一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示
目.0
【背景技术】
[0002]在诸如液晶显示面板(LCD，Liquid Crystal Display)或有机电致发光显示面板(OLED，Organic Light Emitting D1de)之类的平板显示面板中，阵列基板上的薄膜晶体管(Thin Film Transistor, TFT)可以被用作开关薄膜晶体管，也可以被用作驱动薄膜晶体管。
[0003]在上述平板显示面板中，对开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管的特性具有不同的要求。开关薄膜晶体管需要具有较大的开态电流，这样，可以保证开关薄膜晶体管具有较高的开关性质；驱动薄膜晶体管需要具有较小的开态电流，这样，可以保证驱动薄膜晶体管具有低电流驱动的性质。
[0004]目前，薄膜晶体管中的有源层一般为非晶硅经过准分子激光退火工艺后形成的多晶娃，多晶娃中载流子的迁移率大于非晶娃中载流子的迁移率。多晶娃中晶粒的尺寸决定载流子的迀移率的大小，载流子的迀移率的大小又决定薄膜晶体管的开态电流的大小，多晶硅中晶粒的尺寸越大，载流子的迀移率越大，薄膜晶体管的开态电流越大。因此，在同一阵列基板上同时制作开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管时，需要分别控制开关薄膜晶体管中多晶硅的晶粒尺寸和驱动薄膜晶体管中多晶硅的晶粒尺寸，以满足开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管对开态电流的不同需求。然而，现有的准分子激光退火工艺无法实现对同一阵列基板上不同类型的薄膜晶体管进行不同程度的晶化，以形成具有不同晶粒尺寸的多晶娃。
[0005]因此，如何利用准分子激光退火工艺对同一阵列基板上不同类型的薄膜晶体管进行不同程度的晶化，是本领域技术人员亟需解决的技术问题。
【发明内容】
[0006]有鉴于此，本发明实施例提供了一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置，用以利用准分子激光退火工艺对同一阵列基板上不同类型的薄膜晶体管进行不同程度的晶化。
[0007]因此，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括:衬底基板以及位于所述衬底基板上的多个薄膜晶体管；各所述薄膜晶体管中的有源层为非晶硅薄膜经过准分子激光退火工艺后形成的多晶硅薄膜；
[0008]所述衬底基板具有多个凹陷部，每个所述凹陷部具有至少一个斜面，每个所述凹陷部的一个斜面上具有一个薄膜晶体管；所述凹陷部划分为至少两种类型，不同种类的凹陷部中具有所述薄膜晶体管的斜面与所述衬底基板的水平面之间的夹角不同。
[0009]本发明实施例提供的上述阵列基板，由于衬底基板具有多个凹陷部，每个凹陷部具有至少一个斜面，每个凹陷部的一个斜面上具有一个薄膜晶体管；凹陷部划分为至少两种类型，不同种类的凹陷部中具有薄膜晶体管的斜面与衬底基板的水平面之间的夹角不同；这样，在薄膜晶体管的有源层的制作过程中，在对各凹陷部中的非晶硅薄膜进行准分子激光退火工艺使非晶硅融化并结晶成多晶硅时，不同种类的凹陷部中的非晶硅薄膜接收的激光能量不同，不同种类的凹陷部中形成的多晶硅薄膜的晶粒尺寸不同，从而可以实现利用准分子激光退火工艺对同一阵列基板上不同类型的薄膜晶体管进行不同程度的晶化。
[0010]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述凹陷部划分为第一凹陷部和第二凹陷部两种类型；其中，
[0011]所述第一凹陷部中具有所述薄膜晶体管的斜面与所述衬底基板的水平面之间的夹角大于所述第二凹陷部中具有所述薄膜晶体管的斜面与所述衬底基板的水平面之间的夹角；
[0012]位于所述第一凹陷部内的薄膜晶体管为驱动薄膜晶体管；位于所述第二凹陷部内的薄膜晶体管为开关薄膜晶体管。
[0013]本发明实施例还提供了一种阵列基板的制作方法，包括:
[0014]对衬底基板进行构图工艺形成包括多个凹陷部的图形；其中，每个所述凹陷部具有至少一个斜面；
[0015]在每个所述凹陷部的一个斜面上形成包括薄膜晶体管的图形；其中，所述凹陷部划分为至少两种类型，不同种类的凹陷部中具有所述薄膜晶体管的斜面与所述衬底基板的水平面之间的夹角不同；各所述薄膜晶体管中的有源层为非晶硅薄膜经过准分子激光退火工艺后形成的多晶硅薄膜。
[0016]本发明实施例提供的上述方法，由于在衬底基板的表面形成多个凹陷部，每个凹陷部具有至少一个斜面，在每个凹陷部的一个斜面上形成一个薄膜晶体管；凹陷部划分为至少两种类型，不同种类的凹陷部中具有薄膜晶体管的斜面与衬底基板的水平面之间的夹角不同；这样，在薄膜晶体管的有源层的制作过程中，在对各凹陷部中的非晶硅薄膜进行准分子激光退火工艺使非晶硅融化并结晶成多晶硅时，不同种类的凹陷部中的非晶硅薄膜接收的激光能量不同，不同种类的凹陷部中形成的多晶硅薄膜的晶粒尺寸不同，从而可以实现利用准分子激光退火工艺对同一阵列基板上不同类型的薄膜晶体管进行不同程度的晶化。
[0017]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述方法中，所述凹陷部划分为第一凹陷部和第二凹陷部两种类型；其中，所述第一凹陷部中具有所述薄膜晶体管的斜面与所述衬底基板的水平面之间的夹角大于所述第二凹陷部中具有所述薄膜晶体管的斜面与所述衬底基板的水平面之间的夹角；
[0018]在每个所述凹陷部的一个斜面上形成包括薄膜晶体管的图形，具体包括:
[0019]在每个所述第一凹陷部的一个斜面上形成包括驱动薄膜晶体管的图形，在每个所述第二凹陷部的一个斜面上形成包括开关薄膜晶体管的图形。
[0020]本发明实施例还提供了一种阵列基板，包括:衬底基板、位于所述衬底基板上的缓冲层以及位于所述缓冲层上的多个薄膜晶体管；各所述薄膜晶体管中的有源层为非晶硅薄膜经过准分子激光退火工艺后形成的多晶硅薄膜；
[0021]所述缓冲层具有多个凹陷部，每个所述凹陷部具有至少一个斜面，每个所述凹陷部的一个斜面上具有一个薄膜晶体管；所述凹陷部划分为至少两种类型，不同种类的凹陷部中具有所述薄膜晶体管的斜面与所述衬底基板的水平面之间的夹角不同。
[0022]本发明实施例提供的上述阵列基板，由于衬底基板上的缓冲层具有多个凹陷部，每个凹陷部具有至少一个斜面，每个凹陷部的一个斜面上具有一个薄膜晶体管；凹陷部划分为至少两种类型，不同种类的凹陷部中具有薄膜晶体管的斜面与衬底基板的水平面之间的夹角不同；这样，在薄膜晶体管的有源层的制作过程中，在对各凹陷部中的非晶硅薄膜进行准分子激光退火工艺使非晶硅融化并结晶成多晶硅时，不同种类的凹陷部中的非晶硅薄膜接收的激光能量不同，不同种类的凹陷部中形成的多晶硅薄膜的晶粒尺寸不同，从而可以实现利用准分子激光退火工艺对同一阵列基板上不同类型的薄膜晶体管进行不同程度的晶化。
[0023]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述凹陷部划分为第一凹陷部和第二凹陷部两种类型；其中，
[0024]所述第一凹陷部中具有所述薄膜晶体管的斜面与所述衬底基板的水平面之间的夹角大于所述第二凹陷部中具有所述薄膜晶体管的斜面与所述衬底基板的水平面之间的夹角；
[0025]位于所述第一凹陷部内的薄膜晶体管为驱动薄膜晶体管；位于所述第二凹陷部内的薄膜晶体管为开关薄膜晶体管。
[0026]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述缓冲层的材料为感光材料。
[0027]本发明实施例还提供了一种阵列基板的制作方法，包括:
[0028]在衬底基板上形成缓冲层；
[0029]对所述缓冲层进行构图工艺形成包括多个凹陷部的图形；其中，每个所述凹陷部具有至少一个斜面；
[0030]在每个所述凹陷部的一个斜面上形成包括薄膜晶体管的图形；其中，所述凹陷部划分为至少两种类型，不同种类的凹陷部中具有所述薄膜晶体管的斜面与所述衬底基板的水平面之间的夹角不同；各所述薄膜晶体管中的有源层为非晶硅薄膜经过准分子激光退火工艺后形成的多晶硅薄膜。
[0031]本发明实施例提供的上述方