1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底的部分表面形成有金属层；
在所述衬底和所述金属层的表面形成氧化层，所述氧化层的上表面的最低位置高于所述金属层的上表面一设定值；
对所述氧化层进行平坦化处理；以及
在所述氧化层的表面形成钝化层。
2.如权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述设定值的范围为
3.如权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述钝化层的厚度范围为
4.如权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述金属层的厚度范围为
5.如权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，采用等离子体增强的化学气相沉积法形成所述氧化层和所述钝化层。
6.如权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，采用化学机械研磨方法对所述氧化层进行平坦化处理。
7.如权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述半导体结构的制备方法还包括：
在所述钝化层的表面形成光刻胶层；
对所述光刻胶层进行光刻，形成图案化的光刻胶层；以及
以所述图案化的光刻胶层为掩模层依次刻蚀所述钝化层和所述氧化层，以暴露出部分所述金属层。
8.如权利要求7所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述光刻胶层的厚度范围为
9.如权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述氧化层的材料包括正硅酸乙酯。
10.如权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述钝化层的材料包括氮化硅、氮氧化硅或碳化硅。