一种显示基板的制备方法、显示基板及显示装置与流程

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示基板的制备方法、显示基板及显示装置。

背景技术：

有机发光二极管(oled)具有自发光、轻薄可折叠、色域广、对比度高等优点，在显示和照明等应用领域引起了业界广泛的关注。

现有的oled显示产品，在进行单个像素点亮时，存在相邻的像素点也点亮的串扰现象，例如只点亮绿光子像素时，周围的红光子像素也会发光，使得显示画面整体发红。这种现象使得oled色纯度差，混色效果严重，显示效果较差。

技术实现要素：

本发明提供一种显示基板的制备方法、显示基板及显示装置，以解决显示串扰问题，提高色纯度。

为了解决上述问题，本发明公开了一种显示基板，包括：

基板，所述基板包括多个像素区域，各所述像素区域包括多个子像素区域；

层叠设置在所述基板一侧的阳极层、有机功能层和阴极层；

其中，所述阳极层靠近所述基板设置，所述有机功能层包括图案化设置在所述阳极层背离所述基板一侧的空穴注入层，所述空穴注入层包括多个分立设置的空穴注入块，各所述空穴注入块对应不同的子像素区域，各所述空穴注入块在所述基板上的正投影覆盖对应子像素区域的开口区域。

在一种可选的实现方式中，所述有机功能层还包括：

图案化设置在所述空穴注入层背离所述基板一侧的空穴传输层；

以及图案化设置在所述空穴传输层背离所述基板一侧的发光层；

其中，所述空穴传输层以及所述发光层在所述基板上的正投影均与所述空穴注入层在所述基板上的正投影完全重叠。

在一种可选的实现方式中，所述有机功能层还包括：

图案化设置在所述发光层背离所述基板一侧的电子传输层，所述电子传输层在所述基板上的正投影与所述空穴注入层在所述基板上的正投影完全重叠。

在一种可选的实现方式中，所述阴极层在所述基板上的正投影与所述空穴注入层在所述基板上的正投影完全重叠。

为了解决上述问题，本发明还公开了一种显示装置，包括任一实施例所述的显示基板。

为了解决上述问题，本发明还公开了一种显示基板的制备方法，所述制备方法包括：

提供基板，所述基板包括多个像素区域，各所述像素区域包括多个子像素区域；

在所述基板的一侧形成阳极层；

在所述阳极层背离所述基板的一侧依次形成有机功能层和阴极层；

其中，所述有机功能层包括图案化设置在所述阳极层背离所述基板一侧的空穴注入层，所述空穴注入层包括多个分立设置的空穴注入块，各所述空穴注入块对应不同的子像素区域，各所述空穴注入块在所述基板上的正投影覆盖对应子像素区域的开口区域。

在一种可选的实现方式中，所述在所述阳极层背离所述基板的一侧依次形成有机功能层和阴极层的步骤，包括：

在所述阳极层背离所述基板的一侧依次涂布牺牲层和光刻胶；

对第一预设区域的光刻胶进行曝光和显影，所述第一预设区域在所述基板上的正投影覆盖各所述子像素区域的开口区域；

对牺牲层进行显影，使显影后的牺牲层相对于显影后的光刻胶缩进；

在所述阳极层以及光刻胶背离所述基板的一侧形成空穴注入层材料；

剥离剩余的牺牲层和光刻胶，得到所述空穴注入层；

在所述空穴注入层背离所述基板的一侧依次形成空穴传输层、发光层、电子传输层和所述阴极层。

在一种可选的实现方式中，各所述像素区域包括第一子像素区域，所述在所述阳极层背离所述基板的一侧依次形成有机功能层和阴极层的步骤，包括：

在所述阳极层背离所述基板的一侧依次涂布牺牲层和光刻胶；

对第二预设区域的光刻胶进行曝光和显影，所述第二预设区域在所述基板上的正投影覆盖各所述第一子像素区域的开口区域；

对牺牲层进行显影，使显影后的牺牲层相对于显影后的光刻胶缩进；

在所述阳极层以及光刻胶背离所述基板的一侧依次形成空穴注入层材料、空穴传输层材料和发光层材料；

剥离剩余的牺牲层和光刻胶，得到所述第一子像素区域的空穴注入层、空穴传输层和发光层；

各所述子像素区域的空穴注入层、空穴传输层和发光层完成之后，在所述发光层背离所述基板的一侧依次形成电子传输层和所述阴极层。

在一种可选的实现方式中，各所述像素区域包括第一子像素区域，所述在所述阳极层背离所述基板的一侧依次形成有机功能层和阴极层的步骤，包括：

在所述阳极层背离所述基板的一侧依次涂布牺牲层和光刻胶；

对第三预设区域的光刻胶进行曝光和显影，所述第三预设区域在所述基板上的正投影覆盖各所述第一子像素区域的开口区域；

对牺牲层进行显影，使显影后的牺牲层相对于显影后的光刻胶缩进；

在所述阳极层以及光刻胶背离所述基板的一侧依次形成空穴注入层材料、空穴传输层材料、发光层材料和电子传输层材料；

剥离剩余的牺牲层和光刻胶，得到所述第一子像素区域的空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层；

各所述子像素区域的空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层完成之后，在所述电子传输层背离所述基板的一侧形成所述阴极层。

在一种可选的实现方式中，各所述像素区域包括第一子像素区域，所述在所述阳极层背离所述基板的一侧依次形成有机功能层和阴极层的步骤，包括：

在所述阳极层背离所述基板的一侧依次涂布牺牲层和光刻胶；

对第四预设区域的光刻胶进行曝光和显影，所述第四预设区域在所述基板上的正投影覆盖各所述第一子像素区域的开口区域；

对牺牲层进行显影，使显影后的牺牲层相对于显影后的光刻胶缩进；

在所述阳极层以及光刻胶背离所述基板的一侧依次形成空穴注入层材料、空穴传输层材料、发光层材料、电子传输层材料和阴极材料；

剥离剩余的牺牲层和光刻胶，得到所述第一子像素区域的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极层。

与现有技术相比，本发明包括以下优点：

本申请技术方案提供了一种显示基板的制备方法、显示基板及显示装置，其中显示基板包括基板，基板包括多个像素区域，各像素区域包括多个子像素区域；层叠设置在基板一侧的阳极层、有机功能层和阴极层；其中，阳极层靠近基板设置，有机功能层包括图案化设置在阳极层背离基板一侧的空穴注入层，空穴注入层包括多个分立设置的空穴注入块，各空穴注入块对应不同的子像素区域，各空穴注入块在基板上的正投影覆盖对应子像素区域的开口区域。本申请技术方案通过将空穴注入层设置为不连续的膜层，即分立设置各子像素区域对应的空穴注入块，从而消除不同子像素区域的p-dopant在空穴注入层内的横向迁移，从而有效避免信号串扰问题，提高色纯度，改善显示性能并提升良率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1示出了相关技术中一种显示基板的剖面结构示意图；

图2示出了本申请一实施例提供的第一种显示基板的剖面结构示意图；

图3示出了本申请一实施例提供的第二种显示基板的剖面结构示意图；

图4示出了本申请一实施例提供的第三种显示基板的剖面结构示意图；

图5示出了本申请一实施例提供的第四种显示基板的剖面结构示意图；

图6示出了本申请一实施例提供的显示基板的制备方法的步骤流程图；

图7示出了本申请一实施例提供的第一种显示基板的制备方法的流程图；

图8示出了本申请一实施例提供的第二种显示基板的制备方法的流程图；

图9示出了本申请一实施例提供的第三种显示基板的制备方法的流程图；

图10示出了本申请一实施例提供的第四种显示基板的制备方法的流程图；

图11示出了本申请一实施例提供的第一种显示基板的制备流程示意图；

图12示出了本申请一实施例提供的第二种显示基板的制备流程示意图；

图13示出了本申请一实施例提供的第三种显示基板的制备流程示意图；

图14示出了本申请一实施例提供的第四种显示基板的制备流程示意图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。

发明人对相关技术中存在的串扰问题进行了分析，发现在oled显示基板制备过程中，由于空穴注入层采用p-dopant(p型掺杂)与空穴传输层材料共蒸掺杂的方式制备，并且r、g、b三个子像素的空穴注入层hil是共通的共通结构，如图1所示，该hil膜层是通过整面蒸镀或旋涂的方式制备成膜，因此当空穴注入性能较强时，横向的电荷迁移会导致串扰(crosstalk)现象的出现，即在进行单个子像素点亮时，由于p-dopant在共通的空穴注入层内迁移，出现相邻的子像素点也点亮的现象。

如果通过降低空穴注入层中的p-doping比例，减少横向迁移来改善信号串扰，又会出现随着p-doping比例的降低，空穴注入能力变差，进而导致电压升高或器件内载流子不平衡等问题。

为了解决信号串扰问题，提高色纯度，本申请一实施例提供了一种显示基板，参照图2，该显示基板可以包括：基板20，基板20包括多个像素区域，各像素区域包括多个子像素区域，如红色子像素区域、绿色子像素区域和蓝色子像素区域等；显示基板还包括层叠设置在基板20一侧的阳极层21、有机功能层22和阴极层23。

其中，阳极层21可以靠近基板20设置，有机功能层22可以包括图案化设置在阳极层21背离基板20一侧的空穴注入层221，空穴注入层221包括多个分立设置的空穴注入块2211，各空穴注入块2211对应不同的子像素区域，各空穴注入块2211在基板20上的正投影覆盖对应子像素区域的开口区域。

空穴注入层221主要作用为降低空穴注入势垒，提高空穴注入效率。空穴注入层221可以采用p型掺杂，即将p型掺杂材料(b)和空穴传输型材料(a)共蒸形成空穴注入层221(a∶b)，如npb∶f4tcnq，tapc∶moo3等。空穴注入层221的厚度范围可以为5nm～20nm，p型掺杂材料b的掺杂浓度可以为0.5％～10％。空穴传输型材料a可以是芳胺类化合物，其取代基团可以是咔唑，甲基芴，螺芴，二苯并噻吩、呋喃等等。空穴传输型材料a的homo能级|homo(a)|≥5.0ev，随着空穴传输型材料a的homo能级越深，p型掺杂材料b的掺杂比例越高。空穴注入层221可以为单层膜结构或多层膜结构，可选用材料包括hatcn，cupc，pedot∶pss，niox等。

在实际应用中，有机功能层22还可以包括：依次层叠设置在空穴注入层221背离基板20一侧的空穴传输层htl、发光层eml以及电子传输层etl。其中，发光层eml包括位于红色子像素区域的红色发光层r、位于绿色子像素区域的绿色发光层g以及位于蓝色子像素区域的蓝色发光层b。空穴传输层htl或电子传输层etl可以为连续膜层，如图2所示出的；还可以为不连续膜层，后续实施例会详细描述。

本实施例提供的显示基板，通过将空穴注入层图案化，将共通的空穴注入层变为子像素间独立的空穴注入块，从而消除p-dopant在空穴注入层内不同子像素区域间的横向迁移，能有效避免信号串扰的问题，避免因串扰造成的器件显示不良，提高色纯度，改善显示性能并提升良率。

在一种可选的实现方式中，参照图3，有机功能层22还可以包括：图案化设置在空穴注入层221背离基板20一侧的空穴传输层31；以及图案化设置在空穴传输层31背离基板20一侧的发光层32；其中，空穴传输层31以及发光层32在基板20上的正投影均与空穴注入层221在基板20上的正投影完全重叠。

本实现方式中，将空穴注入层221和空穴传输层31图案化，能够消除不同子像素区域的p-dopant在空穴注入层221以及空穴传输层31内的横向迁移，进一步避免信号串扰的问题。同时，本实现方式中的显示基板在制备过程中可以不需要高精度金属掩膜版fmm(finemetalmask)，开口区域不会受到fmm的限制，因此可以增大开口率，实现各子像素区域的开口率之和大于25％，甚至大于50％或者70％。另外，由于不需要使用fmm，因此在一定程度上可以降低成本。

在一种可选的实现方式中，参照图4，有机功能层22还可以包括：图案化设置在发光层32背离基板20一侧的电子传输层41，电子传输层41在基板20上的正投影与空穴注入层221在基板20上的正投影完全重叠。

图4示出的显示基板，有机功能层22所包括的空穴注入层221、空穴传输层31、发光层32以及电子传输层41均为不连续膜层，都进行了图案化处理，能有效避免信号串扰问题。同时，本实现方式中的显示基板在制备过程中可以不需要高精度金属掩膜版fmm(finemetalmask)，开口区域不会受到fmm的限制，因此可以增大开口率，实现各子像素区域的开口率之和大于25％，甚至大于50％或者70％。另外，由于不需要使用fmm，因此在一定程度上可以降低成本。

参照图5，阴极层23在基板20上的正投影与空穴注入层221在基板20上的正投影完全重叠。

图5示出的显示基板，有机功能层22以及阴极层23均是不连续膜层，都进行了图案化处理，能有效避免信号串扰问题，制备过程中不需要fmm，能够降低成本、提高开口率；而且，由于阴极层23的材料通常为金属材料，通过图案化设置阴极层23，可以增大顶发射显示基板的透过率，有望实现透明显示。

本实施例提供的显示基板，阴极层以及有机功能层中的空穴注入层(hil)、空穴传输层(htl)、发光层(eml)和电子传输层(etl)，各膜层均可为不连续膜层，至少空穴注入层hil设置为不连续膜层，能有效改善oled显示的串扰现象。

本申请另一实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括任一实施例所述的显示基板。

需要说明的是，本实施例中的显示装置可以为：显示面板、电子纸、手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有2d或3d显示功能的产品或部件。

本申请另一实施例还提供了一种显示基板的制备方法，参照图6，制备方法包括：

步骤601：提供基板，基板包括多个像素区域，各像素区域包括多个子像素区域。

步骤602：在基板的一侧形成阳极层。

步骤603：在阳极层背离基板的一侧依次形成有机功能层和阴极层，其中，有机功能层包括图案化设置在阳极层背离基板一侧的空穴注入层，空穴注入层包括多个分立设置的空穴注入块，各空穴注入块对应不同的子像素区域，各空穴注入块在基板上的正投影覆盖对应子像素区域的开口区域。

其中，可以采用高精度金属掩膜版fmm蒸镀形成图案化的空穴注入层，还可以采用剥离工艺形成图案化的空穴注入层，后续实施例会详细介绍剥离工艺制备的详细过程。

采用本实施例提供的制备方法可以制备得到如2至图5所示的显示基板。

在一种可选的实现方式中，参照图7和图11，步骤602可以包括：

步骤701：在阳极层背离基板的一侧依次涂布牺牲层和光刻胶。

步骤702：对第一预设区域的光刻胶进行曝光和显影，第一预设区域在基板上的正投影覆盖各子像素区域的开口区域。

步骤703：对牺牲层进行显影，使显影后的牺牲层相对于显影后的光刻胶缩进。

在具体实现中，首先在阳极层背离基板的一侧旋涂一层牺牲层，经过软烘后，再旋涂一层光刻胶(光刻胶)，之后进行烘烤，然后对光刻胶进行曝光和显影，之后再进行牺牲层的显影，显影后的牺牲层相对于显影后光刻胶要有一定量的缩进，左右可以各缩进1～3um，得到如图11a中的剥离结构。其中，牺牲层的材料可以为含氟高分子材料，牺牲层的厚度范围可以为650nm～970nm，光刻胶(pr胶)的厚度范围可以为1～2um。

步骤704：在阳极层以及光刻胶背离基板的一侧形成空穴注入层材料。

在具体实现中，可以将图11a所示的基板放入蒸镀腔室中，蒸镀空穴注入层材料，待蒸镀完成，得到如图11b所示的结构。

在另一种实现方式中，还可以采用旋涂、打印等溶液制程在图11a所示的基板上制备空穴注入层，得到如图11b所示的结构。采用溶液制程制备空穴注入层可以减少蒸镀开腔次数，减少工艺时间。

步骤705：剥离剩余的牺牲层和光刻胶，得到空穴注入层。

在具体实现中，可以将图11b所示的基板放在剥离液中进行浸泡，浸泡1～15min，具体可以为1～7min；然后再进行烘烤，烘烤温度为65℃～85℃，以去除剥离液，避免剥离液残留，剥离后得到如图11c所示的结构。

其中，剥离液可以溶解剥离结构中的牺牲层，从而移除剥离结构。剥离液可以为一种全氟醚或者氟醚类的溶剂，不会对空穴注入层的主体产生影响，同时该剥离液也不会溶解空穴注入层中的p-dopant。

需要说明的是，若采用溶液制程制备空穴注入层，溶液制程所采用的空穴注入层的溶剂与剥离液互为正交溶剂，即剥离液不会对空穴注入层造成溶解。

步骤706：在空穴注入层背离基板的一侧依次形成空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极层。

在具体实现中，在形成图案化的空穴注入层之后，可以将11c所示的基板放回蒸镀腔室中，依次蒸镀空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极层等，得到如图11d或图2所示的显示基板。

在一种可选的实现方式中，各像素区域包括第一子像素区域(如图12示出的红色子像素区域，还可以为绿色子像素区域或者蓝色子像素区域)，参照图8和图12，步骤602可以包括：

步骤801：在阳极层背离基板的一侧依次涂布牺牲层和光刻胶。

步骤802：对第二预设区域的光刻胶进行曝光和显影，第二预设区域在基板上的正投影覆盖各第一子像素区域的开口区域。

步骤803：对牺牲层进行显影，使显影后的牺牲层相对于显影后的光刻胶缩进。

该实现方式中的步骤801至步骤803与上述的步骤701至步骤703相似，区别在于，步骤703是对红色子像素区域、绿色子像素区域和蓝色子像素区域等子像素区域的牺牲层和光刻胶同时进行曝光和显影，步骤803是仅对第一子像素区域如红色子像素区域的牺牲层和光刻胶进行曝光和显影，其余子像素区域仍覆盖牺牲层和光刻胶，步骤803完成后可以得到如图12a所示的结构。

步骤804：在阳极层以及光刻胶背离基板的一侧依次形成空穴注入层材料、空穴传输层材料和发光层材料。

在具体实现中，可以将图12a所示的基板放入蒸镀腔室中，依次蒸镀空穴注入层材料、空穴传输层材料和发光层材料，待蒸镀完成，得到如图12b所示的结构。

在另一种实现方式中，还可以采用旋涂、打印等溶液制程在图12a所示的基板上制备空穴注入层、空穴传输层和发光层，得到如图12b所示的结构。采用溶液制程制备可以减少蒸镀开腔次数，减少工艺时间。

步骤805：剥离剩余的牺牲层和光刻胶，得到第一子像素区域的空穴注入层、空穴传输层和发光层。

步骤805与上述步骤705相同或相似，这里不再赘述。本步骤完成剥离后得到如图12c所示的结构。

之后重复步骤801至步骤805，依次完成其它子像素区域(绿色子像素区域以及蓝色子像素区域等)的空穴注入层、空穴传输层和发光层的制备。其中，为了形成绿色子像素区域的空穴注入层、空穴传输层和发光层，需要对绿色子像素区域的牺牲层和光刻胶进行曝光和显影，形成如图12d所示的剥离结构，然后再进行蒸镀和剥离工艺，完成绿色子像素区域的有机功能层制备，重复同样的步骤，可以完成剩余子像素区域(如蓝色子像素区域)的有机功能层制备。

步骤806：各子像素区域的空穴注入层、空穴传输层和发光层完成之后，在发光层背离基板的一侧依次形成电子传输层和阴极层。

在具体实现中，在形成所有子像素区域的发光层之后，可以将基板放回蒸镀腔室中，依次蒸镀电子传输层和阴极层等，得到如图12e或图3所示的显示基板。

本实施例提供的制备方法，不再需要高精度金属掩膜版fmm进行蒸镀有机功能层(包括发光层)，降低成本的同时能够提高各子像素区域的开口率。

在一种可选的实现方式中，各像素区域包括第一子像素区域(如图13示出的红色子像素区域，还可以为绿色子像素区域或者蓝色子像素区域)，参照图9和图13，步骤602可以包括：

步骤901：在阳极层背离基板的一侧依次涂布牺牲层和光刻胶。

步骤902：对第三预设区域的光刻胶进行曝光和显影，第三预设区域在基板上的正投影覆盖各第一子像素区域的开口区域。

步骤903：对牺牲层进行显影，使显影后的牺牲层相对于显影后的光刻胶缩进。

该实现方式中的步骤901至步骤903与上述的步骤801至步骤803相同或相似，同样仅对第一子像素区域如红色子像素区域的牺牲层和光刻胶进行曝光和显影，其余子像素区域仍覆盖牺牲层和光刻胶，步骤903完成后可以得到如图13a所示的结构。

步骤904：在阳极层以及光刻胶背离基板的一侧依次形成空穴注入层材料、空穴传输层材料、发光层材料和电子传输层材料。

在具体实现中，可以将图13a所示的基板放入蒸镀腔室中，依次蒸镀空穴注入层材料、空穴传输层材料、发光层材料和电子传输层材料，待蒸镀完成，得到如图13b所示的结构。

在另一种实现方式中，还可以采用旋涂、打印等溶液制程在图13a所示的基板上制备空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层，得到如图13b所示的结构。采用溶液制程制备可以减少蒸镀开腔次数，减少工艺时间。

步骤905：剥离剩余的牺牲层和光刻胶，得到第一子像素区域的空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层。

步骤905与上述步骤705相同或相似，这里不再赘述。本步骤完成剥离后得到如图13c所示的结构。然后重复步骤901至步骤905，依次完成其它子像素区域(绿色子像素区域以及蓝色子像素区域等)的空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层的制备。

步骤906：各子像素区域的空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层完成之后，在电子传输层背离基板的一侧形成阴极层。

在具体实现中，在形成所有子像素区域的电子传输层之后，可以将基板放回蒸镀腔室中，蒸镀阴极层等，得到如图13d或图4所示的显示基板。

本实施例提供的制备方法，不再需要高精度金属掩膜版fmm进行蒸镀有机功能层(包括发光层)，降低成本的同时能够提高各子像素区域的开口率。

在一种可选的实现方式中，各像素区域包括第一子像素区域(如图14示出的红色子像素区域，还可以为绿色子像素区域或者蓝色子像素区域)，参照图10和图14，步骤602可以包括：

步骤1001：在阳极层背离基板的一侧依次涂布牺牲层和光刻胶。

步骤1002：对第四预设区域的光刻胶进行曝光和显影，第四预设区域在基板上的正投影覆盖各第一子像素区域的开口区域。

步骤1003：对牺牲层进行显影，使显影后的牺牲层相对于显影后的光刻胶缩进。

该实现方式中的步骤1001至步骤1003与上述的步骤801至步骤803相同或相似，同样仅对第一子像素区域如红色子像素区域的牺牲层和光刻胶进行曝光和显影，其余子像素区域仍覆盖牺牲层和光刻胶，步骤1003完成后可以得到如图14a所示的结构。

步骤1004：在阳极层以及光刻胶背离基板的一侧依次形成空穴注入层材料、空穴传输层材料、发光层材料、电子传输层材料和阴极材料。

在具体实现中，可以将图14a所示的基板放入蒸镀腔室中，依次蒸镀空穴注入层材料、空穴传输层材料、发光层材料、电子传输层材料和阴极层材料，待蒸镀完成，得到如图14b所示的结构。

在另一种实现方式中，还可以采用旋涂、打印等溶液制程在图14a所示的基板上制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极层，得到如图14b所示的结构。采用溶液制程制备可以减少蒸镀开腔次数，减少工艺时间。

步骤1005：剥离剩余的牺牲层和光刻胶，得到第一子像素区域的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极层。

步骤1005与上述步骤705相同或相似，这里不再赘述。本步骤完成剥离后得到如图14c所示的结构。然后重复步骤1001至步骤1005，依次完成其它子像素区域(绿色子像素区域以及蓝色子像素区域)的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极层，得到如图14d或图5所示的显示基板。

本实施例提供的制备方法，不再需要高精度金属掩膜版fmm进行蒸镀有机功能层(包括发光层)，降低成本的同时能够提高子像素区域的开口率。

本实施例提供的制备方法，通过采用一系列剥离工艺，至少将空穴注入层进行图案化，无需改变openmask，使共通的空穴传输层变成像素间独立的结构，从而解决相邻子像素区域之间的信号串扰问题。

本实施例提供了一种显示基板的制备方法、显示基板及显示装置，其中显示基板包括基板，基板包括多个像素区域，各像素区域包括多个子像素区域；层叠设置在基板一侧的阳极层、有机功能层和阴极层；其中，阳极层靠近基板设置，有机功能层包括图案化设置在阳极层背离基板一侧的空穴注入层，空穴注入层包括多个分立设置的空穴注入块，各空穴注入块对应不同的子像素区域，各空穴注入块在基板上的正投影覆盖对应子像素区域的开口区域。本申请技术方案通过将空穴注入层设置为不连续的膜层，即各子像素区域对应的空穴注入块独立设置，从而消除不同子像素区域的p-dopant在空穴注入层内的横向迁移，能有效避免信号串扰的问题，提高色纯度，改善显示性能并提升良率。

本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。

最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语″包括″、″包含″或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、商品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、商品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句″包括一个......″限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、商品或者设备中还存在另外的相同要素。

以上对本发明所提供的一种显示基板的制备方法、显示基板及显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。