送腔室103中，且在处理基板之后基板还离开移送腔室103进入工厂界面设备108中。可通过开口进入和离开移送腔室103，或者若是真空工具，则可通过耦接到工厂界面设备108的壁(如后壁108r)的装载锁112。例如，装载锁112可包括一个或多个装载锁定腔室(如装载锁定腔室112a、112b)。装载锁112中所包括的装载锁定腔室112a、112b可以是单晶片装载锁定(swll)腔室、或是多晶片装载锁定腔室、或甚至为批量装载锁及类似物以及其可能的组合。

工厂界面设备108可以是任何合适的外壳，且可具有壁(可包括后壁108r、与后壁108r相对的前壁108f、两个侧壁、顶壁和底壁)而形成工厂界面腔室108c。这些壁中的一个或多个(如侧壁)可包括进出门124，其中打开进出门124，从而允许维护人员在维护(如维修、更换、清洁、校准等)工厂界面腔室108c内的一个或多个部件时进入工厂界面腔室108c。

一个或多个装载端口115可设置在工厂界面设备108的一个或多个壁(如前壁108f)上，且可被配置和适于接收在壁处的一个或多个基板载体116(如前开式晶片盒或foup或类似物)。工厂界面腔室108c中可包括常规结构的装载/卸载机器人117(在图1中以虚线框117表示)。一旦打开基板载体116的载体门216d(图2)，装载/卸载机器人117可被配置和操作，以从一个或多个基板载体116提取基板205以及将基板205馈送通过工厂界面腔室108c并进入一个或多个开口(如，进入一个或多个装载锁定腔室112a、112b)。可以使用允许在工厂界面腔室108c和一个或多个处理腔室106a-106f(如处理腔室106a-106f)之间移送基板205的任何合适的开口结构。可以使用任何数量的处理腔室及其配置。

在一些实施方式中，可包括表面夹具(faceclamp)233(在图2中用箭头表示)以诸如在两个或更多个位置(如围绕周边)处接合基板载体116的凸缘。表面夹具233用于将凸缘密封于前壁108f，诸如密封到其装载端口后板。可使用任何合适的表面夹持机构。

在一些真空实施方式中，移送腔室103可在各个处理腔室106a-106f的入口/出口处包括狭缝阀。同样地，装载锁112中的装载锁定腔室112a、112b可包括内部装载锁狭缝阀223i和外部装载锁狭缝阀223o，如图2所示。当将基板205放置到各个处理腔室106a-106f和装载锁定腔室112a、112b以及从各个处理腔室106a-106f和装载锁定腔室112a、112b中提取基板205时，狭缝阀适于打开和关闭。狭缝阀可以是任何合适的常规结构，如l运动狭缝阀。

在所绘示的实施方式中，提供了工厂界面净化设备101。工厂界面净化设备101可以通过向工厂界面腔室108c提供环境受控的气氛来提供工厂界面腔室108c内的气体环境的环境控制。在基板205移送通过工厂界面腔室108c期间和维护之后，可以提供环境受控的气氛。特定地，工厂界面净化设备101耦接到工厂界面腔室108c且可操作以监测和/或控制工厂界面腔室108c内的一个或多个环境条件。

在一些实施方式中，且在某些时候，工厂界面腔室108c可在其中接收净化气体109。例如，净化气体109可以是惰性气体，如氩气(ar)、氮气(n2)或氦气(he)。可以从净化气体源119供应净化气体109。净化气体源119可以是净化气体109的容器，且可以经由任何合适的构件(如包括一个或多个阀122(如可变阀或质量流量控制器)的一个或多个导管)耦接到工厂界面腔室108c。阀122允许调节到工厂界面腔室108c中的净化气体109的流动。

从净化气体源119供应的净化气体109可以在其中具有相对低的湿度水平。特定地，通过一种适当的测量(measure)，净化气体109在室温下可以具有1％或更低的相对湿度水平。在一些实施方式中，且通过另一种测量，净化气体109中可具有小于500ppmv的h2o、小于100ppmv的h2o、或甚至小于10ppmv的h2o。

更详细地来说，工厂界面净化设备101可控制工厂界面腔室108c内的环境中的以下至少一个：

1)相对湿度水平(室温下的％rh)，

2)o2的量，

3)惰性气体的量，及

4)化学污染物的量(如胺、碱、一种或多种挥发性有机化合物(voc)的量或类似者)。

可监测和/或控制工厂界面腔室108c的其他环境条件，如进出工厂界面腔室108c的气体流率、工厂界面腔室108c内的腔室压力或两者。

工厂界面净化设备101进一步包括控制器125，控制器125包含合适的处理器、存储器和电子周边部件，其被配置并适于接收来自一个或多个传感器130(如相对湿度传感器、氧传感器、化学成分传感器、压力传感器、流量传感器、温度传感器及/或类似传感器)的一个或多个信号输入，以及经由来自控制器125的适当控制信号控制流过一个或多个阀122的净化气体109。

控制器125可执行闭环或其他合适的控制方案。在一些实施方式中，控制方案可改变引入工厂界面腔室108c的净化气体109的流率。例如，引入工厂界面腔室108c的净化气体109的流率可以响应于来自一个或多个传感器130的测量的条件。在另一个实施方式中，控制方案可基于之后存在于工厂界面腔室108c内的一个或多个测量的环境条件来决定何时将基板205移送通过工厂界面腔室108c。

从以下内容将显而易见，且在本揭示案的广泛方面中，工厂界面净化设备101可以包括一个或多个加热构件126，其被配置为加热工厂界面腔室108c中所包含的净化气体109。另外，工厂界面净化设备101可包括温度传感器130，其被配置为测量工厂界面腔室108c中的净化气体109的温度。在图1至3所示的实施方式中，温度传感器130可以设置在工厂界面腔室108c中，如在装载/卸载机器人117的操作平面处或附近。然而，温度传感器130可以位于能够获得与在工厂界面腔室108c中流动的净化气体109的温度相关的合适估计值的任何地方。

工厂界面净化设备101进一步包括腔室过滤器组件132，腔室过滤器组件132被配置为过滤从净化气体源119提供给工厂界面腔室108c的净化气体109及通过返回流动路径235的任何再循环净化气体109。腔室过滤器组件132可以安装在工厂界面腔室108c中或者与工厂界面腔室108c耦接的返回流动路径235中。在所示实施方式中，腔室过滤器组件132可以以在工厂界面腔室108c中形成充气室235的方式安装。腔室过滤器组件132可包括特别地，腔室过滤器组件132可以为任何合适的构造。例如，腔室过滤器组件132可以包括例如单独的颗粒过滤器、单独的污染物过滤器或此两者。

当腔室过滤器组件132包括颗粒过滤器时，过滤器被配置为过滤来自净化气体109的流中非常小的颗粒，使得净化气体源119、供应导管和/或阀122和/或返回流动路径235中所包含的任何颗粒不暴露于通过工厂界面腔室108c的基板205。腔室过滤器组件132可具有任何合适的结构，且可以是例如高效过滤空气(hepa)型过滤器。可以使用能去除超过99.97％的尺寸为0.3微米或更大的颗粒的hepa过滤器。然而，可以使用具有高达99.9％或更高的更高粒子过滤能力的各种不同等级的hepa过滤器。可以使用可以去除超过99.5％的中值粒径为0.3微米或更大的颗粒的其他类型的颗粒过滤器。

若腔室过滤器组件132使用污染物过滤器，则污染物过滤器可以被配置为从净化气体109的流中去除某些化学化合物污染物，诸如例如形成酸的可冷凝气体、卤素气体(如氟、氯和/或溴)和碱。

一个或多个加热构件126可以是被配置为直接或间接加热净化气体109的任何合适类型。例如，在一些实施方式中，一个或多个加热构件126可在净化气体109经过、穿过或通过一个或多个加热构件126时加热净化气体109。在其他实施方式中，一个或多个加热构件126可被配置为加热与净化气体109热接触的另一个部件，如腔室过滤器组件132。

如图1至3所示，被配置为加热工厂界面腔室108c中的净化气体109的一个或多个加热构件126图示在腔室过滤器组件132下方且位于工厂界面腔室108c内。净化气体109通过入口234流入工厂界面腔室108c。随后由腔室过滤器组件132过滤净化气体109。在通过腔室过滤器组件132之后，净化气体109可以被一个或多个加热构件126加热。在一个实施方式中，在其中进出门124已经打开从而使腔室过滤器组件132暴露于潮湿的工厂空气的维护之后，关闭进出门且净化气体109的初始(initial)流量相当大。流通过工厂界面腔室108c并通过排气口250流出。初始的目标是排掉潮湿空气并用净化气体109替换它。此初始净化可以持续直到由相对湿度传感器130感测到达到了某个预先建立的相对湿度(rh)水平。此后，通过入口234的净化气体的流率可以减小到低于初始流量的较低流量水平。现在可通过返回流动路径325提供净化气体109的流，其中流通过入流(inflow)236而进入并穿过返回流动路径325且从出流(outflow)238流出到充气室235中。在一些实施方式中，流量阀340可以设置在流动路径325中且可以诸如在初始高流量净化之后打开。

一旦初始高流量净化完成，就可以开始用一个或多个加热构件126加热净化气体109。加热的目的是将在工厂界面腔室108c内循环的净化气体的温度升高到高于rt至少10℃、或升高到32℃或更高。在另外的实施方式中，可能需要将在工厂界面腔室108c内循环的净化气体109的温度升高到高于rt至少15℃、或升高到37℃或更高。在图1至3所绘示的实施方式中，一个或多个加热构件124可以是一个或多个电阻式电加热器。例如，一个或多个电阻式电加热器可以包括一系列细丝(filament)，诸如横跨工厂界面腔室108c延伸的平行细丝。净化气体109流过一个或多个电阻式电加热器有效地加热净化气体109。因此，当净化气体109通过流动路径325再循环时，净化气体109由每个循环继续被加热。可能需要10分钟到一个小时或更长时间来充分加热净化气流的流，使其高于目标温度。在工厂界面腔室108c中达到所需的气体条件之后，可以开始通过工厂界面腔室108c来开始移送基板205。例如，在工厂界面腔室108c中达到的所需气体条件可以是伴随高于预定阈值的温度的低于预定阈值的相对湿度水平。例如，在伴随32℃或更高的工厂界面腔室108c温度工厂界面腔室108c中的相对湿度水平低于5％rh之后，可以开始基板205的移送。这可以提供有利于基板移送的条件，且还允许在处理之后从基板205解吸某些化学化合物，诸如卤素四卤化物，特别是四卤化溴(brominetetrahalide)。

温度传感器130被通信地耦接到加热控制器且被配置为提供与净化气体109的温度相关的信号。可以使用闭环控制策略来引起加热，直到满足先决条件。

可选地，一个或多个加热构件126可以位于其他位置。例如，在图4a所示的电子器件制造设备400的替代实施方式中，被配置为加热工厂界面腔室108c中的净化气体109的一个或多个加热构件126可以包含于位于腔室过滤器组件132上游的充气室235中。充气室235被认为是工厂界面腔室108c的部分。在此实施方式中，如图4b所示，工厂界面腔室净化设备401包括加热构件426，加热构件426被配置为通过在净化气体109进入腔室过滤器组件232之前加热充气室235中的净化气体109来加热工厂界面腔室108c中的净化气体109。该加热可以由加热元件426的多个电阻丝426f来达到。因此，加热元件426设置在腔室过滤器组件232上游的流动路径中。加热元件426可以与腔室过滤器组件232隔开足够的距离，以便不损坏腔室过滤器组件232。例如，加热元件426可以产生介于约1,000瓦至3,000瓦之间的功率。可以使用其他合适的功率水平。

在电子器件制造设备500的另一个实施方式中，工厂界面净化设备501的一个或多个加热构件526可以包含于与工厂界面腔室108c耦接的气体流动路径325中。例如，在一个实施方式中，如图5a-5b所示，一个或多个加热构件526可以包含于流动返回路径325中，该流动返回路径325被配置为将净化气体109的返回流(由箭头527指示)提供到腔室过滤器组件132。例如，一系列小型电阻加热元件526r(诸如包括平行电阻丝)可以沿返回流动路径325分层布置(stage)。例如，每个小型电阻加热元件526r可以产生约200瓦至600瓦之间的功率。所示为五个小型电阻加热元件526r。然而，可以使用更多或更少数量的小型电阻加热元件526r。

在另一个实施方式中，提供工厂界面净化设备600，如图6中最佳所示。在此实施方式中，一个或多个加热构件626被配置为加热与净化气体109热接触的部件。例如，一个或多个加热构件626可以位于充气室235中且可以由辐射加热的方式来加热腔室过滤器组件132。一个或多个加热构件626可以是一个或多个红外加热元件。例如，一个或多个红外加热元件可以是一个或多个红外灯泡或管状红外灯，且可以发射约1.5μm至约8μm范围波长的红外辐射。那么例如，一个或多个加热构件626的总功率输出可以在1,000瓦至3,000瓦之间。

在一个或多个实施方式中，本文所述的工厂界面净化设备101、401、501和601中的各者可通过利用相对湿度传感器130感测工厂界面腔室108c中的rh来监测相对湿度(rh)。可使用任何合适类型的相对湿度传感器，如电容型或其他传感器。例如，rh传感器130可位于工厂界面腔室108c内或在连接到工厂界面腔室108c的管道内，如返回流动路径325。

控制器125可监测rh，且当提供给控制器125的测量的rh信号值高于预定的低rh阈值时，与工厂界面108的装载端口115耦接的一个或多个基板载体116的载体门216d将保持关闭。同样地，装载锁112的狭缝阀223o可保持关闭，直到所测量的rh信号水平达到低于预定的低rh阈值。在一些实施方式中，预定的相对湿度水平在室温(rt)下可以小于10％，在室温下小于5％，在室温下小于2％，或在室温下甚至小于1％。

可测量湿度控制的其他测量值并将其用作预定的低湿度阈值，如低于预定水平的h2o的ppmv。在一个或多个实施方式中，湿度水平的预定低阈值可以是其中包含的小于1,000ppmvh2o，小于300ppmvh2o，小于100ppmvh2o，或在一些实施方式中甚至小于50ppmvh2o。预定的低阈值可以基于在基板205上执行的特定工艺可容许的水气水平。

可通过将适量的净化气体109从净化气体源119流入工厂界面腔室108c来降低rh水平。如本文所述，净化气体109可以是来自净化气体源119的惰性气体，可以是氩气、氮气(n2)、氦气或其混合物。若对于在基板205上施行的特定工艺容许暴露于氧，则在一些实施方式中，干净的干燥空气可以用作净化气体109。干燥氮气(n2)的供应可非常有效地控制工厂界面腔室108c内的环境条件。具有低h2o水平的压缩大量气体(如本文所述)可用作净化气体源119。当基板205通过工厂界面腔室108c移送时，来自净化气体源119的所供应的净化气体109可在基板处理期间填充工厂界面腔室108c。此外，在来自净化气体源119的净化气体109流动期间，可以操作加热构件126、426、526、626以加热净化气体109。

在一些情况下，可以通过响应来自控制器125的控制信号调整耦接到净化气体源119的阀122，来提供在初始净化期间(即，在关闭进出门124之后)提供到工厂界面腔室108c中的净化气体109的流率。在这些初始净化阶段期间，可提供500slm至750slm范围的净化气体109流率。在初始净化阶段期间，可不操作加热元件126、426、526、626。可由输送管线上的合适的流量传感器(未图示)监测流率。

到工厂界面腔室108c中的净化气体(如n2或其他净化气体)流可以用于将工厂界面腔室108c内的相对湿度(rh)水平降低到第一预定阈值水平之下。一旦满足第一预定阈值，就可以打开一个或多个加热构件126、426、526、626以加热工厂界面腔室108c中的净化气体109。利用一个或多个加热构件126、426、526、626的加热可以继续，直到达到低于第一预定阈值的第二相对湿度阈值。可选地，可以操作一个或多个加热构件126、426、526、626，直到达到目标温度阈值。例如，目标阈值温度可以高于室温(rt)10℃，高于室温(rt)15℃，或甚至高于室温(rt)20℃或更高。

在一个或多个实施方式中，一个或多个传感器130包括温度传感器，该温度传感器被配置并适于感测工厂界面腔室108c内的净化气体109的温度。在一些实施方式中，在基板205在装载/卸载机器人117上通过工厂界面腔室108c时，温度传感器130可紧邻基板205的路径放置。在一些实施方式中，温度传感器130可以是热电偶或热敏电阻。可以使用其他合适的温度传感器类型。

加热净化气体109有助于确保腔室过滤器组件132的由于维护而产生的任何水气污染物从其快速去除，使得在结束维护时段之后可以再次开始处理基板205。因此，可以显著减少在维护时段之后恢复处理基板205的时间。例如，从进出门124关闭到处理基板205的时间可以是例如小于10小时、小于5小时、或甚至小于3小时。

此外，一旦基板205的处理再次开始基板245，则净化气体109的加热具有允许基板205上所吸收的化学化合物在低湿度环境中更快速解吸的进一步效果。因此，离开装载锁定腔室112a、112b并通过工厂界面腔室108c的基板205不仅暴露于适当的低湿度环境，而且暴露于有助于解吸某些化学化合物(如四卤化硅，特别是四卤化溴)的加热环境。

在基板处理需要低氧(o2)水平的一些实施方式中，例如，当工厂界面腔室108c中所测量的氧(o2)水平下降到低于预定氧阈值水平时可满足环境先决条件。氧(o2)水平可由一个或多个传感器130感测，如通过氧传感器。若所测量的氧(o2)水平下降到低于预定的氧阈值水平(例如，小于50ppmo2、小于10ppmo2、小于5ppmo2，或甚至小于3ppmo2，或甚至更低)，则可通过工厂界面腔室108c进行基板205的交换。根据发生的处理，可使用其他合适的氧水平阈值。如前所述，一旦满足初始o2阈值，在完成初始维护后净化(post-servicepurge)之后，可以操作加热元件126、526、526、626以达到额外的阈值，诸如o2水平和/或rh水平和/或净化气体109的温度。若没有满足工厂界面腔室108c中的预定氧阈值水平，则控制器125将向与净化气体源119耦接的阀122发起控制信号以及使净化气体109流入工厂界面腔室108c中，直到满足预定的低氧阈值水平，所述预定的低氧阈值水平由从o2传感器130接收信号的控制器125所确定。

一旦满足预定的低氧阈值水平且达到工厂界面腔室108c中的第二rh阈值或净化气体109的温度，则可打开载体门216d和/或一个或多个装载锁定腔室112a、112b的装载锁定狭缝阀2230。这有助于确保离开装载锁定腔室112a、112b并通过工厂界面腔室108c的基板205不仅暴露于相对低的氧水平，而且还暴露于适当加热的环境，该适当加热的环境可以帮助在处理之后从基板205解吸某些化学化合物。

在本文描述的所示实施方式中，除了工厂界面腔室净化设备101、401、501、601之外，电子器件处理设备100、400、500、600可进一步包括载体净化设备136。载体净化设备136包括耦接到载体116的净化气体源(例如净化气体源119)。特定地，净化气体109可经由导管146和一个或多个阀122提供，该阀122被配置并适于控制净化气体109从净化气体源119的流动。可提供净化气体109以在打开载体门216d之前净化载体116的内部247(图2)。当在工厂界面腔室108c内满足环境条件时(诸如当满足rh阈值和温度阈值时)，可以打开载体门216d。

在一些实施方式中，工厂界面腔室净化设备101、401、501、601可以被配置为在进出门124打开时将包括干净的干燥空气的净化气体供应到腔室过滤器组件132。可以刚好在打开进出门124之前启动(initiate)包括干净的干燥空气的净化气体的流动，以便从工厂界面腔室108c冲洗任何惰性气体并为打开进出门124时维护人员进入提供合适的可呼吸空气环境。干净的干燥空气流可在进出门124打开的整个时间内继续流动。当进出门124打开时，使包括干净的干燥空气的净化气体流过腔室过滤器132可以最小化周围空气中所包含的湿气(水气)所带来的腔室过滤器132的污染，所述周围空气从工厂界面108外的工厂环境通过进出门124进入工厂界面腔室108c。

当在维护之后关闭进出门124时，可实施本揭示案的净化控制方法700。方法700(如图7中最佳所示)包括，在702，提供工厂界面腔室(例如工厂界面腔室108c)，及在704，在工厂界面腔室中提供净化气体(例如净化气体109)。净化气体109的流动可以来自任何合适的净化气体源119。一旦达到工厂界面腔室108c中的净化气体109的合适阈值水平(诸如第一低rh阈值)，则在706，可以开始加热净化气体109。此加热可以继续直到达到第二阈值，诸如低于第一阈值的第二低rh水平阈值或温度阈值或两者。在一些实施方式中，一旦达到合适的阈值，则热水平可以是继续的，但是在较低的功率水平下。

根据另一实施方式，描述了适于在结束维护时段之后使用的净化控制方法800。净化控制方法800包括在802，关闭到工厂界面腔室(例如工厂界面腔室108c)的进出门(例如进出门124)。在804，方法800包括向工厂界面腔室提供净化气体流。当净化气体是惰性气体(诸如n2)时，可在进出门124关闭之后开始804中的提供净化气体流。可选地，当净化气体109是干净的干燥空气时，可以在打开门124之前提供净化气体且在进出门124被打开的维护时段期间继续提供净化气体。

方法800进一步包括在806中开始净化气体加热。可以在完成初始高流量净化之后开始净化气体加热。例如，加热器件126、426、526、626被供电以加热净化气体109的点可以是在工厂界面腔室108c中达到第一低rh水平阈值时。

方法800可以进一步可选地包括，在808，当达到净化气体109的期望阈值水平时停止净化气体加热。例如，期望的阈值水平可以是第二低rh水平或净化气体109的温度，或两者。可选地，在810，不是停止净化加热，而是当达到净化气体109的期望阈值水平(例如rh水水平、温度或两者)时，可以降低净化加热的水平。

从前面所述将显而易见的是，本文所述的工厂界面腔室净化设备101、401、501、601的使用可用于控制工厂界面腔室108c内的环境以满足某些环境条件，但亦可经由提供适当的净化气体加热以确保腔室过滤器132的任何水气污染被最小化且/或容易地去除，来允许在维护时段之后更快地恢复基板205的处理。

因此，在维护工厂界面腔室108c中的部件之后，可显著缩短恢复处理基板205的时间，诸如缩短到在进出门124关闭后约小于约10小时、小于约5小时、小于4小时、小于2小时、或甚至小于约1小时。

以上说明仅揭露了本揭示案的示例实施方式。落入本揭示案范围内的以上揭露的设备和方法的修改对于本领域普通技术人员将是显而易见的。因此，应当理解，其他实施方式可落入由权利要求书所界定的本揭示案的范围内。