一种阵列基板的制备方法及阵列基板的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明属于有机发光显示器件领域，具体涉及一种阵列基板的制备方法及通过该方法得到的阵列基板。
【背景技术】
[0002]有机发光显示器件(OLED )是主动发光器件。相比现在的主流平板显示技术薄膜晶体管液晶显示器(TFT -1XD )，OLED具有高对比度，广视角，低功耗，体积更薄等优点，有望成为继LCD之后的下一代平板显示技术，是目前平板显示技术中受到关注最多的技术之一。 为了提高显示器的分辨率而使得像素尺寸缩小之时，每一个像素内可以用于放置储存电容器的面积也必须相对地缩小，以保持像素的开口率，因此研究者一直不断地寻求将有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)电路中阵列基板的储存电容器所需的面积最小化的方法。为了在不影响像素的开口率的情况下增加电荷储存容量；或者是在增加有机发光显示器的像素开口率的情况下维持电荷储存容量。而现有的AMOLED像素电路的阵列基板中电容第四绝缘层厚度较厚，导致电容占据面积较大，降低了像素区开口率。随着显示面板的大尺寸化，显示装置的功耗越来越高，研究发现增大存储电容可有效增大驱动阶段的电流，从而有效降低功耗；另外，存储电容增大还可以有效降低会引起显示屏闪烁、灰度错乱等问题的跳变电压。因此，在不影响显示装置开口率的条件下，应尽量提高电容值。目前在提高电容值方面主要存在的问题是，一般都需要增加一次光刻工艺才能将介质成厚度降低，这样造成工艺复杂，并增加了成本。
【发明内容】
[0003]为了解决上述技术问题，本发明提供了一种全新的阵列基板制备方法，及利用该方法得到的阵列基板。
[0004]本发明提供的阵列基板的制备方法，包括如下步骤:
该阵列基板包括电容器区和薄膜晶体管区，电容器区形成电容下极板后，在电容下极板上依次形成覆盖电容器区和薄膜晶体管区的第三绝缘层和第四绝缘层；将第四绝缘层对应于电容下极板上方的部分刻蚀除去；以第四绝缘层作为阻挡层对第三绝缘层进行刻蚀，将第三绝缘层的对应于电容下极板的部分刻蚀为均匀的薄层。
[0005]该阵列基板的制备方法还包括如下步骤:在第四绝缘层上形成覆盖电容器区和薄膜晶体管区的平坦层，将平坦层对应于电容下极板上方的部分刻蚀除去；在电容器区形成位于第三绝缘层的薄层上的电容上极板。
[0006]具体地，作为优选技术方案，上述的制备方法包括如下步骤:
1)在衬底上依次形成覆盖薄膜晶体管区和电容器区的缓冲层和第一绝缘层；
2)在第一绝缘层上形成位于薄膜晶体管区的源、漏电极区，源、漏电极区包括源电极区、沟道区和漏电极区；
3)在源、漏电极区上形成覆盖薄膜晶体管区和电容器区的第二绝缘层； 4)在第二绝缘层上形成位于薄膜晶体管区的栅电极和位于电容器区的电容下极板，栅电极对应形成于源、漏电极区的沟道区上方；
5)在栅电极和电容下极板的层上形成对应覆盖薄膜晶体管区和电容器区的第三绝缘层，将第三绝缘层和第二绝缘层蚀刻出显露出源、漏电极区的源电极区和漏电极区的通孔；
6)在第三绝缘层上形成薄膜晶体管区的源电极和漏电极，其中源电极通过通孔耦合至源、漏电极区的源电极区，漏电极通过通孔耦合至源、漏电极区的漏电极区；
7)在源电极和漏电极上形成一覆盖薄膜晶体管区和电容器区的第四绝缘层，对第四绝缘层进行刻蚀，在薄膜晶体管区形成显露出源电极的通孔，在电容器区将第四绝缘层的对应于电容下极板上方的部分刻蚀除去；
8)以第四绝缘层为阻挡层对电容器区的第三绝缘层进行刻蚀，将第三绝缘层的对应于电容下极板上方的部分刻蚀为均匀的薄层。
[0007]作为优选技术方案，步骤2)为在第一绝缘层上形成多晶硅层，将电容器区的多晶硅层刻蚀除去，留下的薄膜晶体管区的多晶硅层即为源、漏电极区，源、漏电极区包括源电极区、沟道区和漏电极区；步骤4)为在第二绝缘层上形成一金属层，刻蚀后，形成薄膜晶体管区的栅电极和电容器区的电容下极板，栅电极对应形成于源、漏电极区的沟道区上方；步骤6)为在第三绝缘层上形成一金属层，刻蚀后形成薄膜晶体管区的源电极和漏电极，其中源电极通过通孔耦合至源、漏电极区的源电极区，漏电极通过通孔耦合至源、漏电极区的漏电极区。
[0008]优选地，上述的制备方法，还包括如下步骤:
9)在第四绝缘层上形成一覆盖薄膜晶体管区和电容器区的平坦层，对平坦层进行刻蚀，在薄膜晶体管区形成显露出源电极的通孔，在电容器区将平坦层的对应于电容下极板上方的部分刻蚀除去；
10)在平坦层上形成覆盖薄膜晶体管区的导电层，其通过形成于第四绝缘层和平坦层的通孔与源电极耦合，在电容器区形成位于第三绝缘层的薄层上的电容上极板。
[0009]作为优选技术方案，步骤10)为在平坦层上形成一导电材料层，导电材料层覆盖薄膜晶体管区和电容器区，且导电材料层通过形成于第四绝缘层和平坦层的通孔与源电极耦合，对导电材料层进行刻蚀，在薄膜晶体管区形成覆盖薄膜晶体管区的导电层，在电容器区形成位于层间绝缘层的薄层上的电容上极板。
[0010]本发明提供上述的制备方法制备得到的阵列基板，其包括薄膜晶体管区和电容器区，电各器区包括:
电容下极板；
第三绝缘层，形成于所述电容下极板上，对应覆盖所述电容器区，所述第三绝缘层的对应于所述电容下极板的部分被刻蚀为均匀的薄层；
第四绝缘层，形成于所述第三绝缘层上，所述第四绝缘层的对应于所述电容下极板的部分被刻蚀除去；
平坦化层，形成于所述第四绝缘层上，所述平坦化层的对应于所述电容下极板的部分被刻蚀除去；
电容上极板，形成于所述第三绝缘层的薄层上。
[0011]作为优选技术方案，上述阵列基板包括:
所述薄膜晶体管区包括:
衬底，
缓冲层，形成于所述衬底上，对应覆盖所述薄膜晶体管区；
第一绝缘层，形成于所述缓冲层上，对应覆盖所述薄膜晶体管区；
源、漏电极区，形成于所述第一绝缘层上，所述源、漏电极区包括源电极区、沟道区和漏电极区；
第二绝缘层，形成于所述源、漏电极区上，对应覆盖所述薄膜晶体管区；
栅电极，形成于所述第二绝缘层上，对应于所述源、漏电极区的沟道区上方；
第三绝缘层，形成于所述栅电极上，对应覆盖所述薄膜晶体管区；
源电极和漏电极，形成于所述第三绝缘层上，其中，源电极和漏电极分别通过形成于所述第三绝缘层和所述第二绝缘层的通孔与所述源、漏电极区耦合，所述源电极与所述源电极区耦合，所述漏电极与所述漏电极区耦合；
第四绝缘层，形成于所述源电极和漏电极上，对应覆盖所述薄膜晶体管区，于所述源电极上方形成有通孔；
平坦化层，形成于所述第四绝缘层上，对应覆盖所述薄膜晶体管区，于所述源电极上方形成有通孔；
导电层，形成于所述平坦化层上，对应覆盖所述薄膜晶体管区，所述导电层通过形成于所述第四绝缘层和所述平坦化层的通孔与所述源电极耦合。
[0012]所述电容器区还包括:
衬底，
缓冲层，形成于所述衬底上，对应覆盖所述电容器区；
第一绝缘层，形成于所述缓冲层上，对应覆盖所述电容器区；
第二绝缘层，形成于所述第一绝缘层上，对应覆盖所述电容器区；
其中，电容下极板形成于所述第二绝缘层上。
[0013]优选地，所述电容下极板和所述薄膜晶体管区的栅电极由同一导电材料层刻蚀形成；所述电容上极板与所述薄膜晶体管区的导电层由同一导电材料层刻蚀形成。
[0014]优选地，所述衬底为玻璃；所述缓冲层为氮化硅层或氮化硅层与氧化硅层构成的多层复合层；所述第一绝缘层为氧化硅层；所述第二绝缘层为氮化硅层、氧化硅层或氧化铝层中的一种或其两种以上组合形成的多层复合层；所述第三绝缘层为氮化硅层、氧化硅层或氧化铝层中的一种或其两种以上组合形成的多层复合层；所述第四绝缘层为氮化硅层或氧化铝层；所述电容下极板和栅电极为金属层或非金属导电材料层(金属如:铝，钥和钥钨合金，非金属类导电材料如:ιτο，石墨烯等)；所述导电层和