透明导电膜的修复和再生方法及透明导电层积体的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及透明导电膜的修复和再生方法及透明导电层积体。
【背景技术】
[0002] 在智能手机等的显示装置中使用了透明导电膜，但是，在形成透明导电膜的过程 中或组装至显示装置的过程中有时会产生各种膜缺陷。特别是，在透明导电膜中W-定 W上的尺寸产生凹陷、或者在形成透明导电膜的过程中异物或气泡混入透明导电膜的情况 下，即使该样直接形成显示装置，该些膜缺陷部也会清楚地被看到。一般来说，使用ITO瓣 射膜作为透明导电膜，但是一旦产生的膜缺陷难W修复，不得不作为废品而废弃。因此，在 生产率和成本的方面存在问题。
【发明内容】
[000引发明要解决的课题
[0004] 本发明的目的在于提供一种在透明导电膜中存在一定范围的全长的膜缺陷时将 膜缺陷部不可见化而对透明导电膜进行修复和再生的方法。另外，目的还在于提供一种具 备透明导电膜的透明导电层积体，该透明导电膜通过该方法进行了修复和再生。
[0005] 用于解决课题的方案
[0006] 本发明人进行了深入研究，结果发现；在透明导电膜中存在全长为10ym~ 300ym的膜缺陷时，通过在膜缺陷部层积透明树脂层，可W将膜缺陷部不可见化，从而对透 明导电膜进行修复和再生，由此完成了本发明。
[0007] 目P，本发明设及一种透明导电膜的修复和再生方法，该透明导电膜的修复和再生 方法的特征在于，包括在透明导电膜上的凹部层积透明树脂层的工序，
[000引透明导电膜是通过涂布含有导电材料的透明导电膜形成用组合物而形成的，其配 置于基材的至少一个面上，
[0009] 凹部为选自由起因于基材形状的凹陷、存在于透明导电膜的损伤和缺损、将存在 于透明导电膜的异物除去而形成的凹陷、W及对存在于透明导电膜的缺损加压而形成的凹 陷组成的组中的至少一种，
[0010] 凹部的全长为10ym~300ym。
[0011] 本发明的修复和再生方法优选的是，可W进一步包括在凹部涂布修复组合物的工 序，
[0012] 该情况下，修复组合物在制成膜厚300nm的干燥膜时的全光线透过率为97%W 上，雾度为3%W下，在波长633皿的折射率为1.40~1.70,色度为-1.5~1.5。
[0013] 本发明的修复和再生方法优选的是，在凹部涂布修复组合物的工序之后，进一步 包括将涂布于凹部的不需要的修复组合物除去的工序、或者加热处理工序。
[0014] 本发明的修复和再生方法中，修复组合物优选含有导电材料和/或粘结剂。
[0015] 本发明的修复和再生方法中，透明导电膜形成用组合物优选含有与修复组合物中 的粘结剂相同的粘结剂。另外，粘结剂优选为选自由聚醋树脂、丙締酸类树脂、聚氨醋、环氧 树脂、烷氧基硅烷低聚物和聚締姪树脂组成的组中的至少一种。
[0016] 本发明的修复和再生方法中，透明导电膜形成用组合物优选含有选自由无机导电 微粒、金属纳米线和导电性聚合物组成的组中的至少一种作为导电材料。
[0017] 本发明的修复和再生方法中，修复组合物优选含有选自由无机导电微粒、金属纳 米线和导电性聚合物组成的组中的至少一种作为导电材料。
[001引另外，本发明设及一种透明导电层积体，其特征在于，其为具备基材、透明导电膜 和透明树脂层的透明导电层积体，
[0019] 透明导电膜利用本发明的修复和再生方法进行了修复和再生。
[0020] 本发明的透明导电层积体中，优选的是，基材为玻璃基材，该透明导电层积体中依 次层积有玻璃基材、透明导电膜和透明树脂层。
[0021] 本发明的透明导电层积体中，透明树脂层优选为粘合层或硬涂层。
[002引本发明的透明导电层积体中，优选的是，透明导电膜的膜厚为30nm~500nm，该透 明导电层积体被用于电磁波屏蔽材料、降噪、抗静电材料或透明电极。
[002引发明的效果
[0024] 根据本发明的修复和再生方法，在透明导电膜中存在全长为10ym~300ym的膜 缺陷时，通过在膜缺陷部层积透明树脂层，从而膜缺陷部被不可见化，结果可W将透明导电 膜修复和再生。由于透明导电膜的折射率与透明树脂层的折射率为相同程度，因此认为能 够将膜缺陷部不可见化。
[0025] 另外，由于本发明的透明导电层积体具备通过本发明的修复和再生方法进行了修 复和再生的透明导电膜，因此，存在于透明导电膜的膜缺陷被不可见化，不会作为废品被废 弃，适合用于各种用途。
【具体实施方式】
[0026] 山透明导电膜的修复和再生方法
[0027] 本发明的修复和再生方法为透明导电膜的修复和再生方法，其特征在于，该透明 导电膜的修复和再生方法包括在透明导电膜上的凹部层积透明树脂层的工序，
[002引透明导电膜是通过涂布含有导电材料的透明导电膜形成用组合物而形成的，其配 置于基材的至少一个面上，
[0029] 凹部为选自由起因于基材形状的凹陷、存在于透明导电膜的损伤和缺损、将存在 于透明导电膜的异物除去而形成的凹陷、W及对存在于透明导电膜的缺损加压而形成的凹 陷组成的组中的至少一种，
[0030] 凹部的全长为10ym~300ym。
[0031] 下面，对本发明的修复和再生方法进行详细说明。
[0032] (1-1)透明导电膜
[0033] 本发明的修复和再生方法中的透明导电膜是通过涂布含有导电材料的透明导电 膜形成用组合物而形成的，被配置于基材的至少一个面上。透明导电膜可W将透明导电膜 形成用组合物直接涂布于基材上而形成，也可W预先将底涂层等其它层设置于基材上后再 在该层上涂布透明导电膜形成用组合物而形成。
[0034]作为透明导电膜的基材，使用透明基材。需要说明的是，本发明中，"透明基材"是 指全光线透过率为60%W上的基材。
[0035]作为透明基材的材质，只要是透明的就没有特别限定，可W举出例如玻璃、聚对苯 二甲酸己二醇醋（PET)、聚蒙二甲酸己二醇醋、改性聚醋等聚醋系树脂、聚己締（P巧树脂、 聚丙締（P巧树脂、聚苯己締树脂、环状締姪系树脂等聚締姪类树脂、聚氯己締、聚偏二氯己 締等己締基系树脂、聚離離酬（PEEK)树脂、聚讽任S巧树脂、聚離讽（PE巧树脂、聚碳酸醋 (PC)树脂、聚酷胺树脂、聚酷亚胺树脂、丙締酸类树脂、S己酷纤维素（TAC)树脂等。
[0036]对透明基材的厚度没有特别限定，优选为10ym~10000ym、更优选为25ym~ 5000ym。另外，透明基材的全光线透过率只要为60%W上就没有特别限定，优选为70%W 上、更优选为80 %W上。
[0037]透明导电膜可W通过将透明导电膜形成用组合物涂布至透明基材的至少一个面 上后进行加热处理而得到。
[003引作为将透明导电膜形成用组合物涂布至透明基材的至少一个面上的方法，没有特 别限定，可W使用公知的方法，例如可W使用漉涂法、椿涂法、浸涂法、旋涂法、诱铸法、模涂 法、刮板涂布法、椿涂法、凹版印刷法、幕涂法、喷涂法、刮涂法、狭缝涂布法、凸版（活版）印 巧幡、孔版（丝网）印刷法、平版（胶版）印刷法、凹版（照相凹版）印刷法、喷雾印刷法、 喷墨印刷法、移印法等。
[0039]在将透明导电膜形成用组合物涂布至透明基材的至少一个面上之前，根据需要可W预先对透明基材的表面实施表面处理。作为表面处理，可W举出例如电晕处理、等离子体 处理、ITRO处理、火焰处理等。
[0040]对形成透明导电膜时的加热处理没有特别限定，利用公知的方法进行即可，例如， 使用鼓风烘箱、红外线烘箱、真空烘箱等进行即可。在透明导电膜形成用组合物含有溶剂的 情况下，通过加热处理除去溶剂。
[0041]对形成透明导电膜时的加热处理的温度条件没有特别限定，优选为150°CW下、更 优选为50°C~140°C、进一步优选为60°C~130°C。若加热处理的温度超过150°C，则所使 用的基材的材质受到限定，例如，无法使用PET膜、聚碳酸醋膜、丙締酸类膜等一般用于透 明电极膜的基材。对加热处理的处理时间没有特别限定，优选为0. 1分钟~60分钟、更优 选为0. 5分钟~30分钟。
[0042] 对透明导电膜的表面电阻率没有特别限定，在抗静电用途中使用的情况下，优选 为1〇4Q/ □~1〇11Q/ □，在降噪用途中使用的情况下优选为300Q/ □~104Q/ □，在透 明电极用途中使用的情况下优选为1〇3n/□W下，在电磁波屏蔽用途中使用的情况下优选 为1Q/ □~1〇3q/口。
[0043]对透明导电膜的折射率没有特别限定，通常为1. 4~1. 7、优选为1. 5~1.6。
[0044] (1-。透明导电膜形成用组合物
[0045] 下面，对透明导电膜形成用组合物进行说明。
[0046]透明导电膜形成用组合物含有导电材料。
[0047]作为导电材料，没有特别限定，由于制成透明导电膜时的导电性和透明性优异，因 而，可W举出例如无机导电微粒、金属纳米线、导电性聚合物、碳材料等。该些导电材料可W 单独使用，也可W合用两种W上。
[0048] 导电材料优选为选自由无机导电微粒、金属纳米线和导电性聚合物组成的组中的 至少一种。
[0049] 作为无机导电微粒，没有特别限定，可W举出例如氧化铜锡（ITO)微粒、氧化铺锡 (ATO)微粒、氧化锋微粒等。该些无机导电微粒可W单独使用，也可W合用两种W上。
[0化0] 作为金属纳米线的材质，可W举出金属单质或含金属的化合物。
[0051] 作为金属单质，没有特别限定，可W举出例如银、铜、银、铁、钻、镶、锋、钉、锭、钮、 簡、饿、银、销等，作为含金属的化合物，没有特别限定，可W举出例如含有该些金属的化合 物。该些金属纳米线可W单独使用，也可化合用两种W上。
[0化2] 金属纳米线优选为选自由银纳米线、铜纳米线和金纳米线组成的组中的至少一 种。其理由是因为：与其它金属纳米线相比，自由电子浓度高，导电性高。
[005引对金属纳米线的直径没有特别限定，优选为Inm~lOOOnm、更优选为Inm~lOOnm。若金属纳米线的直径小于Inm，则线自身有时容易被切断；若超过lOOOnm，则涂布膜 的雾度值有时变高。
[0054] 对金属纳米线的长度没有特别限定，优选为lym~1000ym、更优选为lym~ lOOym。若金属纳米线的长度小于lym，则有时会导致涂布膜的导电性的降低；若超过 1000ym，则金属纳米线分散体的稳定性有时会变差。
[0化5]对金属纳米线的长径比没有特别限定，优选为50~10000、更优选为70~7000。 该是因为，若金属纳米线的长径比小于50,会导致涂布膜的导电性降低；若超过10000,会 导致金属纳米线分散体的稳定性变差。
[0化6] 需要说明的是，本发明中，长径比表示金属纳米线的长度与直径之比。
[0057]作为导电性聚合物，没有特别限定，可W使用现有公知的导电性聚合物，作为具体 例，可W举出例如聚唾吩、聚化咯、聚苯胺、聚己诀、聚苯己诀、聚蒙、它们的衍生物、W及它 们与渗杂剂的复合物等。该些导电性聚合物可W单独使用，也可化合用两种W上。
[005引作为导电性聚合物，优选分子内包含至少1个唾吩环的导电性聚合物。其理由是 因为，通过在分子内包含唾吩环，从而容易形成导电性高的分子。
[0化9]作为导电性聚合物，更优选聚化4-二取代唾吩）、或者聚化4-二取代唾吩）与 聚阴离子的复合物。该是因为导电性、化学稳定性极其优异。另外，在透明导电膜形成用组 合物含有聚化4-二取代唾吩）、或者聚化4-二取代唾吩）与聚阴离子的复合物的情况 下，通过使用该透明导电膜形成用组合物，能够在低温短时间内形成透明导电膜，生产率也 优异。
[0060] 作为聚化4-二取代唾吩），特别优选聚化4-二烷氧基唾吩）或聚化4-亚烷基 二氧唾吩）。
[00W] 作为聚化4-二烷氧基唾吩）或聚化4-亚烷基二氧唾吩），优选由W下的式 (I)：
[0062]
[0063] 表示的重复结构单元构成的阳离子形态的聚唾吩。此处，Ri和R2相互独立地表示 氨原子或的烷基，或者，在R1和R2键合了的情况下表示C1_4的亚烷基。
[0064] 作为Ci_4的烷基，没有特别限定，可W举出例如甲基、己基、丙基、异丙基、正了基、 异了基、仲了基、叔了基等。另外，在Ri和R2键合了的情况下，作为Ci_4的亚烷基，没有特别 限定，可W举出例如亚甲基、1，2-亚己基、1，3-亚丙基、1，4-亚了基、1-甲基-1，2-亚己基、 1-己基-1，2-亚己基、1-甲基-1，3-亚丙基、2-甲基-1，3-亚丙基等。该些之中，优选亚甲 基、1，2-亚己基、1，3-亚丙基，更优选1，2-亚己基。Ci_4的烷基和C1_4的亚烷基的部分氨可 W被取代。作为具有Ci_4的亚烷基的聚唾吩，特别优选聚化4-亚己基二氧唾吩）。
[00化]聚阴离子通过与聚唾吩（衍生物）构成离子对而形成复合物，从而可使聚唾吩 (衍生物）稳定分散在水中。
[0066] 作为聚阴离子，没有特别限定，可W举出例如駿酸聚合物类（例如聚丙締酸、聚马 来酸、聚甲基丙締酸等）、横酸聚合物类（例如