钝化膜的制备方法、太阳电池及其制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明属于晶娃太阳能电池器件制造技术领域，尤其设及一种纯化膜的制备方 法、太阳电池及其制备方法。
【背景技术】
[0002] 目前，光伏业内多晶娃电池转换效率约为18%，单晶娃电池转换效率约为20%。理 论上，多晶娃电池的转换效率可W达到20. 4%，单晶娃电池转换效率可W达到29%。晶娃电 池转换效率仍有很大的提升空间。
[0003] 现有的工业上晶娃太阳电池，通常采用丝网印刷的方式制备太阳电池的栅线。栅 线由细栅和主栅组成。细栅的宽度一般约为40~80化，主栅的宽度一般约为1.1mm。由于 栅线和娃片的表面直接接触，而且高溫烧结时，浆料会对娃片的表面产生一定的损伤，造成 栅线和娃片的界面处复合速率非常高，可达IX1〇7cm/s。运造成了在栅线处大量的载流子 复合，晶娃电池转换效率降低。
【发明内容】
[0004] 本发明要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种纯化膜的制备方法， 还提供一种光电转换效率高的太阳电池，还提供一种大幅度减少主栅处的表面复合速率， 在保证短路电流和填充因子的基础上较大程度的提升开路电压，有效提高光电转换效率的 太阳电池的制备方法。
[0005] 为解决上述技术问题，本发明采用W下技术方案： 一种纯化膜的制备方法，包括W下步骤： 在娃片的PN结和电极之间沉积纯化膜，所述纯化膜的厚度为Inm~lOnm。
[0006] 作为一个总的技术构思，本发明还提供一种太阳电池，包括基底娃片、PN结和主栅 电极，所述PN结位于基底娃片的前表面上，所述主栅电极设于PN结上，其特征在于，所述PN 结和主栅电极之间设有一层纯化膜，所述纯化膜的厚度为Inm~lOnm。
[0007] 上述的太阳电池，所述纯化膜包括非晶娃或氧化侣。
[0008] 作为一个总的技术构思，本发明还提供一种太阳电池的制备方法，包括W下步 骤： (1) 在娃片的前表面上制备PN结； (2) 在所述PN结上的预设主栅位置处沉积纯化膜，所述纯化膜的厚度为Inm~IOnm; (3) 印刷电极浆料，其中主栅印刷于所述纯化膜上，烧结后得到太阳电池。
[0009] 上述的制备方法，优选的，所述步骤（2)的具体过程为： (2. 1)在所述PN结上沉积减反射膜； (2. 2)在所述减反射膜上制备掩膜； (2. 3)去除所述减反射膜上的预设主栅位置处的掩膜； (2. 4)去除PN结上的预设主栅位置处的减反射膜，所述减反射膜上的预设主栅位置处 与所述PN结上的预设主栅位置处相对应； (2. 5)在所述PN结上的预设主栅位置处沉积纯化膜； (2. 6)去除所述减反射膜上的掩膜。
[0010] 上述的制备方法，优选的，所述步骤（2. 1)中，采用等离子气相沉积法沉积所述减 反射膜。进一步优选的，所述减反射膜的厚度为70nm~90nm。
[0011] 上述的制备方法，优选的，所述步骤（2. 4)中，采用氨氣酸质量分数为0. 5%~5%的 氨氣酸溶液去除预设主栅位置处的减反射膜。
[0012] 上述的制备方法，优选的，所述步骤（2. 5 )中，采用PECVD法或ALD法沉积所述纯 化膜。进一步优选的，所述纯化膜包括非晶娃、氧化侣。
[0013] 上述的制备方法，优选的，所述步骤（2. 6)中，去除所述减反射膜上的掩膜的具体 步骤为：先采用丙酬清洗，再经去离子水冲洗，接着采用异丙醇清洗，最后用去离子水冲洗。
[0014] 上述的制备方法，优选的，所述步骤（1)的具体过程为： (1.1)对P型基底娃片进行清洗制绒； (1. 2)通过扩散，在P型基底娃片的表面制备结深为0. 3化~0. 5化的n型扩散层； (1. 3)二次清洗P型基底娃片，去除娃片表面的憐娃玻璃及背面的p-n结。
[0015] 上述的制备方法，优选的，所述步骤（2. 2)中，在所述减反射膜上制备掩膜的方法 包括旋涂。进一步优选的，所述掩膜的厚度为1化~20化，所述掩膜包括光刻胶膜。
[0016] 上述的制备方法，优选的，所述步骤（2. 3)中，去除所述减反射膜上的预设主栅位 置处的掩膜的方法包括光刻。
[0017] 与现有技术相比，本发明的优点在于： 1、本发明的太阳电池，n型扩散层和主栅电极之间设有一层很薄的纯化膜，由于绝大部 分的载流子是通过细栅进行收集，而主栅的主要作用是将载流子导入外电路。因此，主栅下 面设置一层很薄的纯化膜，可W大幅度减少主栅处的表面复合速率。而且薄膜的厚度足够 薄，载流子能通过隧道效应，从娃片输运到主栅，不会出现由于主栅处的纯化膜造成串联电 阻的大幅度增加的情况。达到了大幅度减少娃片整体的前表面复合速率，提高太阳电池的 光电转换效率的目的。
[0018] 2、本发明的太阳电池的制备方法，在n型扩散层和主栅电极之间进行纯化膜沉 积，沉积的厚度为Inm~lOnm。沉积纯化膜后，主栅处的表面复合速率大幅度减少，一定程 度上保证了后续的P-n结隧穿效应。在保证太阳电池的短路电流稳定的情况下有效的提高 了电池的开路电压，从而有效的提高了太阳电池的光电转换效率。
【附图说明】
[0019] 图1为本发明实施例的太阳电池的制备工艺流程图。
[0020] 图2为本发明实施例的太阳电池的结构图。
[00川图例说明： 1、P型基底娃片；2、n型扩散层；3、氮化娃薄膜；4、氧化侣薄膜；5、主栅电极。
【具体实施方式】
[0022] W下结合说明书附图和具体优选的实施例对本发明作进一步描述，但并不因此而 限制本发明的保护范围。
[002引 实施例1: 一种本发明的太阳电池，如图2所示，包括P型基底娃片Un型扩散层2、氮化娃薄膜3 和主栅电极5,n型扩散层2设于P型基底娃片1上，氮化娃薄膜3和主栅电极5设于n型扩 散层2上，该n型扩散层2和主栅电极5之间还设有氧化侣薄膜4。本实施例中，同一个批 次的太阳电池中，氧化侣薄膜4的厚度平均值为2nm，氮化娃薄膜3的厚度平均值为75nm。 [0024]一种上述本实施例的太阳电池的制备方法，W制作一个批次50片太阳电池为例， 如图1所示，包括W下步骤： (1) 娃片清洗制绒：对P型基底娃片1进行清洗制绒，先通过清洗去