薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、液晶显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及液晶显示技术领域，且特别是涉及一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法，以及具有此薄膜晶体管阵列基板的液晶显示装置。
【背景技术】
[0002]目前，液晶显示装置(LCD，Liquid Crystal Display)的显示屏幕越来越大，而在大尺寸的显示屏幕中，每英寸所拥有的像素数目(PPI，Pixels Per Inch)数值越高，即代表显示屏幕能够以越高的密度显示图像，显示密度越高，拟真度就越高，画面的细节就会越丰富。现有的高PPI的液晶显示装置的穿透率低一直是困扰液晶显示模式的一个问题，穿透率是指显示装置的显示区域透过光的效率，即透过透明或半透明的光通量与其入射光通量的百分率。为了提高液晶显示装置的穿透率，一般的方法是使用新材料或者使用新技术如低温多晶娃技术(LTPS，Low Temperature Poly-silicon)、有机发光二极管技术(0LED，Organic Light Emitting D1de)等，而新材料和新技术的制程条件苟1刻且良率较低。
[0003]图1是现有一种液晶显示装置的薄膜晶体管阵列基板的平面结构示意图，图2是图1所示的薄膜晶体管阵列基板的沿I1-1I线的剖面结构示意图，请参阅图1和图2，薄膜晶体管阵列基板I包括多条扫描线和多条数据线，且多条扫描线和多条数据线相互交叉限定出多个像素区域，扫描线和数据线交叉位置处设置有薄膜晶体管，图1中所示的是薄膜晶体管阵列基板中的一个像素区域内的示意图。现有的薄膜晶体管阵列基板I包括基板10、栅极11、第一绝缘保护层12、半导体层13、源极14a和漏极14b、第二绝缘保护层15、像素电极16、第三绝缘保护层17和公共电极18。栅极11形成在基板10上。第一绝缘保护层12形成在基板10上并覆盖栅极11。半导体层13形成在第一绝缘保护层12上并位于栅极11上方。源极14a和漏极14b形成在第一绝缘保护层12上，源极14a和漏极14b彼此分隔并分别与半导体层13接触，以使部分的半导体层13从源极14a和漏极14b之间露出。第二绝缘保护层15形成在第一绝缘保护层12上，并覆盖源极14a和漏极14b以及从源极14a和漏极14b之间露出部分的半导体层13，在第二绝缘保护层15上形成通孔15a，以导通漏极14b和像素电极16。像素电极16形成在第二绝缘保护层15上，并通过通孔15a中与漏极14b接触实现电连接。第三绝缘保护层17覆盖像素电极16以及像素电极16未盖住的第二绝缘保护层15的部分。公共电极18形成在第三绝缘保护层17上。
[0004]现在的液晶显示装置中，制作薄膜晶体管阵列基板I的过程中一般都先制作像素电极16并使像素电极16与漏极14b电连接，之后在像素电极16上方形成第三绝缘保护层17，再在第三绝缘保护层17上形成公共电极18，像素电极16与公共电极18的中间间隔着第三绝缘保护层17，位于不同的平面上，这样就导致像素电极16与公共电极18之间的电场强度较弱，当背光源的光线穿过薄膜晶体管阵列基板I的显示区域时，光穿透能力比较差，所形成的液晶显示装置的穿透率低。
【发明内容】
[0005]本发明提供了一种薄膜晶体管阵列基板，其有助于提高液晶显示装置的穿透率。
[0006]本发明提供了一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其所制作的薄膜晶体管阵列基板有助于提尚液晶显不装置的穿透率。
[0007]本发明提供了一种液晶显示装置，其具有较高的穿透率。
[0008]本发明解决其技术问题是采用以下的技术方案来实现的。
[0009]—种薄膜晶体管阵列基板，包括基板、第一金属层、第一绝缘保护层、半导体层、第二金属层、第二绝缘保护层、第一导电层、第三绝缘保护层和第二导电层。第一金属层，形成在所述基板上。第一绝缘保护层，形成在基板上并覆盖第一金属层。半导体层，形成在第一绝缘保护层上并位于第一金属层上方。第二金属层，形成在第一绝缘保护层上，包括源极、漏极和数据线，源极和漏极彼此分隔并分别与半导体层接触，部分的半导体层从源极和漏极之间露出。第二绝缘保护层，形成在第一绝缘保护层上，并覆盖源极、漏极、数据线以及覆盖从源极和漏极之间露出部分的半导体层。第一导电层，形成在第二绝缘保护层上，第一导电层未覆盖位于漏极上方的部分第二绝缘保护层。第三绝缘保护层，覆盖第一导电层以及未被第一导电层覆盖的第二绝缘保护层，第三绝缘保护层具有第一通孔以露出部分第一导电层，第三绝缘保护层和第二绝缘层具有第二通孔以露出部分漏极。第二导电层，形成在第三绝缘保护层上，第二导电层包括第一部分和第二部分，第一部分通过第一通孔与第一导电层接触实现电连接，由第一部分与第一导电层共同形成第一电极，第二部分通过第二通孔与漏极接触实现电连接，第二部分是第二电极。
[0010]在本发明较佳实施例中，上述第二导电层的第一部分位于数据线所在位置的上方，第一部分与第二部分之间相互不连接。
[0011]在本发明较佳实施例中，上述第一通孔位于数据线所在位置的上方，第一通孔贯通第三绝缘保护层，第二通孔位于漏极所在位置的上方，第二通孔贯通第三绝缘保护层和第二绝缘保护层。
[0012]在本发明较佳实施例中，上述第一电极是公共电极，第二电极是像素电极。
[0013]—种液晶显示装置，包括上述的薄膜晶体管阵列基板。
[0014]—种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，包括:在基板上形成第一金属层。形成第一绝缘保护层，并覆盖第一金属层，在第一绝缘保护层形成半导体层，使半导体层位于第一金属层上方。在第一绝缘保护层形成第二金属层，第二金属层包括源极、漏极和数据线，源极和漏极彼此分隔并分别与半导体层接触，以使部分半导体层从源极和漏极之间露出。形成第二绝缘保护层，覆盖源极、第漏极、数据线以及从源极和漏极之间露出的部分半导体层。在第二绝缘保护层上形成第一导电层，形成的第一导电层未覆盖位于漏极上方的部分第二绝缘保护层。在第一导电层上形成第三绝缘保护层，覆盖第一导电层以及未被第一导电层覆盖的第二绝缘保护层，形成第一通孔以露出部分第一导电层，形成第二通孔以露出部分漏极。在第三绝缘保护层上形成第二导电层，第二导电层包括第一部分和第二部分，第一部分通过第一通孔与第一导电层接触实现电连接，由第一部分与第一导电层共同形成第一电极，第二部分通过第二通孔与漏极接触实现电连接，第二部分是第二电极。
[0015]在本发明较佳实施例中，上述第一通孔和第二通孔在同一制程中完成。
[0016]在本发明较佳实施例中，上述第二导电层的第一部分位于数据线所在位置的上方，第一部分与第二部分之间相互不连接。
[0017]在本发明较佳实施例中，上述第一通孔位于数据线所在位置的上方，第一通孔贯通第三绝缘保护层，第二通孔位于漏极所在位置的上方，第二通孔贯通第三绝缘保护层和第二绝缘保护层。
[0018]在本发明较佳实施例中，上述第一电极是公共电极，第二电极是像素电极。
[0019]本发明的有益效果是，本发明的薄膜晶体管阵列基板的第二导电层包括第一部分和第二部分，第一部分通过位于第三绝缘保护层中的第一通孔与第一导电层接触实现电连接，由第一部分与第一导电层共同形成第一电极。第二部分通过位于第三绝缘保护层和第二绝缘保护层的第二通孔与第二金属层接触实现电连接，第二导电层的第二部分是第二电极。薄膜晶体管阵列基板的第一电极和第二电极位于同一个平面，增强了第一电极与第二电极之间的电场强度，使得光线穿过显示区域的穿透能力变强，有效地提高了薄膜晶体管阵列基板的穿透率，进而使得具有此薄膜晶体管阵列基板的液晶显示装置的具有较高的穿透率。
[0020]上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述液晶显示装置及其制作方法和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明。
【附图说明】
[0021]图1是现有一种液晶显示装置的薄膜晶体管阵列基板的平面结构示意图。
[0022]图2是图1所示的薄膜晶体管阵列基板的沿I1-1I线的剖面结构示意图。
[0023]图3是本发明较佳实施例的薄膜晶体管阵列基板的平面结构示意图。
[0024]图4A至图4F是图3所示的薄膜晶体管阵列基板的制作流程的平面结构示意图。
[0025]图5A至图5F是图3所示的薄膜晶体管阵列基板的沿V- V线的剖面制作流程示意图。
[0026]图6是具有本发明较佳实施例的薄膜晶体管阵列基板的液晶显示装置与具有现有的薄膜晶体管阵列基板的液晶显示装置的穿透率-电压的效果对比图。
[0027]图7是具有本发明较佳实施例的薄膜晶体管阵列基板的液晶显示装置中对应数据线位置未设置黑矩阵时与具有现有的薄膜晶体管阵列基板的液晶显示装置中对应数据线位置未设置黑矩阵时的穿透率-电压的效果对比图。
【具体实施方式】