一种amoled器件及其制备方法、由其制得的显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种AMOLED器件及其制备方法、由其制得的显示装置，属于显示技术 领域。
【背景技术】
[0002] AMOLED是主动发光器件，与传统的IXD显示方式相比，AMOLED显示技术无需背光 灯，具有自发光的特性。AMOLED采用非常薄的有机材料膜层和玻璃基板，当有电流通过时， 有机材料就会发光，因此AMOLED显示屏能够显著节电省能，可以做的更轻更薄，比LCD显示 屏耐受更宽范围的温度变化，而且可视角变大。AMOLED显示器有望成为继IXD之后的下一 代平板显示技术，是目前平板显示技术中受到关注最多的技术之一。
[0003] AMOLED器件的结构示意图如图1所示，包括自下而上的背板1、蓝色空穴传输层2、 蓝色发光层3、电子传输层4、金属阴极5。其中，蓝色发光层是由电致变色材料制得。然而， 在AMOLED的实际使用过程中发现，其中蓝色发光层⑶的发光效率相对较低，色域窄，如图 3所示，色坐标为定值，整体色域为确定值，因而影响AMOLED器件整体的发光质量。由此可 见，提高蓝色发光层（B)的发光效率对AMOLED器件的寿命和显示至关重要。
【发明内容】
[0004] 本发明的目的是提供一种AMOLED器件及其制备方法、由其制得的显示装置。通过 在AMOLED器件中的蓝色空穴传输层、蓝色发光层之间增设一激发层，从而提高蓝色材料发 光效率，改善AMOLED器件的整体效率，更好的应用于不同的环境中。
[0005] 为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：
[0006] -种AMOLED器件，包括自下而上的背板、蓝色空穴传输层、蓝色发光层、电子传输 层、金属阴极；其中，在蓝色空穴传输层、蓝色发光层之间增设一激发层。
[0007] 本发明所述的AMOLED器件中，所述激发层的制备材料选自唑类衍生物紫外发光 材料、苯胺类紫外发光材料、联苯衍生物紫外发光材料或聚硅烷类紫外发光材料中的一种 或多种；其中，所述唑类衍生物紫外发光材料选自苯基联苯基恶二唑类化合物（PBD)、三氮 唑类化合物（TAZ)U, 3, 5-三苯并咪唑基苯（TPBI)或二恶唑衍生物（0XD-7);所述苯胺类 紫外发光材料选自N，N'-双（3-甲基苯基）-N，N'-二苯基联苯胺（TH))、F 2PA。
[0008] 本发明所述的AMOLED器件中，所述蓝色发光层的制备材料为光致变色材料。其 中，所述光致变色材料为胶体材料或非胶体材料。所述胶体材料选自二芳基乙烯衍生物、席 夫碱、亚砜、脎、缩氨基脲、丁二酸酐。
[0009] 本发明所述的AMOLED器件中，所述二芳基乙烯衍生物选自如下结构的化合物：
[0010]
[0011] 式中，X为S或0;
[0012] Ar1、Ar2代表芳杂环基；
[0013] n为 1 或2;
[0014] 本发明所述的AMOLED器件中，所述光致变色材料还可选自非胶体材料；所述非胶 体材料为掺杂卤离子空穴的方钠石、掺杂Fe或Mo的LiNbO 3、掺杂Bi的铝土、负载Ag纳米 粒子的TiO2、多钼酸、多酸和小生物分子构成的杂化物、含有有机配体的多酸。
[0015] 本发明还提供一种AMOLED器件的制备方法，先制备背板，再依次蒸镀蓝色空穴传 输层、激发层、蓝色发光层、电子传输层，最后制备金属阴极。
[0016] 本发明所述的AMOLED器件的制备方法中，所述激发层和蓝色发光层的蒸镀工艺 条件为：真空度为5 X 10 5Pa，层厚度为90~110 y m，温度为300~400°C，磁力彡150gauss。
[0017] 本发明还提供一种显示装置，包括上述AMOLED器件。
[0018] 本发明所述方案的有益效果如下：
[0019] 通过在AMOLED器件的蓝色空穴传输层、蓝色发光层之间增设一激发层，提高了蓝 色材料发光效率，改善了 AMOLED器件的整体效率，使其制得的显示装置更好的应用于不同 的环境中。
【附图说明】
[0020] 图1为现有技术中AMOLED器件的结构示意图。
[0021] 图2为本发明所述AMOLED器件的结构示意图。
[0022] 图3为现有技术中AMOLED器件的色域图。
[0023] 图4为本发明所述AMOLED器件的色域图。
【具体实施方式】
[0024] 以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
[0025] 本发明所述的AMOLED器件，结构如图2所示，包括自下而上的背板1、蓝色空穴传 输层2、蓝色发光层3、电子传输层4、金属阴极5 ;其中，在蓝色空穴传输层2、蓝色发光层3 之间增设一激发层6。
[0026] 所述激发层6的制备材料选自唑类衍生物紫外发光材料、苯胺类紫外发光材料、 联苯衍生物紫外发光材料或聚硅烷类紫外发光材料中的一种或多种；其中，所述唑类衍生 物紫外发光材料选自苯基联苯基恶二唑类化合物（PBD)、三氮唑类化合物（TAZ)、1，3, 5-三 苯并咪唑基苯（TPBI)或二恶唑衍生物（0XD-7);所述苯胺类紫外发光材料选自N，N'-双 (3-甲基苯基）-N，N'-二苯基联苯胺（TH))、F2PA。
[0027] 其中，所述PBD结构式如下：
[0028]
[0029] 所述TAZ结构式如下：
[0030]
[0031] 所述TPBI结构式如下：
[0032]
[0033] 所述0XD-7结构式如下：
[0034]
[0035] 所述TPD结构式如下：
[0036]
[0037] 所述F2PA结构式如下：
[0038]
[0039] 本发明所述的AMOLED器件中，蓝色发光层3的制备材料为光致变色材料。其中，所 述光致变色材料为胶体材料或非胶体材料。所述胶体材料进一步选自二芳基乙烯衍生物、 席夫碱、亚砜、脎、缩氨基脲、丁二酸酐。
[0040] 作为本发明优选的实施方式，所述二芳基乙烯衍生物选自如下结构的化合物： [0041 ]
[0042] 式中，X为S或0;
[0043] Ar1、Ar2代表芳杂环基；
[0044] n 为 1 或 2 ;
[0045] 其中，I类和II类化合物的最大特点是对绿光和蓝光敏感。
[0046] 本发明所述的二芳基乙烯衍生物在溶液中发生热不可逆和抗疲劳的光致变色现 象，无论是光激发后着色的异构体还是光激发前的无色的异构体都可以在室温下稳定存在 1000年以上，其着色、褪色的循环过程可以被重复超过10000次，而且响应时间非常短，甚 至小于l〇ps，具有良好的光致变色性、热稳定性、耐疲劳性及响应时间快等诸多优点。
[0047] 本发明所述的二芳基乙烯衍生物的光致变色机理是周环化反应，即在紫外光激发 下，化合物旋转闭环生成有色的闭环体，而闭环体在可见光照射下又能发生相反的变化。这 些二芳基乙烯衍生物所变化颜色在黑暗处保持稳定，当其受到可见光激发后，着色的晶体 又变为起初的无色状态。其中，不同结构的衍生物，在紫外光的激发下，可以由无色变成黄 色、红色、蓝色或绿色。在本发明中，所述二芳基乙烯衍生物优选结构式I化合物，通过选择 恰当的激发光波波长，可使其显示全色光致变色现象，获得更宽的色域。
[0048] 本发明所述的AMOLED器件中，所述光致变色材料还可选自非胶体材料；所述非胶 体材料为掺杂卤离子空穴的方钠石、掺杂Fe或Mo的LiNbO 3、掺杂Bi的铝土、负载Ag纳米 粒子的TiO2、多钼酸、多酸和小生物分子构成的杂化物、含有有机配体的多酸。
[0049] 本发明所述的AMOLED器件中，所述蓝色空穴传输层2、电子传输层4、金属阴极5 均采可由本领域常规材料依据本领域技术人员所掌握的常规制备方法制得。本发明在此不 再赘